【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及非易失性存储元件和具备该非易失性存储元件的半导体存储装置，特 别涉及具有通过施加电压脉冲在低电阻状态和电阻值比该低电阻状态高的高电阻状态之 间可逆地转换的电阻变化元件的非易失性存储元件和半导体存储装置。
技术介绍
近年来，伴随数字技术的发展，移动信息设备和信息家电等电子设备进一步高功 能化。伴随这些电子设备的高功能化，所使用的半导体元件的微细化和高速化也急速发 展。其中，以闪存为代表的大容量的非易失性存储器的用途急速扩大。进而，作为代替闪 存的下一代新型非易失性存储器，使用所谓的电阻变化元件的电阻变化型半导体存储装置 (ReRAM)的研究开发有所发展。此处，电阻变化元件指的是具有电阻值根据电子信号可逆地 变化的性质，进而能够将与该电阻值对应的信息非易失地存储的元件。电阻变化元件与以 利用由电刺激产生的热使结晶状态改变为原因而使电阻值变化的相变型元件(PCRAM)不 同，通过电刺激直接地、即通过电子的传递使电阻变化材料的氧化还原状态变化，改变元件 的电阻值。作为搭载有该电阻变化元件的大容量的半导体存储装置的一例，可知有交叉点型 的半导体存储装置。该交...
【技术保护点】
一种非易失性存储元件，其特征在于，包括： 具有非线性的电流－电压特性的电流控制元件； 基于施加的电压脉冲在低电阻状态和相比于该低电阻状态电阻值更高的高电阻状态之间可逆地转换的电阻变化元件；和 熔断器，其中， 所述电流控制元件、所述电阻变化元件和所述熔断器串联连接，所述熔断器在所述电流控制元件实质上成为短路状态时断开。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：魏志强，高木刚，饭岛光辉，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[]
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