具有毂的晶片载具制造技术

技术编号:5454930 阅读:209 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种用于转盘CVD反应器的晶片载具(30)包括陶瓷例如碳化硅形成的一体式托板(32),在该托板的上游表面(34)限定了晶片保持特征例如容槽(38);还包括毂(40),其在托板(32)的中央区(44)中以可拆下的方式安装在托板(32)上。毂(40)提供了在反应器芯轴(16)上的紧固连接,而不会在陶瓷托板(32)上施加集中应力。毂(40)可在清洁托板(32)的过程中拆下。晶片载具(30)还优选包括在托板(32)的中央区(44)设在托板(32)的上游表面(34)上的气体流动促进元件(348,448)。气体流动促进元件(348,448)有助于重新引导入射气体沿着上游表面(34)流动并且避开在中央区(44)出现的流动不连续性。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本申请是2007年12月12日提交的名称为“具有毂的晶片载具”的美国申请 No. 12/001,761的部分继续申请,该申请的公开内容以引用方式并入本申请。
技术介绍
本专利技术涉及化学气相沉积设备。某些材料例如化合物半导体是这样形成的,即通常为盘状晶片的工件的表面在升 高的温度下被暴露于气体,以使得气体发生反应并且在工件的表面上沉积期望的材料。例 如,多层III-V族半导体例如氮化镓、氮化铟、砷化镓、磷化铟和锑化镓和类似物可被沉积 在基底上以形成电子器件例如二极管和晶体管和光电子器件例如发光二极管和半导体激 光器。II-VI族半导体可以通过类似的过程沉积。加工过程中沉积的各层的性能微小变化 也会显著影响成品器件的性能。因此,在现有技术中,很大的努力集中于反应器和加工方法 的研制,以图在反应器中保持的大型晶片表面上或在多个较小晶片的表面上实现均勻的沉 积。本行业中广泛采用的一种形式的反应器是转盘反应器。这样的反应器典型包括盘 状晶片载具(wafer carrier) 0晶片载具具有被布置成用于保持一或多个待处理晶片的容 槽或其它特征。载具,带着其上的晶片,被置入反应室,并被保持,以本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于CVD反应器的晶片载具,包括:(a)非金属耐火材料形成的托板,具有朝向彼此相反方向的上游表面和下游表面,所述托板具有中央区和外围区,所述托板在外围区中具有晶片保持特征,所述晶片保持特征被配置成保持多个晶片,以使所述晶片暴露在托板的上游表面;以及(b)与托板分开形成的毂,所述毂在所述中央区附连于托板上,所述毂具有芯轴连接部,所述芯轴连接部被配置成接合CVD反应器的芯轴,以便将所述托板与芯轴机械连接。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:V博古斯拉夫斯基AI居拉瑞K莫伊EA阿穆尔
申请(专利权)人:威科仪器有限公司
类型:发明
国别省市:US[美国]

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