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本发明公开了一种阶梯型凹槽栅高电子迁移率晶体管，主要解决现有技术的击穿电压低和场板制作工艺复杂的问题。该器件自下而上包括：衬底(1)、成核层(2)、主沟道层(3)和主势垒层(4)，主势垒层(4)顶端两侧为源极(5)和漏极(6)，中间为栅极(...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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