激光激发稀土掺杂氮氧化铝荧光粉合成白光光源的方法技术

本发明专利技术涉及一种激光激发稀土掺杂氮氧化铝荧光粉合成白光光源的方法，其特征在于以氮氧化铝为基质，掺杂稀土元素制成不同掺杂的荧光粉，最后将合成的两种以上荧光粉混合、干燥后制成在９５０ｎｍ的半导体激光器激发下发射出白光；所述的掺杂稀土元素Ｅｒ、Ｔｍ、Ｈｏ、Ｔｂ、Ｐｒ、Ｅｕ、Ｄｙ或Ｓｍ的氧化物质量百分浓度为１－１０％，掺杂稀土元素Ｙｂ的氧化物的质量百分浓度为０．５－５％。具体包括ａ）氮氧化铝基质的制备；ｂ）荧光粉粉体的制备；ｃ）白光光源的合成。本发明专利技术提供的荧光粉具有较强的发光强度，较传统的氟化物稳定，经掺杂后的ＡｌＯＮ，在９８０ｎｍ波长激光激发下发射出白光。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种白光光源的制备方法，更确切地说涉及一种以激光激发稀土离子 掺杂氮氧化铝荧光粉合成白光光源的方法，属于发光物理学中的发光材料领域。
技术介绍
自20世纪90年代以来，随着白光LED的开发，LED已从特种光源领域如大屏幕显 示、指示灯等应用逐渐步入一般照明成为新一代照明用光源，目前LED主要问题是成本过 高及亮度偏低。为获得足够亮度的光源，通常需要组合数十个乃至上百个发光单元。显然， 除改进生产工艺及使用更为廉价的半导体材料外，提升单个器件的发光效率及输出功率已 成为降低成本的最为有效途径。美国Ducharme等人提出一个新的方法，用激光二极管(LD) 代替 LED 来实现白光光源(Ducharme et al. ,US patent 7088040,2006)。与 LED 相比，LD 除具有和LED相同的特点外，还具有发出光的方向性好，能量密度高，因此更有可能实现高 亮度乃至超高亮度白光。此外，LD技术相对于高亮度LED来说，其发展已相对成熟，不存在 大的技术上的困难，这也是加速产业化的一个重要影响因素。可以预期未来LD将与LED — 起构成新一代照明光源的核心。在本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．激光激发稀土掺杂氮氧化铝荧光粉合成白光光源的方法，其特征在于以氮氧化铝为基质，掺杂稀土元素制成不同掺杂的荧光粉，最后将合成的两种以上荧光粉混合、干燥后制成在９５０ｎｍ的半导体激光器激发下发射出白光；所述的掺杂稀土元素Ｅｒ、Ｔｍ、Ｈｏ、Ｔｂ、Ｐｒ、Ｅｕ、Ｄｙ或Ｓｍ的氧化物质量百分浓度为１－１０％，掺杂稀土元素Ｙｂ的氧化物的质量百分浓度为０．５－５％。

【技术特征摘要】
1.激光激发稀土掺杂氮氧化铝荧光粉合成白光光源的方法，其特征在于以氮氧化铝为 基质，掺杂稀土元素制成不同掺杂的荧光粉，最后将合成的两种以上荧光粉混合、干燥后制 成在950nm的半导体激光器激发下发射出白光；所述的掺杂稀土元素Er、Tm、H0、Tb、ft~、Eu、Dy或Sm的氧化物质量百分浓度为1_10%， 掺杂稀土元素％的氧化物的质量百分浓度为0. 5-5%。2.按权利要求1所述的合成白光光源的方法，其特征在于包括以下步骤a)氮氧化铝基质的制备将Al2O3粉体与碳黑混合，干混均勻后过筛装入坩埚在流动氮气氛下分二步进行还原 反应，第一步1550°C，保温Ih然后第二步为1650-1820°C ；保温4- ；b)荧光粉粉体的制备将稀土氧化物按权利要求1所述的比例和步骤a制备的氮氧化铝粉体，以乙醇为分散 介质放入到含氧化铝球的尼龙球磨罐中混合，混合后60-120°C烘干，最后在氮气氛下升温 至1800-1900°C保温，制备成不同离子和不同掺杂量的掺杂氮氧化铝荧光粉；c)白光光源的合成将步骤b制备的两种、三种或三种以上的荧光粉加入到乙醇溶液中，然后在60-120°C 干燥12h，即合成在980nm激光激发下发射出白光。3.按权利要求1或2所述的合成白光光源的方法，其特征在于所述的荧光粉的粒径为 0. 5-5 μ m04.按权利要求2所述的合成白光光源的方法，其特征在于使用的稀土氧化物的纯度> 99. 99%，氧化铝粉体纯度> 99. 97%，作为...

【专利技术属性】
技术研发人员：张芳，王士维，袁贤阳，李军，周国红，张昭，
申请(专利权)人：中国科学院上海硅酸盐研究所，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]