增加芯片老化扫描效率的方法技术

本发明专利技术为“增加芯片老化扫描效率的方法”。利用一图形发生器，对一存储器芯片内的每一存储单元写入一特定逻辑电位，读取该存储单元储存的特定逻辑电位，比较该存储单元储存的特定逻辑电位和该特定逻辑电位，判断该存储单元是否合格，并储存有关于该存储单元的判断结果于该存储器芯片的数据锁存器，及根据该数据锁存器内储存的该存储器芯片内的所有存储单元的判断结果，判断该存储器芯片是否合格。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术系有关于一种芯片老化扫描的方法，尤指一种利用芯片的数据锁存器增加 芯片老化扫描效率的方法。
技术介绍
请参照第1图，第1图是
技术介绍
说明芯片老化扫描100的示意图。如第1图所示， 图形发生器101可对存储器芯片102内的每一存储单元写入一特定逻辑电位(逻辑高电位 “1”或逻辑低电位“0”)，其中图形发生器101可利用团块图形(solid pattern)、棋盘式图 形(check board pattern)、列条码图形(row bar pattern)及 / 或行条码图形(column bar pattern)对存储器芯片102内的每一存储单元写入特定逻辑电位。另外，如第1图所示，合格判断单元(pass/fail decision unit) 104判断存储器 芯片102内的每一存储单元所储存的特定逻辑电位是否正确，并将对应于每一存储单元的 判断结果输出，由测试机台108读取每一存储单元的判断结果。但测试机台108并不需要 知道存储器芯片102中哪一存储单元不合格，只要存储器芯片102中有一存储单元不合格， 则测试机台108就会判断存储器芯片102不合格。如此，芯片老化扫描100将会耗费太多 时间，以判断存储器芯片102是否合格。因此，芯片老化扫描100对于存储器芯片102测试 而言并不是很有效率。
技术实现思路
为实现本专利技术目的而提供的一种增加芯片老化(burn-in)扫描效率的方法，包 括利用一图形发生器(pattern generator)，对一存储器芯片内的每一存储单元写 入一特定逻辑电位；读取该存储单元储存的特定逻辑电位；比较该存储单元储存的特定逻辑电位和该特定逻辑电位，判断该存储单元是否合 格(pass)，并储存有关于该存储单元的判断结果于该存储器芯片的数据锁存器；及根据该数据锁存器内储存的该存储器芯片内的所有存储单元的判断结果，判断该 存储器芯片是否合格。该图形发生器使用一团块图形(solid pattern)对该存储器芯片内的每一存储单 元写入该特定逻辑电位。其中该图形发生器使用一棋盘式图形(check board pattern)对该存储器芯片内 的每一存储单元写入该特定逻辑电位。其中该图形发生器使用一列条码图形(row bar pattern)对该存储器芯片内的每 一存储单元写入该特定逻辑电位。其中该图形发生器使用一行条码图形(column bar pattern)对该存储器芯片内 的每一存储单元写入该特定逻辑电位。其中根据该数据锁存器内储存的该存储器芯片内的所有存储单元的判断结果，判 断该存储器芯片是否合格包括对相对应于该存储器芯片的多个输入输出端中的每一输入输出端的多个存储单 元的判断结果执行一第一逻辑运算，得到多个第一逻辑运算结果；将该多个第一逻辑运算结果区分成多组第一逻辑运算结果；对该多组第一逻辑运算结果执行一第二逻辑运算，得到多个第二逻辑运算结果；对该多个第二逻辑运算结果执行一第三逻辑运算，得到该存储器芯片的一最终逻 辑运算结果；及根据一读取信号和该最终逻辑运算结果，判断该存储器芯片是否合格。其中根据该数据锁存器内储存的有关于该存储器芯片内的每一存储单元的判断 结果，判断该存储器芯片是否合格包括对该存储器芯片的所有存储单元的判断结果执行一逻辑运算，得到该存储器芯片 的一最终逻辑运算结果；及根据一读取信号和该最终逻辑运算结果，判断该存储器芯片是否合格。其中该特定逻辑电位是一逻辑高电位。其中该特定逻辑电位是一逻辑低电位。附图说明图1是
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的说明芯片老化扫描的示意图。图2是本专利技术的一实施例说明增加芯片老化扫描效率的示意图。图3是本专利技术的一实施例说明的流程图,图4是数据锁存器根据图3的方法运作的示意图。图5是本专利技术的一实施例说明的流程图,图6是本专利技术的另一实施例说明芯片探针测试的示意图。主要元件符号说明100芯片老化扫描200增加芯片老化扫描效率101,201图形发生器102、202存储器芯片104、204合格判断单元108,208测试机台300 至 318、500 至 512 步骤FLR第一逻辑运算结果SLR第二逻辑运算结果FR最终逻辑运算结果具体实施方式 请参照图2，图2是本专利技术的一实施例说明增加芯片老化扫描效率200的示意图。 如图2所示，图形发生器(pattern generator) 201可对存储器芯片202内的每一存储单元写入一特定逻辑电位，其中特定逻辑电位是一逻辑高电位“1”或一逻辑低电位“0”。图形发 生器201可利用团块图形(solid pattern)、棋盘式图形(check board pattern)、列条码图 形(row bar pattern)及/或行条码图形(column bar pattern)对存储器芯片202内的每 一存储单元写入特定逻辑电位，但本专利技术并不受限于团块图形、棋盘式图形、列条码图形及 行条码图形。另外，如图2所示，合格判断单元204(pass/fail decision unit)比较每一 存储单元储存的特定逻辑电位和写入的特定逻辑电位，以判断存储单元是否合格(pass)， 并将判断结果储存于存储器芯片202的数据锁存器206。和
技术介绍
不同的是数据锁存器 206仅在接收到测试机台208的读取信号RS时，才会输出有关于存储器芯片202的一最终 逻辑运算结果FR。然后，测试机台208根据读取信号RS和最终逻辑运算结果FR，判断存储 器芯片202是否合格。请参照图3和图4，图3是本专利技术的一实施例说明的 流程图，图4是数据锁存器206根据图3的方法运作的示意图。图3的步骤详述如下步骤300:开始；步骤302 利用图形发生器201，对存储器芯片202内的每一存储单元写入特定逻 辑电位；步骤304 合格判断单元204读取存储单元储存的特定逻辑电位；步骤306 合格判断单元204比较存储单元储存的特定逻辑电位和写入的特定 逻辑电位，以判断存储单元是否合格，并将判断结果储存于存储器芯片202的数据锁存器 206 ；步骤308 数据锁存器206将相对应于存储器芯片202的多个输入输出端中的每 一输入输出端的多个存储单元的判断结果执行一第一逻辑运算，得到多个第一逻辑运算结 果 FLR ；步骤310 将多个第一逻辑运算结果FLR区分成多组第一逻辑运算结果；步骤312 对多组第一逻辑运算结果执行一第二逻辑运算，得到多个第二逻辑运 算结果SLR ；步骤314 对多个第二逻辑运算结果SLR执行一第三逻辑运算，得到存储器芯片 202的一最终逻辑运算结果FR ；步骤316 测试机台208根据读取信号RS和最终逻辑运算结果FR，判断存储器芯 片202是否合格；步骤318:结束。在步骤302中，图形发生器201可利用团块图形、棋盘式图形、列条码图形及/或 行条码图形对存储器芯片202内的每一存储单元写入特定逻辑电位。在步骤306中，合格判 断单元204比较存储单元储存的特定逻辑电位和写入的特定逻辑电位，以判断存储单元是 否合格，并将判断结果储存于存储器芯片202的数据锁存器206，而并不是直接输出存储单 元的判断结果至测试机台208，其中判断结果是逻辑高电位“1”或逻辑低电位“0”。如图3 所示，在步骤308中，数据锁存器206将相对应于存本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种增加芯片老化扫描效率的方法，包括：利用一图形发生器，对一存储器芯片内的每一存储单元写入一特定逻辑电位；读取该存储单元储存的特定逻辑电位；比较该存储单元储存的特定逻辑电位和该特定逻辑电位，判断该存储单元是否合格，并储存有关于该存储单元的判断结果于该存储器芯片的数据锁存器；及根据该数据锁存器内储存的该存储器芯片内的所有存储单元的判断结果，判断该存储器芯片是否合格。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：刘士晖，杨连圣，陈威儒，
申请(专利权)人：钰创科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]