光或放射线检测器的制造方法及光或放射线检测器技术

本发明专利技术提供一种光或放射线检测器的制造方法及光或放射线检测器， 在形成半导体时，在模仿基板上通过蒸镀形成了规定厚度的半导体后，从 该模仿基板替换成支承基板即石墨基板，并在该石墨基板上通过蒸镀继续 形成半导体。在模仿基板上通过蒸镀形成规定厚度的半导体时是初期状 态，因此，原本应形成的不良膜则形成于模仿基板。之后，在所替换的石 墨基板G上形成非初期状态的半导体，因此，能够实现具备比现有的更高 品质的半导体的检测器。另外，这样制造的半导体至少能够沿其厚度方向 连续地形成。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于医疗领域、工业领域、还有原子能领域等的光或放射 线检测器的制造方法及光或放射线检测器。
技术介绍
光或放射线检测器具备通过光或放射线的入射而生成电荷的半导体和用于层叠形成该半导体而进行支承的支承基板。放射线(例如x线)检测器有间接转换型的检测器和直接转换型的检测器，其中，上述间接转换型的检测器，通过放射线(例如x线)的入射暂时生成光，由该光生成电荷，由此，从放射线间接地转换成龟荷从而检测放射线；上 述直接转换型的检测器，通过放射线的入射而生成电荷，由此，从放 射线直接地转换成电荷从而检测放射线。在直接转换型的检测器中， 生成电荷的半导体是放射线感应型的半导体。作为该放射线感应型的半导体，使用或研究了通过物理蒸镀法 (Physical Vapor Deposition:PVD)形成的CdTe， ZnTe， Hgl2, Pbl2， PbO， Bil3， T旧r， Se， Si， GaAs， InP等的膜。例如，作为CdTe那样的高感度 材料的成膜方法，公知的有溅射，CVD'升华法，化学堆积法等，但是， 在这些方法中都可得到多结晶膜。由于对于多结晶膜的光或放射线的检测 特性很大依赖于膜的结晶形态，所以也很大依赖于膜的形成条件。但是，在物理蒸镀法中，存在被称为接近升华法的方法。该接 近升华法是使作为蒸镀源的源极和表面形成半导体的对象物即支承基板 接近，在该支承基板的表面形成基于源极的升华物的半导体的方法。在该 接近升华法中，源极处于接近的状态，因此，能够比较容易地形成大面积 的半导体。但是，在利用以这些方法为代表性的物理蒸镀法形成的半导体膜中， 在初期从源极的表面层形成于基板界面附近的膜的结晶性恶劣。尤其是，经过实验确认，在利用接近升华法形成的CdZnTe膜中，在初期从源极的表面层形成于基板的膜结晶性恶劣，成为使检测特性劣化的原因。于是，存在一种方法为，在蒸镀源即源极和基板的成膜面之间设置遮 蔽的机构，在切断初期蒸镀形成的膜后，在基板的表面形成半导体膜(例 如参照非专利文献l)。根据该方法，在初期状态，在源极中混杂杂质，因 此，通过在该初期进行遮蔽，从而切断在初期将要蒸镀形成的不良膜。因 此，在此之后，通过解除遮蔽，解除后形成的半导体膜成为高品质的半导 体膜，从而能够提高检测特性。非专利文献1:中井康雄著薄膜的制作 评价和其应用技术手册，乂 、乂7亍厶，p.250 通过这种遮蔽方法，能够实现具备高品质的半导体的光或放射线检测 器，但是，在上述方法以外的方法中，也希望能够实现具备高品质的半导 体的光或放射线检测器。
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述事情而开发的，其目的在于，提供一种能够实现具 备高品质的半导体的检测器的光或放射线检测器的制造方法及光或放射 线检测器。本专利技术为实现上述目的，采用如下构成。艮P，本专利技术提供一种光或放射线检测器的制造方法，其是制造光或放 射线检测器的制造方法，该光或放射线检测器具备通过光或放射线的入射 而生成电荷的半导体和为了层叠形成该半导体而将其支承的支承基板，并 且半导体至少沿其厚度方向连续地形成，其特征在于，在形成所述半导体 时，在模仿基板上通过蒸镀形成了规定厚度的半导体后，从该模仿基板替 换成所述支承基板，并在该支承基板上通过蒸镀继续形成半导体。根据本专利技术的光或放射线检测器，在形成半导体时，在模仿基板上通 过蒸镀形成规定了规定厚度的半导体后，从该模仿基板替换成支承基板， 并在该支承基板上通过蒸镀继续形成半导体。在模仿基板上通过蒸镀形成 规定厚度的半导体时是初期状态，因此，原本应形成的不良膜则形成于模 仿基板上。之后，在所替换的支承基板上形成不是初期状态的半导体，因此，能够实现具备比现有的更高品质的半导体的检测器。另外，这样制造 的半导体至少在其厚度方向上能够连续地形成。在这种蒸镀的方法中，也存在将蒸镀源和表面形成半导体的对象物接 近而在该对象物的表面形成基于蒸镀源的升华物的半导体的接近升华法。 在适用于接近升华法的情况下，对象物为支承基板，在该对象物即支承基 板上形成半导体。在该接近升华法中，蒸镀源处于接近的状态，因此，能 够比较容易地形成大面积的半导体。上述的光或放射线检测器的制造方法的专利技术之一例是，模仿基板和所 替换的支承基板是由同样的物质而形成。另外，另一例是，模仿基板和与 所替换的支承基板是以同样的尺寸而形成。上述的光或放射线检测器的制造方法的专利技术之一例是，将施加偏置电 压的通用电极作为支承基板使用。上述的光或放射线检测器的制造方法的专利技术之一例是，所述支承基板 和所述模仿基板预先收容于一个腔室内，并且，当在模仿基板上形成半导 体时，使支承基板退避到腔室内不影响半导体的形成的退避部位。上述的光或放射线检测器的制造方法的专利技术之一例是，提高支承基板 的温度，而在与厚度方向正交的横方向上也连续地形成半导体。另外之一 例是，降低支承基板的温度，而在与厚度方向正交的横方向上通过晶界而 断续地形成半导体。另外，该专利技术提供一种光或放射线检测器，其通过如下所述的方式而 制造在模仿基板上通过蒸镀形成了规定厚度的半导体后，由该模仿基板 替换成支承基板，并在该支承基板上通过蒸镀继续形成半导体，其特征在 于，其具备通过光或放射线的入射而生成电荷的所述半导体和为了层叠形 成该半导体而将其支承的支承基板，并且半导体至少沿其厚度方向连续地 形成。根据本专利技术的光或放射线检测器，在模仿基板上通过蒸镀形成了规定 厚度的半导体后，从该模仿基板替换成支承基板，并在该支承基板上通过 蒸镀继续形成半导体，由此，能够实现具备比现有的更高品质的半导体的 检测器。另外，这样制造的半导体至少能够沿其厚度方向连续地形成。由 于光或放射线检测器具备所需半导体，从而能够提高检测特性。上述的光或放射线检测器的专利技术之一例是，将施加偏置电压的通用电 极作为支承基板使用。上述的光或放射线检测器的专利技术之一例是，在与厚度方向正交的横方 向上也连续地形成半导体，另一例是，在与厚度方向正交的横方向上通过 晶界断续地形成半导体。上述的这些光或放射线检测器的专利技术，其具备有源矩阵基板，该有源 矩阵基板具有积蓄由所述半导体生成的电荷的电荷积蓄电容元件、通过开 关读取所积蓄的电荷的开关元件、与开关元件分别连接的电极配线，其中， 以二维状矩阵排列来设定电极配线、开关元件及电荷积蓄电容元件。通过 根据这些二维状矩阵排列分配像素，从而能够能够将用光或放射线检测到 的电荷信息替换作为像素值。上述的这些光或放射线检测器的专利技术之一例是，半导体和有源矩阵基 板经由突起电极(^乂7°電極)而贴合在一起。上述的这些光或放射线检测器的专利技术之一例是，在支承基板和半导体 之间及半导体和有源矩阵基板之间中的至少任一方形成有阻止向半导体 注入电荷的阻止层。上述的这些光或放射线检测器的专利技术之一例是，在上述有源矩阵基板 上依次层叠阻止层、半导体、阻止层、支承基板。上述的这些光或放射线检测器的专利技术之一例是，以一维状矩阵排列来 设定电极配线、开关元件及电荷积蓄电容元件。上述的这些光或放射线检测器的专利技术中，釆用CdTe、 ZnTe、 Hgl2、 Pbl2、 PbO、 Bil3、 T旧r、 Se、 Si、 GaAs、 InP或含有这些物质的混合的结 晶物来形成半导体。作本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光或放射线检测器的制造方法，其是制造光或放射线检测器的制造方法，该光或放射线检测器具备通过光或放射线的入射而生成电荷的半导体和为了层叠形成该半导体而将其支承的支承基板，并且至少沿其厚度方向连续地形成半导体，　所述光或放射线检测器的制造方法的特征在于，　在形成所述半导体时，在模仿基板上通过蒸镀形成了规定厚度的半导体后，从该模仿基板替换成所述支承基板，并在该支承基板上通过蒸镀继续形成半导体。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2006.9.14 JP 249736/20061、一种光或放射线检测器的制造方法，其是制造光或放射线检测器的制造方法，该光或放射线检测器具备通过光或放射线的入射而生成电荷的半导体和为了层叠形成该半导体而将其支承的支承基板，并且至少沿其厚度方向连续地形成半导体，所述光或放射线检测器的制造方法的特征在于，在形成所述半导体时，在模仿基板上通过蒸镀形成了规定厚度的半导体后，从该模仿基板替换成所述支承基板，并在该支承基板上通过蒸镀继续形成半导体。2、 如权利要求1所述的光或放射线检测器的制造方法，其特征在于，通过使所述蒸镀源和表面形成所述半导体的对象物接近而在该对象 物的表面形成基于蒸镀源的升华物的半导体的接近升华法，来形成半导 体。3、 如权利要求1或2所述的光或放射线检测器的制造方法，其特征 在于，所述模仿基板由与所替换的支承基板相同的物质形成。4、 如权利要求1或2所述的光或放射线检测器的制造方法，其特征 在于，所述模仿基板以与所替换的支承基板相同的尺寸而形成。5、 如权利要求1 4中任一项所述的光或放射线检测器的制造方法， 其特征在于，所述支承基板是施加偏置电压的通用电极。6、 如权利要求1 5中任一项所述的光或放射线检测器的制造方法， 其特征在于，将所述支承基板和所述模仿基板预先收容于一个腔室内，并且，当在 所述模仿基板上形成所述半导体时，使所述支承基板退避到所述腔室内的 退避部位。7、 如权利要求1 6中任一项所述的光或放射线检测器的制造方法， 其特征在于，在与厚度方向正交的横方向上也连续地形成所述半导体。8、 如权利要求1 6中任一项所述的光或放射线检测器的制造方法， 其特征在于，在与厚度方向正交的横方向上通过晶界断续地形成所述半导体。9、 一种光或放射线检测器，其是通过如下所述的方式而制得在模 仿基板上通过蒸镀形成了规定厚度的半导体后，从该模仿基板替换成支...

【专利技术属性】
技术研发人员：德田敏，冈本保，
申请(专利权)人：株式会社岛津制作所，独立行政法人国立高等专门学校机构，
类型：发明
国别省市：JP