具有半导体元件的传感器矩阵制造技术

本发明专利技术涉及具有半导体元件的传感器矩阵（１）和制造这种器件的过程，其中传感器矩阵包括片状载体层（３）、第一电极排列结构（４）和至少一个第二电极排列结构（１０）以及元件排列结构（６）。第一电极排列结构（４）被放置在载体层（３）的表面（２）上，并且元件排列结构（６）以多个有机半导体元件（７）的形式被放置在第一电极排列结构（４）上。第二电极排列结构（１０）被布置在顶层（９）的表面（８）上，并且顶层（９）被布置在载体层（３）之上，使得第一电极排列结构（４）和第二电极排列结构（１０）彼此面对面，并且第二电极排列结构（１０）与元件排列结构（６）至少部分地导电性接触。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及具有半导体元件的传感器矩阵，包括片状载体层、第一电极排列结构和至少一个第二电极排列结构，以及元件排列结构，元件排列结构被放置在第一电极元件 上并且配备有多个半导体元件，并且半导体元件配备有有机半导体材料，第一电极排列结 构被布置在载体层的表面上。本专利技术还涉及制造传感器矩阵的过程，包括步骤把第一电极 排列结构印刷到载体层的表面上；把元件排列结构印刷到第一电极排列结构上；并且把接 触部分的至少一部分印刷到元件排列结构上。
技术介绍
矩阵或栅格式排列的元件或传感器必须提供有能量并且必须把识别的测量值或 参数从传感器和/或元件传送到外部，例如传送到读出装置。借助已知装置，源极和漏极通 常被布置在传感器与元件之间的载体层上，由于典型的高集成度，通常只为它们提供了极 小的空间。如果传感器例如被布置成几何栅格形式，则通常使用栅格式排列的供电电极和 读出电极；电极通常被称为列电极和行电极。为了能够访问矩阵排列的各个元件，需要额外 的可选择性控制的开关装置，从而例如把一个元件电连接到至少一个列电极和行电极。尤 其对于具有极高元件密度的传感器矩阵来说，已知装置具有以下不足，供电电极和本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有半导体元件的传感器矩阵（１），包括片状载体层（３）、第一电极排列结构（４）和至少一个第二电极排列结构（１０）、以及元件排列结构（６），其中元件排列结构（６）被设置在第一电极排列结构（４）上并且以多个半导体元件（１３）的形式被提供，半导体元件（１３）由有机半导体材料制成，并且第一电极排列结构（４）被设置在载体层（３）的表面（２）上，其特征在于：第二电极排列结构（１０）被布置在顶层（９）的表面（８）上，顶层（９）被设置在载体层（３）之上，第一电极排列结构（４）和第二电极排列结构（１０）彼此面对面，并且第二电极排列结构（１０）与元件排列结构（６）至少在某些部分上导电接触。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：F帕丁内尔，
申请(专利权)人：纳米识别技术股份公司，
类型：发明
国别省市：AT[奥地利]