氟甲烷的制备方法和产品技术

本发明专利技术涉及使氯甲烷和氟化氢在气相中在氟化催化剂存在下反应，将所得的含有氯甲烷和氯化氢的混合物加入蒸馏塔中，用于作为塔顶馏分分离和提纯氯甲烷和氯化氢。所以，可以有效地制备高纯度的ＨＦＣ－４１，其适合作为半导体蚀刻气体。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种制备氟甲烷(CH3F，下文简称为HFC-41)的方法。
技术介绍
氢氟烃(HFC)的特征在于其臭氧消耗潜力为0，特别是HFC-41、二氟甲烷(CH2F2)和三氟甲烷(CHF3)是有用的半导体蚀刻气体。用作半导体蚀刻气体的HFC必须具有高纯度，更特别的是，它们的酸组分(氯化氢、氟化氢等)含量优选不大于1.0ppm质量，而它们的水分含量优选不大于10ppm质量，更优选不大于5ppm质量。所以，已经建议了许多方法来制备高纯度HFC，但是它们是具有两个或多个碳原子的的分子，而氯仿的氟化或二氯甲烷的氟化是处理单碳的甲烷，目前几乎没有制备HFC-41的方法。主要原因是当对卤代烃进行氟化时，在分子中的较大数目的氢原子降低了氟化反应活性，并趋向于促进分解和形成副产物。日本已审专利申请(Kokoku)No.4-7330公开了一种制备HFC-41的方法，其中甲基醇和氟化氢(HF)在100-500℃的温度下使用氟化催化剂(氟化铬)进行气相反应。但是，该方法产生的问题是氟化催化剂的劣化和由于生成副产物水而腐蚀反应器。另外，日本未审专利申请(Kokai)No.60-13726公开了一种本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制备氟甲烷的方法，包括以下四个步骤：（１）使氯甲烷与沸石在液相中接触，（２）使在步骤（１）中获得的氯甲烷与氟化氢在气相中在氟化催化剂的存在下反应，获得主要氟甲烷，（３）将在步骤（２）中获得的含氟甲烷的混合气体加入 蒸馏塔中，并将主要包含氟甲烷和氯化氢的塔顶馏分与主要包含氯甲烷和氟化氢的塔底馏分分离，和（４）从在步骤（３）中获得的塔顶馏分中分离并提纯氟甲烷。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：大野博基，新井龙晴，
申请(专利权)人：昭和电工株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]