等离子体显示面板用电介质材料制造技术

本发明专利技术提供一种等离子体显示面板用电介质材料、电介质层的形成方法、使用该电介质材料形成的电介质层以及具有该电介质层的等离子体显示面板用玻璃板。该等离子体显示面板用电介质材料，在形成有Ａｇ电极的玻璃基板上，即使使用ＺｎＯ－Ｂ２Ｏ３－ＳｉＯ２－Ｂｉ２Ｏ３－Ｒ２Ｏ非铅玻璃粉末，电介质层也难以黄变，透明性优异，并且具有适合于玻璃基板的热膨胀系数，能够以６００℃以下的温度烧制。本发明专利技术的等离子体显示面板用电介质材料的特征在于，由ＺｎＯ－Ｂ２Ｏ３－ＳｉＯ２－Ｂｉ２Ｏ３－Ｒ２Ｏ（Ｒ２Ｏ表示Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、Ｋ２Ｏ的碱金属氧化物）类玻璃粉末构成，该玻璃粉末由实质上不含ＰｂＯ，以质量百分率计含有ＺｎＯ＋Ｂ２Ｏ３＋ＳｉＯ２４５～８５％、Ｂｉ２Ｏ３?１０～２５％、Ｒ２Ｏ?０．１～１０％、ＣｏＯ?０．０１～０．３０％，以质量比计Ｒ２Ｏ／Ｂｉ２Ｏ３为０．０５～０．８０的玻璃构成。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及等离子体显示面板用电介质材料、电介质层的形成方法、使用该电介 质材料形成的电介质层以及具有该电介质层的等离子体显示面板用玻璃板。
技术介绍
等离子体显示器是自发光型平板显示器，具备轻、薄、视角宽等优异的特性，且可 实现大画面化，因此，市场急速扩大。等离子体显示面板具有前面玻璃基板和背面玻璃基板以一定间隔对置、其周围以 密封玻璃气密密封而成的结构。而且，在面板内部填充有Ne、Xe等稀有气体。在用于上述用途的前面玻璃基板上形成有等离子体放电用扫描电极，在此之上， 形成有用于保护扫描电极的、30 40 μ m左右的前面玻璃基板用电介质层(透明电介质 层)。另外，在背面玻璃基板上形成有用于规定等离子体放电的位置的地址电极，在此 之上，还形成有用于保护地址电极的10 20 μ m左右的背面玻璃基板用电介质层(地址保 护电介质层)。并且，在地址保护电介质层上形成有用于间隔放电单元的隔壁，另外，在单元 内部，涂布有红(R)、绿(G)、蓝(B)的荧光体，构成为引发等离子体放电产生紫外线，由此荧 光体受激而发光的结构。一般，等离子体显示面板的前面玻璃基板和背面玻璃基板使用钠钙玻璃或高形变 温度玻璃，扫描电极和地址电极则广泛采用能够由网板印刷法成膜的Ag。在形成有电极的 玻璃基板上形成电介质层时，为了防止玻璃基板的变形，并抑制由于与电极的反应而导致 的特性劣化，采用在500 600°C左右的温度范围内烧制的方法。因此，人们需要适合玻璃 基板的热膨胀系数、可在500 600°C下烧制的具有高耐电压的电介质材料。另外，由于透明电介质层除了上述特性以外，还要求具有高透明性，因此，用于形 成透明电介质层的电介质材料还需要烧制时易于排气泡的特性。作为满足上述要求特性的物质，使用着专利文献1中所述的含有PbO-B2O3-SiO2类 的铅玻璃粉末的电介质材料，但由于近年来环境保护的提高和环境负荷物质的使用削减的 趋势，期望电介质材料也使用非铅玻璃粉末。因此，如专利文献2和3所述，使用含有相对 容易实现低熔点化的ZnO-B2O3-SiO2-Bi2O3-R2O(R2C)表示Li20、Na20、K20的碱金属氧化物)类 非铅玻璃粉末的电介质材料。专利文献1 日本特开平11-60272号公报专利文献2 日本特开2001-139345号公报专利文献3 日本特开2003-128430号公报
技术实现思路
但是，在形成有Ag电极的玻璃基板上，使用专利文献2和3所示的由 ZnO-B2O3-SiO2-Bi2O3-R2O类非铅玻璃构成的电介质材料形成电介质层时，在烧制中，电介质与Ag电极反应，作为电极的Ag°熔解在玻璃中，形成Ag+，价态再变化成Ag°，形成胶体，因此 Ag电极周边的电介质层着色成黄色(黄变)，出现画像难以看清的问题。特别是近年等离子体显示面板向高精细化发展，与现有的面板相比，由于电极的 间隔变短、Ag电极高密度化，越发容易引起黄变。本专利技术的目的在于提供一种等离子体显示面板用电介质材料、电介质层的形成 方法、使用该电介质材料形成的电介质层以及具有该电介质层的等离子体显示面板用玻 璃板。该等离子体显示面板用电介质材料，在形成有Ag电极的玻璃基板上，即使使用 ZnO-B2O3-SiO2-Bi2O3-R2O类非铅玻璃粉末，电介质层也难以黄变，透明性优异，并且具有适 合于玻璃基板的热膨胀系数，能够以600°C以下的温度烧制。本专利技术的专利技术人进行了各种实验，结果发现，在形成有Ag电极的玻璃基板上，即 使采用由ZnO-B2O3-SiO2-Bi2O3-R2O类非铅玻璃粉末构成的电介质材料形成电介质层，通过 使玻璃中的R2O含量、Bi2O3含量和R2CVBi2O3的值适当化，并且含有CoO作为必需成分，能够 抑制由于Ag导致的黄变。S卩，本专利技术的等离子体显示面板用电介质材料的特征在于由 ZnO-B2O3-SiO2-Bi2O3-R2O类玻璃粉末构成，该玻璃粉末由实质上不含PbO，以质量百分率计 含有 Zn0+B203+Si02 45 85%、Bi2O3 10 25%、R2O 0. 1 10%、CoO 0. 01 0. 30%，以 质量比计R2CVBi2O3为0. 05 0. 80的玻璃构成。并且，本专利技术的等离子体显示面板用电介质层的形成方法的特征在于，在形成有 电极的玻璃基板上形成上述电介质材料，以500 600°C进行烧制。另外，本专利技术的等离子体显示面板用电介质层的特征在于，使用上述电介质材料 形成。另外，本专利技术的等离子体显示面板用玻璃板的特征在于，具有上述电介质层。专利技术效果本专利技术的等离子体显示面板用电介质材料能够得到可以在600°C以下的温度下烧 制、并且在烧制时不易因Ag引发黄变、透明性优异的电介质层以及玻璃板。并且，具有适合 于玻璃基板的热膨胀系数。因此，适合作为等离子体显示面板用电介质材料、使用其形成的 电介质层以及具有该电介质层的等离子体显示面板用玻璃板。具体实施例方式本专利技术的等离子体显示面板用电介质材料，即使不含有PbO，也能够相 对容易地进行玻璃的低熔点化，并且将容易得到适合于玻璃基板的热膨胀系数的 ZnO-B2O3-SiO2-Bi2O3-R2O类非铅玻璃作为基本组成。该类的玻璃，在电极使用Ag的情况下， 烧制时该电介质层与Ag反应，导致Ag电极周边的电介质层容易黄变。但是，本专利技术在该类的玻璃中，将调整电介质层的色调 、使黄变不易显眼的成分 CoO作为必需成分，含有0. 01 0. 30质量％。因此，能够抑制电介质层的黄变，能够得到透 明性优异的电介质层。并且，如果CoO的含量少于0. 01%，则调整电介质层色调的效果减弱，难以得到抑 制黄变的效果。另一方面，如果大于0.30%，则CoO引起的电介质层的着色过强，难以得到 透射率高的电介质层。CoO的优选范围为0. 03 0. 20%。另外，本专利技术的电介质材料中，为了得到能够抑制电介质层的黄变、并且能够以 600°C以下的温度烧制、且具有适合于玻璃基板的热膨胀系数的电介质层，必须将构成电介 质材料的玻璃中的Bi2O3限制在10质量％以上且小于25质量％、含有R2O 0. 1 10质量％、 将R2CVBi2O3的值限制在0. 05 0. 80 (质量比)。如果Bi2O3的含量少于10%，则存在玻璃的软化点上升的倾向，难以以600°C以下 的温度进行烧制。另外，为了抑制玻璃的软化点的上升，必须大量含有容易发生Ag导致的 电介质层黄变的成分R2O,难以得到由于含有CoO而抑制黄变的效果。另一方面，如果Bi2O3 的含量多于25%，则成本上升。并且，存在热膨胀系数大于玻璃基板的热膨胀系数的倾向， 在玻璃基板上形成电介质层时，容易在玻璃基板上残留允许量以上的变形，面板的强度容 易降低。Bi2O3的优选范围为16 25%。如果R2O的含量少于0. 1%，则存在玻璃的软化点上升的倾向，难以以600°C以下 的温度进行烧制。另外，为了抑制玻璃的软化点的上升，必须大量含有高价的原料Bi2O3，成 本显著上升。另一方面，如果R2O的含量多于10%，则难以得到由于含有CoO而抑制黄变的 效果。另外，存在热膨胀系数大于玻璃基板的热膨胀系数的倾向，在玻璃基板上形成电介质 层时，容易在玻璃基本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体显示面板用电介质材料，其特征在于：由ＺｎＯ－Ｂ↓［２］Ｏ↓［３］－ＳｉＯ↓［２］－Ｂｉ↓［２］Ｏ↓［３］－Ｒ↓［２］Ｏ类玻璃粉末构成，该玻璃粉末由实质上不含ＰｂＯ，以质量百分率计含有ＺｎＯ＋Ｂ↓［２］Ｏ↓［３］＋ＳｉＯ↓［２］４５～８５％、Ｂｉ↓［２］Ｏ↓［３］１０～２５％、Ｒ↓［２］Ｏ０．１～１０％、ＣｏＯ０．０１～０．３０％，以质量比计Ｒ↓［２］Ｏ／Ｂｉ↓［２］Ｏ↓［３］为０．０５～０．８０的玻璃构成，其中，Ｒ↓［２］Ｏ表示Ｌｉ↓［２］Ｏ、Ｎａ↓［２］Ｏ、Ｋ↓［２］Ｏ的碱金属氧化物。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：近藤久美子，大岛洋，
申请(专利权)人：日本电气硝子株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]