用于衬底的两侧溅射蚀刻的系统和方法技术方案

本发明专利技术公开一种用于蚀刻构图介质磁盘的系统。利用可移动电极执行溅射蚀刻。将电极移动到靠近衬底或者稍微接触衬底以将ＲＦ能量耦合到所述磁盘。将被蚀刻的材料可以是例如Ｃｏ／Ｐｔ／Ｃｒ的金属或者类似金属。将衬底垂直保持在载体中并且按顺序蚀刻衬底的两侧。即，在一个腔中蚀刻一侧然后在下一个腔中蚀刻第二侧。在两个腔之间设置隔离阀并且磁盘载体在腔之间移动所述磁盘。所述载体可以是使用例如磁化轮和线性电机的线性驱动载体。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及衬底微制造领域，并且尤其涉及例如用于硬盘驱动的硬盘的衬底的构 图。
技术介绍
衬底的微制造是在例如半导体、平板显示器、发光二极管(LED)、用于硬盘驱动 (HDD)的硬盘等的制造中采用的公知技术。已经知道，半导体、平板显示器以及LED的制造 涉及用于对衬底进行构图的各种步骤。另一方面，硬盘的传统制造，通常被称为纵向记录技 术，不涉及构图。类似地，用于垂直记录技术的磁盘制造不涉及构图。沉积更加均勻的层并 且通常通过由未构图的磁层内的磁粒(grain)的自然发生来定义存储器单元。已经证明，为了保持与其它形式存储器的竞争，在面积比特密度和成本方面，非构 图磁盘将不能满足市场需求。因此，已经提出应该对下一代磁盘进行构图。已经展望，尽 管目前还不确定哪一种光刻技术会被商业化，并且还没有商业系统可用于构图介质的商业 制造，但是构图工艺可以利用光刻。光刻的竞争者中有干涉光刻、近场刻蚀和纳米压印光刻 (NIL)。无论使用何种光刻技术，一旦曝光和显影了光致抗蚀剂，需要蚀刻磁盘。然而，目前 还没有提出用于在商业可行环境下蚀刻磁盘的任何技术。可以确定，蚀刻技术对于半导体、平板显示器、LED本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于蚀刻衬底的蚀刻腔，包括：主腔体；耦合到所述腔体的工艺气体输送组件；支撑衬底的衬底定位机构；等离子体功率施加器；耦合在所述腔体一侧的可移动电极组件，所述可移动电极组件可用于在所述衬底的传送期间位于远端位置并且在蚀刻处理期间位于近端位置。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2007-12-6 60/992,972;US 2008-5-9 61/052,131一种用于蚀刻衬底的蚀刻腔，包括主腔体；耦合到所述腔体的工艺气体输送组件；支撑衬底的衬底定位机构；等离子体功率施加器；耦合在所述腔体一侧的可移动电极组件，所述可移动电极组件可用于在所述衬底的传送期间位于远端位置并且在蚀刻处理期间位于近端位置。2.如权利要求1所述的蚀刻腔，其中，所述等离子体功率施加器包括耦合到所述可移 动电极的RF功率供应器。3.如权利要求1所述的蚀刻腔，其中，所述等离子体功率施加器包括 设置在所述腔体一侧上的RF透明窗；设置在所述窗周围的天线；以及 耦合到所述天线的RF功率供应器。4.如权利要求1所述的蚀刻腔，其中，所述等离子体功率施加器包括微波或者远程等 离子体源中的一个。5.如权利要求1所述的蚀刻腔，还包括被设置成增强所述等离子体或者使所述等离子 体成形的磁体。6.如权利要求5所述的蚀刻腔，其中，所述磁体嵌入在所述电极组件内。7.如权利要求5所述的蚀刻腔，其中，所述磁体设置在所述腔体的外部周围。8.如权利要求1所述的蚀刻腔，其中，所述等离子体功率施加器包括 设置在所述腔体一侧上的RF透明窗；设置在所述窗周围的天线； 耦合到所述天线的第一 RF功率供应器；以及 耦合到所述电极的第二 RF功率供应器。9.如权利要求8所述的蚀刻腔，其中，将所述第二RF功率供应器的RF频率设置成等于 或者小于所述第一 RF功率供应器的RF频率。10.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：MS巴尔内斯，T布卢克，
申请(专利权)人：因特瓦克公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]