电子器件的制造方法技术

电子器件的制造方法，在基板上形成的透明树脂膜中，选择性地埋设用于形成栅极的金属膜，在栅极部分通过溅射将金属膜直接形成在基板上，而在栅极部分以外的部分则通过溅射将金属膜形成在绝缘性涂布膜上。随着绝缘性涂布膜被蚀刻去除，绝缘性涂布膜上的金属膜通过化学剥离被去除。本发明专利技术提供一种在具有超大面积的基板上均匀形成导体层的制造电子器件的方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及包括薄膜晶体管(TFT)等的电子器件及其制造方法，进一步涉及采用 TFT的显示器件(有机EL器件、无机EL器件、液晶显示器件等)、电路板、其它电子器件及 其制造方法。
技术介绍
一般来说，液晶显示器件、有机EL器件、无机EL器件等显示器件，在具有平坦主面 的基板上，具有成膜的、图形化的布线图形、电极图形等导电图形。进一步地，在基板上也配 置构成显示器件的元件所必需的各种膜和电极膜等。近年来，对于这类显示器件，大型化的要求在加强。为形成大型的显示器件，需要 将更多的显示元件以高精度形成在基板上，并将这些元件与布线图形电连接。这样的情况 下，基板上除布线图形以外，绝缘膜、TFT (薄膜晶体管)、发光元件等以多层化的状态而形 成。其结果是，基板上普遍有着阶梯状的级差，布线图形越过这些级差而布线。布线有级差的情况下，布线宽度需要增大。布线宽度增大的情况下，会产生由布线 寄生电容而使驱动负荷增大的缺陷。由此，就希望能消除这些级差。进一步地，显示器件大型化时，由于布线图形自身变长，就需要将该布线图形的电 阻降低。作为消除布线图形的级差和低电阻化的方法，在专利文献1，特愿2005-173050号 (称作相关文献1)和专利文献2中提出。这些专利文献中，公开了为形成如液晶显示器件 的平面显示器件用的布线，在透明的基板表面形成布线和与之相同高度的透明绝缘材料， 并使透明绝缘材料与布线图形相接。其中，专利文献1中，作为布线形成的方法，提出了采用如喷墨法、丝网印刷法等。 另外，相关文献1中还公开了栅极等的导电性金属层由铜等化学镀而形成的方法，专利文 献2中公开了由热压、化学机械抛光(CMP)等而使得布线更为平坦化的方法。进一步地，特愿2006-313492号(以下称作相关文献2)公开了一种在基板上形成 设有槽的绝缘层，使与绝缘层表面大致平齐地在槽中采用化学镀设置栅极后，在该栅极上 设置栅绝缘膜和半导体层的TFT及其制造方法。另外，专利文献3中，栅极由铜等化学镀形 成的同时，栅绝缘膜的一部分，由将绝缘性涂布膜旋转涂布而形成。根据这样的构造，由旋 转涂布而形成的绝缘性涂布膜，由于能确保表面极度平坦，就能获取平坦性优异的TFT等 电子器件。专利文献1 :W02004/110117 号专利文献2 JP特开2005-210081号公报专利文献3 JP特开2007-43131号公报如专利文献1所述，由喷墨法或是丝网印刷法而形成布线的情况下，布线表面变 得粗糙，布线上形成的绝缘层等的平坦性会变得恶化。另外，如相关文献1和2所述，使用 化学镀的情况下，对于实用水准的显示器件的大型化无法适应。也就是说，玻璃基板达到 3m见方左右的超大型化的情况下，为将超大型化的玻璃基板化学镀，至少需要那样大的电镀设备(镀槽)。然而作为现实问题，由于不存在可将超大型化的玻璃基板电镀的那样大 的电镀设备，则使用电镀设备，将超大型玻璃基板电镀是不可能的。另外，将那样的超大面 积均勻地化学镀，实际上是困难的。进一步地，化学镀难以控制，会频发在金镀层(金力9 t)之上的镍镀层(二 7》> ^ 11)中，出现圆形的未镀区域的问题。另外，由化学镀形 成导电性图形的情况下，为提高贴紧性，还需要设置作为镀层底子的底层。进一步地，如专利文献2所述，使用热压、化学机械抛光(CMP)等，将超大型玻璃基 板上的布线在很大的面积上均勻地平坦化，是极为困难的，并且从经济上考虑其实用也很 困难。
技术实现思路
这样，本专利技术的目的之一，是提供具有在超大型基板上均勻形成的导电性图形的 电子器件及其制造方法。本专利技术的另一目的，是提供一种不用CMP等就能制造、从而提供低价且大型的显 示器件。本专利技术的再一目的，是提供平坦性优异、漏电流小的半导体器件。根据本专利技术第1实施方式，能获得一种，此电子器件具有基 板、该基板上形成的透明树脂膜、和选择性埋设于该透明树脂膜的金属膜，其特征在于，包 括在所述透明树脂膜上形成绝缘性涂布膜的工序；在所述涂布膜和所述透明树脂膜上选 择性形成槽的工序；通过溅射，在包括所述槽内和所述涂布膜上整个面上形成金属膜的工 序；和由蚀刻去除所述涂布膜，剥离所述涂布膜上的金属膜，获得所述金属膜埋设于所述槽 的构造的工序。根据本专利技术第2实施方式，能获得一种，其特征在于，第1实 施方式中，所述涂布膜为多孔质性质。根据本专利技术第3实施方式，能获得一种，其特征在于，第1实 施方式中，所述涂布膜包括含有Si、Ti、Al、Zr的氧化物中的一种或两种以上的多孔质涂布膜。根据本专利技术第4实施方式，能获得一种，其特征在于，第1实 施方式中，所述涂布膜为包括由((agjiOh/KSiC^Un= 1 3，x彡1)所表示的组合 物中的一种或是两种以上的薄膜。根据本专利技术第5实施方式，能获得一种，其特征在于，第1实 施方式中，形成绝缘性涂布膜的工序，包括形成多孔质涂布膜的工序，和在该多孔质涂布膜 上形成无孔质涂布膜的工序。根据本专利技术第6实施方式，能获得一种，其特征在于，第1至 第5的任一实施方式中，在所述涂布膜和所述透明树脂膜上选择性形成槽的工序，包括在 所述涂布膜上设置光抗蚀剂膜的工序，由曝光、显影选择性去除所述光抗蚀剂膜而形成指 定图形的工序，和将该指定图形的光抗蚀剂膜作为掩模，将所述涂布膜选择性蚀刻去除的工序。根据本专利技术第7实施方式，能获得一种，其特征在于，第6实 施方式中，在所述涂布膜和所述透明树脂膜上选择性形成槽的工序，进一步包括，该指定图形的光抗蚀剂膜，和选择性蚀刻去除的剩余的涂布膜中，至少有一个作为掩模将所述透明树脂膜选择性蚀刻去除的工序。根据本专利技术第8实施方式，能获得一种，其特征在于，第6实 施方式中，所述指定图形的光抗蚀剂膜作为掩模将所述涂布膜选择性蚀刻去除的工序，包 括利用腐蚀性气体的干性蚀刻工序。根据本专利技术第9实施方式，能获得一种，其特征在于，第8实 施方式中，在所述涂布膜和所述透明树脂膜选择性形成槽的工序，进一步包括，所述指定图 形的光抗蚀剂膜，和选择性蚀刻去除的剩余的涂布膜中，至少一个作为掩模，利用所述腐蚀 性气体的干性蚀刻，将所述透明树脂膜选择性蚀刻去除的工序。根据本专利技术第10实施方式，能获得一种，其特征在于，第8或 第9实施方式中，所述腐蚀性气体包括CxFy气体。根据本专利技术第11实施方式，能获得一种，其特征在于，第10 实施方式中，所述腐蚀性气体包括CF4气体。根据本专利技术第12实施方式，能获得一种，其特征在于，第10 实施方式中，所述腐蚀性气体包括C5F8气体和O2气体。根据本专利技术第13实施方式，能获得一种，其特征在于，第1至 第12任一实施方式中，进一步包括在形成所述金属膜的工序之后，所述涂布膜蚀刻去除之 前，去除所述涂布膜的所述槽的侧壁附着的金属膜的工序。根据本专利技术第14实施方式，能获得一种，其特征在于，第1至 第13任一实施方式中，由蚀刻去除所述涂布膜，剥离所述涂布膜上的金属膜，获得所述金 属膜埋设于所述槽的构造的工序，还包括利用包括氢氟酸的蚀刻液将所述涂布膜蚀刻去除 的工序。根据本专利技术第15实施方式，能获得一种，其特征在于，第1至 第14任一实施方式中，还包括所述基板上形成1 2μπι厚的所述透明树脂膜的工序。根据本专利技术第16实施方式，能获得一种，其特征本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子器件的制造方法，所述电子器件具有：基板、在该基板上形成的透明树脂膜、和选择性地埋设于该透明树脂膜中的金属膜，其特征在于，所述制造方法包括：工序１，在所述透明树脂膜上形成绝缘性涂布膜；工序２，在所述涂布膜和所述透明树脂膜上选择性地形成槽；工序３，通过溅射，在包括所述槽内和所述涂布膜上的整个面上形成金属膜；和工序４，通过蚀刻去除所述涂布膜，剥离所述涂布膜上的金属膜，获得所述金属膜埋设于所述槽的构造。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：大见忠弘，藤村诚，小池匡，番场昭典，小林章洋，绵贯耕平，
申请(专利权)人：国立大学法人东北大学，宇部兴产株式会社，宇部日东化成株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]