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本发明涉及具有半导体元件的传感器矩阵（１）和制造这种器件的过程，其中传感器矩阵包括片状载体层（３）、第一电极排列结构（４）和至少一个第二电极排列结构（１０）以及元件排列结构（６）。第一电极排列结构（４）被放置在载体层（３）的表面（２）上，并...
该专利属于纳米识别技术股份公司所有，仅供学习研究参考，未经过纳米识别技术股份公司授权不得商用。

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