含有液体添加剂的形成抗蚀剂下层膜的组合物制造技术

本发明专利技术的课题是提供一种光刻用形成抗蚀剂下层膜的组合物，该组合物在半导体装置制造的光刻工艺中使用。作为本发明专利技术的解决问题的方法是，提供一种在半导体制造装置的光刻工艺中使用的形成抗蚀剂下层膜的组合物，该组合物含有树脂（Ａ）、液体添加剂（Ｂ）和溶剂（Ｃ）。该液体添加剂（Ｂ）是脂肪族聚醚化合物。该液体添加剂（Ｂ）是聚醚多元醇、聚缩水甘油醚或它们的组合。本发明专利技术还提供一种半导体装置的制造方法，包括下述工序：将形成抗蚀剂下层膜的组合物涂布在半导体基板上，然后进行烘烤，从而形成抗蚀剂下层膜的工序；在该下层膜上形成光致抗蚀剂层的工序；将被覆有抗蚀剂下层膜和光致抗蚀剂层的半导体基板进行曝光的工序；以及，曝光之后进行显影的工序。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及新型光刻用形成抗蚀剂下层膜的组合物、由该组合物形成 的下层膜、以及4吏用该下层膜的光致抗蚀剂图案的形成方法。另外，本发 明涉及可以在半导体装置制造的光刻工艺中，作为减轻对涂布在半导体基板上的光致抗蚀剂层的曝光照射光从J4l反射的下层防反射膜、用于将有 凹凸的半导体14l进行平坦化的平坦化膜、以及防止在加热烘烤时等由半 导体a生成的物质造成光致抗蚀剂层污染的膜等使用的光刻用抗蚀剂下 层膜，并涉及用于形成该下层膜的形成抗蚀剂下层膜的组合物和该下层膜 的形成方法。另外，本专利技术涉及可以用于填埋半导体基板上所形成的孔的 光刻用形成抗蚀剂下层膜的组合物。
技术介绍
一直以来在半导体器件的制造中，通过使用了光致抗蚀剂的光刻来进行微细加工。所述孩i细加工是下述的加工方法，即通过在硅晶片等的半 导体基板上形成光致抗蚀剂薄膜，介由其上描绘了半导体器件的图案的掩 模图案来照射紫外线等的活性光线，然后进行显影，以得到的光致抗蚀剂 图案作为保护膜将基板进行蚀刻处理，从而在基板表面形成与上述图案对 应的微细凹凸。但是，近年来，半导体器件的高集成化的发展，所使用的 活性光线也有由KrF准分子激本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成抗蚀剂下层膜的组合物，含有树脂（Ａ）、液体添加剂（Ｂ）和溶剂（Ｃ），且是在制造半导体装置的光刻工艺中使用的。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2006-8-28 230853/20061. 一种形成抗蚀剂下层膜的组合物，含有树脂(A)、液体添加剂(B)和溶剂(C)，且是在制造半导体装置的光刻工艺中使用的。2. 根据权利要求l所述的形成抗蚀剂下层膜的组合物，所述液体添加 剂(B);O旨肪族聚醚化合物。3. 根据权利要求l所述的形成抗蚀剂下层膜的组合物，所述液体添加 剂(B)是聚醚多元醇、聚缩水甘油醚或它们的组合。4. 根据权利要求3所述的形成抗蚀剂下层膜的组合物，所述聚醚多元 醇是下式(l)所示的化合物，上式中，n表示l 300的整数，m表示2 6的整数，R，分别表示氢原子、 或碳原子数1 ~ 10的烷基，R2是碳原子数1 ~ 10的烷基、碳原子数2 ~ 6 的链烯基、碳原子数2 ~ 10的炔基、碳原子数2 ~ 10的烷基羰基、碳原子 数2 ~ 10的烷基羰基tt、碳原子数2 ~ 10的烷氧基烷基、碳...

【专利技术属性】
技术研发人员：堀口有亮，新城彻也，竹井敏，
申请(专利权)人：日产化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]