金属氧化物半导体场效应晶体管有源区和边缘终止区电荷平衡制造技术

公开了一种制造具有有源区和边缘终止区的ＭＯＳＦＥＴ的方法。本方法包括在位于有源区和边缘终止区中的沟槽的底部形成第一多个注入物。在位于有源区的沟槽的底部形成第二多个注入物。在位于有源区的沟槽底部形成第二多个注入物，使得在位于有源区的沟槽的底部形成的注入物达到预定的浓度。这样，有源区和边缘终止区的击穿电压可以变得相似，并因此得到优化，同时还能维持有利的ＲＤｓｏｎ。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及MOSFET有源区和边缘终止区(edge termination area)电荷平衡。
技术介绍
金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)是一种场效应晶体管，其通过用电子 学方法改变电荷载体沿着流动的MOSFET沟道(channel)的宽度来起作用。MOSFET沟道越 宽，MOSFET的传导性越好。MOSFET包括栅极、漏极和源极等部件。电荷载体经由源极进入 沟道，并经由漏极出来。可通过改变施加于栅电极的电压，来控制MOSFET沟道的宽度。在 传统的MOSFET中，栅电极通常通过氧化物薄层与沟道绝缘。MOSFET工作参数影响MOSFET的工作和性能。MOSFET工作参数包括漏极-源极击 穿电压(BVds)以及漏极-源极导通电阻(RDSon)。MOSFET的BVds是使绝缘部分变得电气导通的最小电压。因此，通常而言，希望得 到高的BVds。重要的是，当超出BVds时，将出现电流流动，这会阻碍MOSFET正常地关断。 RDSon是在特定的漏极电流和栅极-源极电压下的栅极-源极电阻。在很多应用中，希望得 到低的RDSon，这种低的RDSon与提高的MOSFET电流承载本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造具有有源区和边缘终止区的半导体器件的方法，所述方法包括：在位于所述有源区的沟槽的底部以及位于边缘终止区的沟槽的底部形成第一多个注入物；以及在位于所述有源区的所述沟槽的底部形成第二多个注入物，同时不干涉位于所述边缘终止区的所述第一多个注入物，其中，在位于所述有源区的所述沟槽的底部形成的所述第二多个注入物致使在位于所述有源区的所述沟槽的底部形成的所述注入物达到预定的浓度。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈曲飞，凯尔特里尔，沙伦石，
申请(专利权)人：维西埃硅化物公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]