形成纳米粒子的方法技术

本发明专利技术提供一种制备Ⅳ族元素的纳米粒子的方法，特别是制备Ｓｉ、Ｇｅ和Ｓｎ以及这些元素的二元或三元合金的纳米粒子的方法。该方法包括在高温、惰性气氛和大气压下，利用分解促进剂，对一种或多种ＩＶ族金属前体进行溶液相分解。向反应混合物中加入表面键合剂，以形成围绕纳米粒子并防止聚集的有机层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种制备第IV族元素的纳米粒子的方法。本专利技术尤其涉及Si、 Ge和Sn及这些元素的二元和三元合金的纳米粒子的制备。
技术介绍
本专利技术涉及量子点，其也被称为纳米粒子或纳米晶体。术语"纳米粒子"通常指的是粒径为约1-约lOOnm的粒子。纳米粒子的尺寸介于单个原子和宏观块状固体之间。直径小于或类似于材料的波尔激发半径的纳米粒子可以展示出量子尺寸效应。这一效应可以改变材料的光学、电学、催化、光电子、热和磁的性能。很多纳米粒子所展示出的光致发光效应都比具有同样组成的宏观晶体所观测到的光致发光效应要显著得多。此外，这些量子尺寸效应可以随着纳米粒子的尺寸和表面化学性质的改变而改变。例如，第II-VI族半导体(例如CdSe)和第III-V半导体(例如InP)的纳米粒子会出现依赖于尺寸的离散的光学和电子跃迁。通过例如金属有机化学蒸汽沉积(MOCVD)的方法对第IV族纳米粒子进行气相合成是众所周知的。但是，该方法收率很低并且成本很高。用于合成第II- VI和IH-V族半导体的溶液相合成技术还不能方便应用在第IV族的材料中，这主要是由于为了高收率地得到高度结晶的纳米粒子，需要很高的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制备一种或多种第Ⅳ族金属或其合金的纳米粒子的方法，其包括以下步骤：在惰性气氛、大气压和加热下，使一种或多种第Ⅳ族金属前体与分解促进剂在包含高温表面活性剂的液态反应介质中反应；加入表面键合剂；和回收纳米粒子。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：RD蒂利，CW本比，
申请(专利权)人：维多利亚联结有限公司，
类型：发明
国别省市：NZ[新西兰]