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本发明的目的在于，提供一种在与空穴注入层之间得到能带匹配，适合在玻璃衬底及聚合物衬底上能形成阳极电极的ｐ型半导体材料及半导体元件，对于ｐ型半导体材料，其特征在于，在包含Ｚｎ和Ｓｅ的化合物中含有１×１０↑［１８］～５×１０↑［２０］ｃｍ↑［－...
该专利属于HOYA株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过HOYA株式会社授权不得商用。

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