检测字线错误的方法技术

一种检测存储器装置的字线错误的方法。此存储器装置包括一具有连接至字线与位线的晶体管的存储器单元。本方法包括利用一字线驱动器驱动字线到预设电压电平，以致于导通或截止存储器单元内的晶体管；并降低该字线驱动器的驱动能力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种存储器装置，且特别是涉及一种在封装阶段前测试存储 器装置的字线错误的方法。
技术介绍
存储器装置主要部份通常包括一个存储单元阵列以及驱动和控制该存储单元阵列的相关回路。存储单元可如图1A所示，为一基本1T1C结构(一个晶 体管与一个电容)。如图1A所示，晶体管T的栅极连接至一字线WL，漏极连 接至一位线BL,以及源极连接至一电容。当字线被启动以读取时，晶体管T 将导通，且存储在电容C内的数据会经由存储节点SN及晶体管T传送至位线。在某些情况下，如制造过程所产生的粒子或蚀刻残留物将造成字线WL和 位线BL间的短路，即如图1B所示在字线WL和位线BL之间将产生一小阻抗。 字线WL和位线BL不再是隔离状态，且这将造成在读取存储单元时的失灵。 以下将更进一步讨论读取操作以及短路如何影响存储体操作。图2示出了一存储器单元及与其相对应的读出放大器SA的概要架构图， 图中一个单元对应到两条位线bl和^Z。此读出放大器sa可包括交错耦接 (cross-co叩led)的N信道与P信道晶体管。位线BL和瓦之间的微小电压电 平差会藉由读出放大器放大，以读出存储在存储单元内的数据。图3示本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种测试存储器装置的字线错误的方法，该存储器装置包括一存储器单元，其具有一字线、一位线、一晶体管与该字线以及该位线连接，该方法包括：利用一字线驱动器，驱动该字线至第一电压电平，以导通该存储器单元的该晶体管；以及降低该字线驱动器的驱动能力。

【技术特征摘要】
US 2007-3-19 11/688,2401.一种测试存储器装置的字线错误的方法，该存储器装置包括一存储器单元，其具有一字线、一位线、一晶体管与该字线以及该位线连接，该方法包括利用一字线驱动器，驱动该字线至第一电压电平，以导通该存储器单元的该晶体管；以及降低该字线驱动器的驱动能力。2. 如权利要求1所述的用于测试存储器装置的字线错误的方法，其中， 该字线的该第一电压电平为Vpp。3. 如权利要求1所述的用于测试存储器装置的字线错误的方法，其中， 当该字线与该位线短路时，该字线的该电压电平在降低该字线驱动器的驱动 能力之后会受到该位线影响而降低至第二电压电平。4. 如权利要求3所述的用于测试存储器装置的字线错误的方法，其中， 该第二电压电平为Vcc。5. 如权利要求3所述的用于测试存储器装置的字线错误的方法，其中， 存储在该存储器单元的一高电平数据在下一个读取周期中错误地读出为 一低 电平数据，且判定一字线错误。6. 如权利要求1所述的用于测试存储器装置的字线错误的方法，其中， 用于降低该字线驱动器的驱动能力的一预设时序藉由一内部的延迟电路控 制。7. 如权利要求l所述的用于测试存储器装置的字线错误的方法，其中， 该方法在该存储器装置的一封装阶段前执行。8. —种测试...

【专利技术属性】
技术研发人员：池田勇人，
申请(专利权)人：力晶半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[]