通过从等离子体沉积形成膜的装置制造方法及图纸

描述一种等离子体激发装置，其用于从分布式电子回旋共振所形成的等离子体在衬底上沉积膜。该装置包含具有发射微波的末端的微波天线，设置在所述天线末端的区域中而且与其一起限定出在其中可以生成等离子体的电子回旋共振区域的磁体，以及具有膜前体气体或等离子体气体出口的进气单元。设置该出口以引导气体朝向从微波天线来看位于磁体之外的膜沉积区域。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】通过从等离子体沉积形成膜的装置
技术介绍
本专利技术涉及通过从等离子体沉积至加工表面上而形成膜的方法。 更具体地，本专利技术涉及使用微波能量以通过电子回旋共振产生等离子体。特别关注的一个领域是在称为等离子体增强CVD(化学气相沉积) 的工艺中，通过硅烷如Si巳、ShH6或者更高阶低聚物的离解沉积无定 形硅(a-Si:H)的膜。可以用于沉积无定形硅或无定形硅合金的其它 前体气体包括其中硅与一个或多个碳、氧或氮结合、任选地连同氢一 起存在的分子。硅合金的实例为SiOxNy所示类型的结构。此外，含硅 气体可以与其它气体一起使用，例如锗烷、或可以用于沉积其它膜的不含硅的气体。关于无定形硅膜应用的特别关注的一个领域是将太阳 能转化成电功率的装置。这类无定形硅材料还可以用于电子应用中， 例如显示器用的TFT。本文使用的术语"无定形硅"表示氢化的无定 形硅，a-Si:H。为了用于刚才提及的领域中，必须存在一些氢，通常 是3-20°/ ，以钝化作为缺陷的悬空键。其它材料，例如使用锗烷以沉积a-Ge:H。此外认为本专利技术适用于沉积 微晶材料例如liC-Si、 pc-Ge以及适用于沉积DLC (类金刚石碳本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体激发装置，其用于从分布式电子回旋共振所形成的等离子体在衬底上沉积膜，该单元包含具有发射微波的末端的微波天线，设置在所述天线末端的区域中而且与其一起限定出电子回旋共振区域的磁体，在该电子回旋共振区域中能够生成等离子体，以及具有膜前体气体或等离子体气体出口的进气单元，设置该出口以引导气体越过磁体朝向从微波天线来看位于磁体之外的膜沉积区域。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：P罗卡艾卡巴罗卡斯，P布尔金，D戴纳卡，P里波尔，P狄斯坎普，T科尔恩德米尔伦德尔，
申请(专利权)人：陶氏康宁公司，巴黎综合理工大学，
类型：发明
国别省市：US[美国]