一种高频高线性氮化镓高电子迁移率晶体管制造技术

本实用新型专利技术涉及一种高频高线性氮化镓高电子迁移率晶体管。传统技术无法满足高功率器件的要求。本实用新型专利技术器件包括基底，基底上依次外延生长有缓冲层、插入层、隔离层、势垒层，晶体管的栅极、源极和漏极位于势垒层上。其中基底为蓝宝石、硅或碳化硅、缓冲层为ＧａＮ、插入层为Ａｌ０．０４Ｇａ０．９６Ｎ、隔离层为ＡｌＮ、势垒层为非掺杂Ａｌ０．２７Ｇａ０．７３Ｎ、栅极金属为镍／金、源极金属为钛／铝／镍／金、漏极金属为钛／铝／镍／金。本实用新型专利技术通过改变器件的外延层结构，同时优化外延层结构的相关参数，使得器件在工作时栅极电压跨导变化很小，也即器件具有较高的线性度和较高的特征频率。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术属于微电子
，涉及一种高频高线性氮化镓高电子迁移率晶体管。
技术介绍
随着无线通信的迅速发展，对微波放大器的性能要求越来越高，即要求高频、低噪 声、高功率、高效率和高线性度。在传统的通信系统中，低频下，硅器件占据着主要市场，在 微波毫米波频段砷化镓器件占据主导和支配地位。近年来随着工艺技术的发展，硅器件也 已经可以工作到毫米波频段，但是硅器件的低功率密度无法满足高功率器件的要求。能够 工作了微波毫米波频段的砷化镓器件，在高功率性能上也已经接近它的极限值。AlGaN/GaN HEMT器件由于其高击穿电压和高频性能使得它成为下一代无线基站及军事应用中功率放 大器具有潜力的器件，同时线性度和噪声性能上显示出的优势也受到人们的极大关注和研 允。 但常规的AlGaN/GaN HEMT仍然存在着器件的缓冲层隔离和线性度进一步提高问 题。大部分工作集中在器件制造技术和AlGaN势垒层上，通过对势垒层最佳化以及对缓冲 层晶体质量的改善来解决上述问题。但是器件整体性能并没有好转或者说是以牺牲某些特 性为代价。我们提出了一种新型的非掺杂复合沟道HEMT，并用实验方法证明了该器件较常 规结构本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高频高线性氮化镓高电子迁移率晶体管，包括基底，其特征在于：基底上依次外延生长有缓冲层、插入层、隔离层、势垒层，晶体管的栅极、源极和漏极位于势垒层上；　　所述的基底的材料为蓝宝石、硅或碳化硅；　　所述的缓冲层为厚度是２．５μｍ的ＧａＮ；所述的插入层为厚度是８ｎｍ的Ａｌ↓［０．０４］Ｇａ↓［０．９６］Ｎ；　　所述的隔离层为厚度是１ｎｍ　ＡｌＮ；　　所述的势垒层为厚度是２２ｎｍ非掺杂Ａｌ↓［０．２７］Ｇａ↓［０．７３］Ｎ；　　所述的栅极金属为镍／金、源极金属为钛／铝／镍／金、漏极金属为钛／铝／镍／金。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：程知群，胡莎，周肖鹏，周伟坚，
申请(专利权)人：杭州电子科技大学，
类型：实用新型
国别省市：86[中国|杭州]