p型半导体材料、半导体元件、有机电致发光元件及p型半导体材料的制造方法技术

本发明专利技术的目的在于，提供一种在与空穴注入层之间得到能带匹配，适合在玻璃衬底及聚合物衬底上能形成阳极电极的ｐ型半导体材料及半导体元件，对于ｐ型半导体材料，其特征在于，在包含Ｚｎ和Ｓｅ的化合物中含有１×１０↑［１８］～５×１０↑［２０］ｃｍ↑［－３］的Ａｇ，对于半导体元件，其特征在于，具备衬底、和位于该衬底上且具有上述任一种ｐ型半导体材料的ｐ型电极层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及具有包含Zn和Se的化合物的p型半导体材料、具备该p型 半导体材料的半导体元件及有机电致发光元件、以及p型半导体材料的制造 方法。
技术介绍
对于现有的有机电致发光元件(以下称作有机EL元件)的空穴注入电极 (以下记作p型电极)，从透明性、容易得到等观点看，多使用ITO(铟锡氧 化物)。ITO通过溅射法及蒸镀法等形成于玻璃衬底或聚合物衬底上。作为有 机EL器件的典型的层叠构造，例如可举出ITO/NPBMJq3/Mg/Ag。在此，NPB是N，N,-二 ( 1 -萘基)-N,N， - 二苯1 - l,l，联苯-4,4'-二胺(N，N， - bis ( 1 - naphyl ) - N,N， - dipheny 1 - l,l，biphenyl - 4,4， -diamne)，作为空穴输送层起作用，另外，Alq3是8-羟基喹啉铝(8-hydroxyquinoline aluminum ),作为电子输送层起作用。这样的有机EL元件中， 自各电极注入的电子和空穴通过在空穴输送层即NPB层、和电子输送层即 Alq层的接合界面附近结合而发光。因此，有机EL元件的发光亮度与空穴、 或本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ｐ型半导体材料，其特征在于，在包含Ｚｎ和Ｓｅ的化合物中含有１×１０↑［１８］～５×１０↑［２０］ｃｍ↑［－３］的Ａｇ。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：折田政宽，成岛隆，柳田裕昭，
申请(专利权)人：HOYA株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]