本发明专利技术涉及具有通式（１）表示的部分结构的化合物。（通式（１）中，Ｒ１各自独立地表示氢原子或烃基，Ｒ２表示烃基，Ｒｆ表示氟原子或全氟烷基，Ｌ表示０～４的整数，ｎ表示０～１０的整数，ｍ表示１～４的整数。）
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及酸发生剂和放射线敏感性树脂组合物，更具体地说，特别涉及适合作 为正型和负型的放射线敏感性树脂组合物的放射线敏感性酸发生剂的酸发生剂以及含有 该酸发生剂的正型和负型的放射线敏感性树脂组合物，该正型和负型的放射线敏感性树脂 组合物用作可用于微细加工的化学增幅型抗蚀剂，该微细加工包含使用KrF准分子激光、 ArF准分子激光、F2准分子激光或EUV (极远紫外线)等远紫外线、同步加速器放射线等X 射线、电子束等带电粒子束这样的各种放射线，在空气下、氮气下或真空下的干式曝光或者 在透镜和光致抗蚀剂膜之间介由曝光波长下的折射率比空气高的浸液曝光用液体进行放 射线照射的浸液曝光。
技术介绍
以集成电路元件的制造为代表的微细加工领域中，为了获得更高的集成度，最近， 能进行0.20 μ m以下的水平上的微细加工的光刻工艺成为必需。但是，对于现有的光刻 工艺，一般使用i射线等近紫外线作为放射线，但对于该近紫外线，据说在0. 25微米以下 (sub-quartermicron)的水平上的微细加工极其困难。因此，为了使0.20 μ m以下的水平上的微细加工成为可能，研究了利用波长更短 的放射线。作为这样的短波长的放射线，可以列举例如汞灯的亮线光谱、准分子激光为代表 的远紫外线、X射线、电子束等，这些中，特别是使用KrF准分子激光(波长248nm)、ArF准 分子激光(波长193nm)、F2准分子激光(波长157nm)、EUV (波长13nm等)、电子束等的技 术受到关注。作为适合上述短波长的放射线的放射线敏感性树脂组合物，提出了众多利用了具 有酸解离性官能团的成分与通过放射线的照射(以下称为“曝光”)产生酸的放射线敏感性 酸发生剂之间的化学增幅效果的组合物(以下称为“化学增幅型放射线敏感性组合物”)。作为化学增幅型放射线敏感性组合物，例如，专利文献1中提出了含有具有羧酸 的叔丁酯基或酚的碳酸叔丁酯基的聚合物和放射线敏感性酸发生剂的组合物。该组合物利 用了如下现象在由曝光产生的酸的作用下，聚合物中存在的叔丁酯基或碳酸叔丁酯基解 离，该聚合物形成包含羧基、酚性羟基的酸性基团，其结果，抗蚀剂被膜的曝光区域变得易 溶于碱显像液。然而，作为化学增幅型放射线敏感性组合物中放射线敏感性酸发生剂所要求的特性，可以列举对于放射线的透明性优异，并且酸发生中的量子收率高；产生的酸足够强； 产生的酸在抗蚀剂被膜中的扩散距离(以下称为“扩散长度”)适当；产生的酸与具有酸解 离性基团的树脂的相容性高等。其中，关于酸的强度、扩散长度和与具有酸解离性基团的树脂的相容性，对于离子性的放射线敏感性酸发生剂而言，阴离子部分的结构非常重要，此外，对于通常的具有磺 酰基结构、磺酸酯结构的非离子性的放射线敏感性酸发生剂而言，磺酰基部分的结构变得 重要。例如，具有三氟甲磺酰基结构、九氟丁磺酰基结构的放射线敏感性酸发生剂的情况下，产生的酸成为足够强的酸，作为光致抗蚀剂能够得到充分的灵敏度，但由于酸的扩散 长度长、和因氟含有率高导致的与具有酸解离性基团的树脂的相容性差等，存在掩模直线 性-MEEF-LWR变差的缺点。此外，具有例如10-樟脑磺酰基结构这样的与大的有机基团结合 的磺酰基结构的放射线敏感性酸发生剂的情况下，产生的酸的碳含有率足够高，与具有酸 解离性基团的树脂的相容性良好，酸的扩散长度也足够短，因此掩模直线性-MEEF-LWR良 好，但由于酸的强度不足，因此作为光致抗蚀剂的灵敏度过慢而无法实用。因此，在微细加工领域，强烈希望开发具有适度的灵敏度、掩模直线性-MEEF-LWR 性能等的平衡优异、能提供更优异的化学增幅型放射线敏感性组合物的放射线敏感性酸发 生剂。专利文献1 特公平2-27660号公报
技术实现思路
本专利技术的课题在于提供新型酸发生剂以及含有该酸发生剂的正型和负型的放射 线敏感性树脂组合物，该新型酸发生剂对于活性放射线、例如KrF准分子激光、ArF准分子 激光、F2准分子激光或EUV为代表的远紫外线、电子束等的透明性优异，对这些活性放射线 发生感应，或者通过加热能够产生酸度足够强的酸，而且该酸在抗蚀剂被膜中的扩散长度 适度地短，碳含有率高，掩模直线性-MEEF优异，LWR良好，极其适合作为可用作化学增幅型 抗蚀剂的放射线敏感性树脂组合物中的放射线敏感性酸发生剂。本专利技术人为了实现上述课题进行了深入研究，结果发现通过以下所示的化合物等 可以实现上述课题，从而完成了本专利技术。即，根据本专利技术，提供以下所示的化合物等。具有下述通式⑴表示的部分结构的化合物。<formula>formula see original document page 5</formula>(通式(1)中，R1各自独立地表示氢原子或者取代或未取代的碳原子数1 8的 烃基，R2表示取代或未取代的碳原子数1 8的烃基，Rf表示氟原子或碳原子数1 4的 全氟烷基。L表示0 4的整数，η表示0 10的整数，m表示1 4的整数。)下述通式(2)表示的盐。<formula>formula see original document page 6</formula>(通式(2)中，R1各自独立地表示氢原子或者取代或未取代的碳原子数1 8的 烃基，R2表示取代或未取代的碳原子数1 8的烃基，Rf表示氟原子或碳原子数1 4的 全氟烷基。L表示0 4的整数，η表示0 10的整数，m表示1 4的整数。Mk+表示k价 的阳离子，k表示1 4的整数。) 下述通式⑶表示的化合物。<formula>formula see original document page 6</formula>(通式(3)中，R1各自独立地表示氢原子或者取代或未取代的碳原子数1 8的 烃基，R2表示取代或未取代的碳原子数1 8的烃基，Rf表示氟原子或碳原子数1 4的 全氟烷基。L表示0 4的整数，η表示0 10的整数，m表示1 4的整数。)上述所述的盐，其中阳离子是锍阳离子或碘鐺阳离子。放射线敏感性树脂组合物，其包含上述 中任一项所述的化合物和具 有酸解离性基团的树脂。本专利技术的化合物对于活性放射线、例如KrF准分子激光、ArF准分子激光、F2准分 子激光或EUV为代表的远紫外线、电子束等的透明性优异，对这些活性放射线发生感应，或 者通过加热能够产生酸度足够高的酸，而且该酸在抗蚀剂被膜中的扩散长度适度地短，碳 含有率高，掩模直线性-MEEF优异，LffR良好，极其适合作为可用作化学增幅型抗蚀剂的放 射线敏感性树脂组合物中的放射线敏感性酸发生剂。具体实施例方式以下对本专利技术的实施的最佳方式进行说明，但本专利技术并不限于以下的实施方式， 应当理解，在不脱离本专利技术主旨的范围内，基于本领域技术人员的通常的知识，对以下的实 施方式加以适当改变、改进等得到的实施方式也落入本专利技术的范围内。化合物本专利技术的化合物具有下述通式(1)表示的部分结构。<formula>formula see original document page 7</formula>(通式(1)中，R1各自独立地表示氢原子或者取代或未取代的碳原子数1 8的 烃基，R2表示取代或未取本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种化合物，其具有由下述通式（１）表示的部分结构， ＊＊＊ （１） 通式（１）中，Ｒ↑［１］各自独立地表示氢原子或者取代或未取代的碳原子数１～８的烃基，Ｒ↑［２］表示取代或未取代的碳原子数１～８的烃基，Ｒｆ表示氟原子或碳原子数１～４的全氟烷基，Ｌ表示０～４的整数，ｎ表示０～１０的整数，ｍ表示１～４的整数。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：江畑琢磨，永井智树，
申请(专利权)人：JSR株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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