【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及具有多个高频功率产生单元的，该高频 功率产生单元具有由半导体元件构成的高频功率产生部。
技术介绍
过去的高频加热装置的高频功率产生部通常由被称为磁控管的真空管构成。近年来，在推进采用氮化镓(GaN)等半导体元件的高频加热装置的开发，以取代 该磁控管。这种高频加热装置能够实现小型低成本的结构，而且容易控制频率。专利文献 1公开了如下技术，控制从多个放射部放射的高频功率的相位差及频率，使逆流功率达到最 小，并在最佳状态下将被加热物加热。先行技术文献专利文献专利文献1 日本特开2008-269793号公报但是，根据前述过去的结构，在所设定的范围内独立改变最佳的高频功率的条件， 必须对全部条件的组合检测逆流功率，导致在用户将被加热物放置在加热室内后从按下使 用开始按钮到确定最佳加热条件前花费时间。
技术实现思路
本专利技术就是为了解决上述问题而提出的，其目的在于，提供一种高频加热装置，能 够提高高频功率的照射效率，同时缩短确定最佳加热条件所花费的时间。并且，本专利技术的目 的在于提供一种高频加热方法，能够提高高频功率的照射效率，同时缩短确定最佳加热条 件所花费...
【技术保护点】
１．一种高频加热装置，具有：加热室，用于收纳被加热物；多个高频功率产生单元，向所述加热室内放射高频功率；以及控制部，控制所述多个高频功率产生单元，所述多个高频功率产生单元分别具有：高频功率产生部，产生由所述控制部设定的频率的高频功率；放射部，将由所述高频功率产生部产生的高频功率放射到所述加热室内；以及逆流功率检测部，检测从所述加热室内向所述放射部入射的逆流功率，所述逆流功率检测部根据由所述控制部对各个所述高频功率产生部设定的各种频率，分别独立检测由从一个所述高频功率产生单元的放射部放射的高频功率的一部分进行反射，并输入到该一个所述高频功率产生单元的放射部的反射形成的逆流功率...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：冈岛利幸，石崎俊雄，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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