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公开了一种制造具有有源区和边缘终止区的ＭＯＳＦＥＴ的方法。本方法包括在位于有源区和边缘终止区中的沟槽的底部形成第一多个注入物。在位于有源区的沟槽的底部形成第二多个注入物。在位于有源区的沟槽底部形成第二多个注入物，使得在位于有源区的沟槽的底部...
该专利属于维西埃－硅化物公司所有，仅供学习研究参考，未经过维西埃－硅化物公司授权不得商用。

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