半导体密封用环氧树脂组合物及半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术的半导体密封用环氧树脂组合物包含环氧树脂、固化剂、无机填充材料和ｐＨ缓冲剂，其中，所述无机填充材料为选自硅酸盐（例如，滑石、煅烧粘土、未煅烧粘土、云母、玻璃等）、氧化物（例如，氧化钛、氧化铝、二氧化硅、熔融二氧化硅等）以及氢氧化物（例如，氢氧化铝、氢氧化镁、氢氧化钙等）中的一种以上无机填充材料，所述ｐＨ缓冲剂的ｐＨ缓冲区为ｐＨ４～８。此外，本发明专利技术的半导体装置是使用上述半导体密封用环氧树脂组合物的固化物密封半导体元件而成。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种半导体密封用环氧树脂组合物及半导体装置。
技术介绍
现有技术中，半导体装置中搭载的半导体元件是由环氧树脂组合物密封 的，其中，所述环氧树脂组合物是通过将固化剂(如酚醛树脂)和无机填充 材料(如熔融二氧化硅或结晶二氧化硅)配合在具有优良的耐热性和耐湿可 靠性的环氧树脂中来制备。近年来，伴随着集成电路集成水平的提高，半导体元件向大型化发展，且表面安装型半导体装置，例如TSOP、 TQFP、 BGA等，得到了广泛使用。 因此，对焊锡回流时的热应力比以往更加严格。在表面安装半导体装置中， 由于安装时的热应力容易产生半导体装置的裂纹，且在半导体元件或其他结 构部件与环氧树脂固化物之间的界面容易产生剥离的问题。因此，人们强烈 要求开发具有优良耐热性的环氧树脂组合物。进而，从近年来的环境问题出发，希望能够降低半导体装置安装中使用 的焊锡所包含的铅含量，与此相伴，焊锡回流处理的温度变高，要求必须具 有更高的耐焊锡回流性。为此，采用与以往在这些表面安装型半导体装置的 环氧树脂组合物中使用的邻甲酚酚醛清漆型环氧树脂、苯酚酚醛清漆型树脂 类相比具有更优良的低应力性、低吸湿性的树脂类。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体密封用环氧树脂组合物，其特征在于，包含：　环氧树脂；　固化剂；　选自滑石、煅烧粘土等的硅酸盐，二氧化硅、熔融二氧化硅等的氧化物以及氢氧化铝、氢氧化镁等的氢氧化物中的一种以上的无机填充材料；　ｐＨ缓冲区为ｐＨ ４～８的ｐＨ缓冲剂。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2006-10-6 274564/20061. 一种半导体密封用环氧树脂组合物，其特征在于，包含环氧树脂；固化剂；选自滑石、煅烧粘土等的硅酸盐，二氧化硅、熔融二氧化硅等的氧化物以及氢氧化铝、氢氧化镁等的氢氧化物中的一种以上的无机填充材料；pH缓冲区为pH4～8的pH缓冲剂。2. 如权利要求1所述的半导体密封用环氧树脂组合物，其中，所述pH缓冲 剂含有水滑石。3. 如权利要求2所述的半导体密封用环氧树脂组合物，其中，所述水滑石 含有半煅烧水滑石。4. 如权利要求2所述的半导体密封用环氧树脂组合物，其中，将通过热重 分析法测定的250'C下的减重率作为A重量n/。、将20(TC下的减重率作为B重量M 时，所述水滑石满足关系式A-B《5重量％。5. 如权利要求4所述的半导体密封用环氧树脂组合物，其中，将通过热重 分析法测定的45(TC下的减重率作...

【专利技术属性】
技术研发人员：伊藤慎吾，
申请(专利权)人：住友电木株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]