2-氧杂环丁酮衍生物及其制法制造技术

使通式（２）的醛衍生物在路易斯酸催化剂的存在下与乙烯酮反应，合成新颖的２－氧杂环丁酮衍生物（１）后，通过再结晶而纯化成反式体纯度高的２－氧杂环丁酮衍生物，然后通过脱羧反应而转换为乙烯基衍生物（３）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种以下式(1 )所表示的新颖的2-氧杂环丁酮 (2-oxetanone)衍生物。2-氧杂环丁酮衍生物可以成为制造下述式(3)的 乙烯基衍生物时的中间体(intermediate )。本专利技术涉及一种2-氧杂环丁酮 衍生物及2-氧杂环丁酮衍生物的制法，更涉及一种乙烯基衍生物的制法。本 专利技术的乙烯基衍生物、特别是反式体具有良好的电特性及光学特性，可用作 显示用液晶中间原料及液晶。
技术介绍
反式-4-乙歸基环己烷(trans-4-ethenylcyclohexane )衍生物的普通 的制法有利用环己烷曱醛(cyclohexanecarbaldehyde)衍生物与曱基三 苯基卣化膦(methyltriphenylphosphinehalide )的维蒂希反应(WiUig Reaction)来进行制造的方法(例如，参照专利文献1 )。然而，此方法中，原料曱基三苯基囟化膦的价格高，而且为了将所生成的反式-4-乙烯基环己烷衍生物用作液晶原料，必须将副产生的三苯基氧化 膦(triphenylphosphine oxide)完全去除，因此需要复杂的纯化步骤。而 且，副成的三苯基氧化膦的废弃处理需要消耗费用，无论是成本方面还是环 境方面均有问题。用作此反应的原料的环己烷曱醛衍生物的制法已知对以通式(6)所 表示的环己酮(cyclohexanone)类实施维蒂希反应的方法。 (上式中，R,表示氢、碳数为1~15的烷基、碳数为1~15的烷氧 基、碳数为1 ~ 15的卣化烷基、碳数为1 ~ 15的卣化烷氧基、碳数为2 ~ 10 的烯基、卤素或-C^N; A,、 A2及A3独立表示构成环的任意的-CH厂可以被-0-9或-S-取代的反式-1, 4-亚环己基，任意的氢可以被氟取代的1, 4-亚苯基、十 氢化萘-2, 6-二基、1，2，3，4-四氢化萘-2，6-二基或萘-2,6-二基；Z,、 Z2&Z3 独立表示单键、-CH2CH「、 _(CH2)4-、 -CH20-或-0CH厂；j、 k及1分别独立表 示0或1。)而且，环己烷曱醛衍生物的制法已知将以通式(7)所表示的曱醇 (carbinol )氧化的方法。(上式中，R,表示氢、碳数为1~15的烷基、碳数为1~15的烷氧 基、碳数为1 ~ 15的卣化烷基、碳数为1 ~ 15的囟化烷氧基、碳数为2 ~ 10 的烯基、卤素或-C三N; A" A2及A3独立表示构成环的任意的-CH2-可以被-0-或-S-取代的反式-1， 4-亚环己基，任意的氢可以被氟取代的1， 4-亚苯基、十 氢化萘-2, 6-二基、1,2, 3，4-四氬化萘-2,6-二基或萘-2，6-二基；Zi、 Z2AZ3 独立表示单键、-C厂、-(CH2)4-、 -CH20-或-0CH广；j、 k及1分别独立表 示0或1。)然而，由于醛的羰基的cc位氬原子容易产生差向异构化反应(异构 化)，因此通过这些反应而获得的环己烷曱醛衍生物是反式体与顺式体的混 合物。为了获得能够用作液晶原料的良好的电特性及光学特性，必须制造 出反式体纯度高的反式-4-乙烯环己烷衍生物。因此，必须从所获得的环己 烷曱醛衍生物中去除顺式体，但顺式体的去除较困难，必须利用再结晶 (recrystallization)及柱色谱法(column chromatography)来进行纟屯化 (例如，参照专利文献2)。如上所述，以前的方法绝不是令人满意的方法。专利文献l:日本专利特开平9-52851号公报(美国专利5709820号)专利文献2:日本专利特开平9-124521号公报
技术实现思路
因此，本专利技术的目的在于提供一种新颖的氧杂环丁酮衍生物及其制 法，以及提供一种使用所述氧杂环丁酮衍生物来高效率地制造乙烯基衍生 物、例如具代表性的反式-4-乙烯基环己烷衍生物的方法。本专利技术者们潜心研究的结果是，发现了以通式(1 )所表示的2-氧杂环 丁酮衍生物来作为乙烯基衍生物的中间体，而且发现，使用此衍生物可以 高效率地制造通式(3)的乙烯基衍生物，从而完成了本专利技术。也就是说，本专利技术为如下内容。 一种2-氧杂环丁酮衍生物，其特征在于其是以通式(1 )所表示。 (上式中，R!为氢、碳数为1~20的烷基、卣素、-C三N、 -CeC-C s N、 -N=C=0或-N-OS,此烷基中任意的-CH2-可以被-O-、 -S-、 -C0-或-SiH厂 取代，任意的-(CH》2-可以被-CH-CH-或-C^C-取代，而且任意的氢可以被卤 素取代；A!、 A2、 A3及A4独立为1,4-亚环己基、1， 4-亚苯基、十氢化萘-2, 6-二基、1, 2， 3， 4-四氢化萘-2, 6-二基或萘-2， 6-二基，这些环中任意的-CH2-可以被-O-、 -S-、 -CO-或-SiH广取代，任意的-(CHj2-可以被-CH《H-取 代，1， 4-亚苯基中任意的-CH-可以被-^取代，而且这些环中任意的氢可以 被卣素取代，当A、A2及A3为所述1，4-亚环己基时，其立体构象(steric configuration)为反式，当l为所述1， 4-亚环己基时，其立体构象既可为反 式也可为顺式，也可以是反式与顺式的混合体；Z,、 Z2、 Z3及Z4独立表示单 键、-CH2CH厂、-(CH2)4-、 - 120-或-0CH2-; j、 k及1分别独立表示0或1， m 表示l， n表示0至6的整数。)根据所述的2-氧杂环丁酮衍生物，其特征在于其是以通式(1 - 1)所表示。(上式中，R:表示氢、碳数为1-15的烷基、碳数为1-15的烷氧 基、碳数为1-15的卣化烷基、碳数为1~15的囟化烷氧基、碳数为2-10 的烯基、卤素或-C三N; A,、 A2及A3独立表示构成环的任意的-CH厂可以被-O-或-S-取代的反式-1， 4-亚环己基、任意的氢可以被氟取代的1,4-亚苯 基、十氢化萘-2，6-二基、1，2，3，4-四氢化萘-2，6-二基或萘_2，6-二 基；Z'、 Z2及Z3独立表示单键、-CH2CH2-、 -线)4-、 -師-或-0CH厂；j、 k及 l分别独立表示0或1。) —种2-氧杂环丁酮衍生物，其特征在于其是以通式(1 - 2 )所表示。(1一2)<formula>formula see original document page 11</formula>(上式中，R,表示氢、碳数为1~15的烷基、碳数为1~15的烷氧基、碳数为1 ~ 15的卣化烷基、碳数为1 ~ 15的卣化烷氧基、碳数为2 ~ 10 的烯基、卤素或-C三N。) 一种2-氧杂环丁酮衍生物，其特征在于其是以通式(1 - 3 )所表示。(1一3)(上式中，R,表示氢、碳数为1 ~ 15的烷基、碳数为1 ~ 15的烷氧 基、碳数为1 ~ 15的囟化烷基、碳数为1 ~ 15的卣化烷氧基、碳数为2 ~ 10 的烯基、卤素或-C^N。) —种2-氧杂环丁酮衍生物，其特征在于其是以通式(1 - 4 )所表示。(卜4)(上式中，R,表示氢、碳数为1 ~ 15的烷基、碳数为1 ~ 15的烷氧 基、碳数为1 ~ 15的卣化烷基、碳数为1 ~ 15的卣化烷氧基、碳数为2 ~ 10 的烯基、鹵素或-CeN。) 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种２－氧杂环丁酮衍生物，其特征在于：其是以通式（１）所表示，　［化１］　Ｒ↓［１］－（－Ａ↓［１］－Ｚ↓［１］－）↓［ｊ］－（Ａ↓［２］－Ｚ↓［２］－）↓［ｋ］－（－Ａ↓［３］－Ｚ↓［３］－）↓［ｌ］－（－Ａ↓［４］－Ｚ↓［４ ］－）↓［ｍ］－（－ＣＨ↓［２］－）↓［ｎ］－＊＝Ｏ　（１）　（上式中，Ｒ↓［１］为氢、碳数为１～２０的烷基、卤素、－Ｃ≡Ｎ、－Ｃ≡Ｃ、－Ｃ≡Ｎ、－Ｎ＝Ｃ＝Ｏ或－Ｎ＝Ｃ＝Ｓ，此烷基中任意的－ＣＨ↓［２］－可以被－Ｏ－、－Ｓ－、－ＣＯ －或－ＳｉＨ↓［２］－取代，任意的－（ＣＨ↓［２］）↓［２］－可以被－ＣＨ＝ＣＨ－或－Ｃ≡Ｃ－取代，而且任意的氢可以被卤素取代；Ａ↓［１］、Ａ↓［２］、Ａ↓［３］及Ａ↓［４］独立为１，４－亚环己基、１，４－亚苯基、十氢化萘－２，６－二基、１，２，３，４－四氢化萘－２，６－二基或萘－２，６－二基，这些环中任意的－ＣＨ↓［２］－可以被－Ｏ－、－Ｓ－、－ＣＯ－或－ＳｉＨ↓［２］－取代，任意的－（ＣＨ↓［２］）↓［２］－可以被－ＣＨ＝ＣＨ－取代，１，４－亚苯基中任意的－ＣＨ＝可以被－Ｎ＝取代，而且这些环中任意的氢可以被卤素取代，当Ａ↓［１］、Ａ↓［２］及Ａ↓［３］为所述１，４－亚环己基时，其立体构象为反式，当Ａ↓［４］为所述１，４－亚环己基时，其立体构象既可为反式也可为顺式，也可以是反式与顺式的混合体；Ｚ↓［１］、Ｚ↓［２］、Ｚ↓［３］及Ｚ↓［４］独立表示单键、－ＣＨ↓［２］ＣＨ↓［２］－、－（ＣＨ↓［２］）↓［４］－、－ＣＨ↓［２］Ｏ－或－ＯＣＨ↓［２］－；ｊ、ｋ及ｌ分别独立表示０或１，ｍ表示１，ｎ表示０至６的整数）。...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：浦田泰男，大岛俊二，西端良介，小滝惠一，竹内弘行，松井秋一，
申请(专利权)人：智索株式会社，智索石油化学株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]