【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于微电子
，涉及半导体器件。具体地说是一种阶梯型凹槽栅高 电子迁移率晶体管HEMT，可用作高温高频高可靠大功率器件。
技术介绍
功率半导体器件已广泛应用于开关电源、汽车电子、工业控制、无线电通讯等众多 功率领域。作为宽禁带半导体材料的典型代表，GaN基材料具有禁带宽度大、电子饱和漂移 速度高、击穿场强高和导热性能好等特点，可用于制作高温、高频及大功率电子器件。随着对GaN基HEMT的深入研究，人们发现在高电子迁移率晶体管工作时，其势垒 层耗尽区中的电场线分布不均勻，栅极靠近漏极一侧的边缘会收集大部分来自势垒层耗尽 区中的电场线，所以该处电场非常高。此处的高电场会使得栅极泄露电流增大，容易导致击 穿，使器件实际击穿电压偏小，从而导致这类器件高击穿电压和大功率的优势不能得到发 挥。目前，提高高电子迁移率晶体管的击穿电压的常用措施是采用场板结构，该结构 是通过改变靠近栅极边缘耗尽层边界的弯曲程度，增大耗尽区面积，改变耗尽层中电场线 分布，来提高击穿电压的一种器件结构。常用场板大致分为以下几种1.均勻场板。均勻场板常制作在钝化层上，场板下方钝化层厚度均...
【技术保护点】
１．一种阶梯型凹槽栅高电子迁移率晶体管ＨＥＭＴ，自下而上包括：衬底（１）、成核层（２）、主沟道层（３）和主势垒层（４），主势垒层（４）顶端两侧为源极（５）和漏极（６），中间为栅极（７），其特征在于：主势垒层（４）上设有ｎ个辅沟道层与辅势垒层组成的交替循环异质结构，ｎ的取值为１～３；最顶层辅势垒层与主势垒层（４）之间设有凹槽（９），该凹槽靠近漏极一侧的凹槽壁呈阶梯型；栅极（７）位于凹槽（９）中，且栅极与凹槽之间设有介质层（８）。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张进成，付小凡，郝跃，马晓华，王冲，陈珂，奚鹏程，解露，李亮，薛晓咏，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：87
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