原子层沉积的技术制造技术

一种原子层沉积的技术。在一实施例中，此技术为一种应变薄膜的形成方法。此方法可包括向基板表面供应一种或多种前驱物质，此前驱物质具有至少一第一物种的原子以及至少一第二物种的原子，从而在基板表面上形成一层前驱物质。此方法还包括将基板表面暴露于等离子体产生的第三物种的亚稳态原子，其中亚稳态原子从基板表面脱附所述至少一第二物种的原子，以形成所述至少一第一物种的原子层。通过控制原子层沉积工艺中的一种或多种参数，可达成至少一第一物种的所述原子层内的期望的应力大小。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种应变薄膜的形成方法，所述方法包括以下步骤：　向一基板表面供应一种或多种前驱物质，所述前驱物质具有至少一第一物种的原子以及至少一第二物种的原子，从而在所述基板表面上形成一层所述前驱物质；以及　将所述基板表面暴露于等离子体产生的 一第三物种的亚稳态原子，其中所述亚稳态原子从所述基板表面脱附所述至少一第二物种的原子，以形成所述至少一第一物种的一原子层；　其中所述至少一第一物种的所述原子层内的期望的应力大小的达成是通过控制从以下参数所构成的族群中选择的一种或多种参 数：沉积温度、所述至少一第一物种的所述原子层的成分、所述至少一第一物种的所述原子层内的杂质的数量以及与所述第三物种的所述亚稳态原子相关联的通量或能量。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：维克拉姆辛，哈勒德M波辛，艾德蒙德J温德，安东尼雷诺，乔治D帕帕守尔艾迪斯，
申请(专利权)人：瓦里安半导体设备公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]