改良第三族氮化物基发光装置内部量子效率的方法与装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种改良第三族氮化物基发光装置内部量子效率的方法，其步骤包含提供具有单晶结构的第三族氮化物基基板，在第三族氮化物基基板上形成具有复数个不吸收可见光的粒子氧化层，其中粒子的大小、形状与密度由反应温度、反应时间及反应浓度所控制，以及在氧化层上生成第三族氮化物基层。其中氧化层具阻挡第三族氮化物基基板的线差排传播到第三族氮化物基层，借以改良第三族氮化物基发光装置的内部量子效率。本发明专利技术还公开一种改良第三族氮化物基发光装置内部量子效率的装置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种改良发光装置的内部量子效率的方法，尤其涉及一种第三族氮化 物基发光装置，例如氮化镓(GaN)发光装置。
技术介绍
第三族氮化物基半导体为直接跃迁(direct-transition)型半导体，当使用于发 光二极管(Light emitting Diodes,LEDs)和雷射二极管(Laser-Diodes，LDs)等发光装置 时，具有从UV到红光广波段的放射光谱。当发光装置具有较高外部量子效率时(抽取出的光子数目/注入的载子数)，其功 率消耗较少。外部量子效率可借由增加出光效率(抽取出的光子数/放射出的光子数)或 内部量子效率(放射出的光子数/注入的载子数)来提升。内部量子效率的增加表示转换 自发光组件电力的热能减少。因此，内部量子效率的增加不仅降低功率消耗，同时抑制了因 加热而导致可靠性降低的情形。LED的出光效率可借由生成下部局限层或将之打线于透明基板上来加以改善，而 不是吸光基板上。LED内能隙(energy gap)相当于或小于发光层的任一层，会减低透明基 板LED的出光效率。由于活性层(active layer)，也称发光层，放射的部分光线在出光至 LE本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种改良第三族氮化物基发光装置内部量子效率的方法，其特征在于其包括以下步骤：提供具有单晶结构的第三族氮化物基基板；在第三族氮化物基基板上形成氧化层，具有复数个不吸收可见光的粒子，其中粒子的大小、形状与密度由反应温度、反应时间及反应浓度所控制；以及在氧化层上生成第三族氮化物基层；其中氧化层具阻挡第三族氮化物基基板的线差排传播到第三族氮化物基层，借以改良第三族氮化物基发光装置的内部量子效率。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：潘昌吉，张简庆华，陈彰和，
申请(专利权)人：华新丽华股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]