【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及新的保护涂层(底涂层、第一保护涂层和任选的第二保护涂层以及 在制造如用于微机电系统(MEMS)的微电子装置中使用这些涂层的方法。
技术介绍
用于深蚀刻的蚀刻剂可根据制造装置所需的蚀刻选择性而定。典型的含碱或碱性 蚀刻剂包括选自KOH、TMAH和NaOH的蚀刻剂。这些蚀刻剂典型的以10-45%溶液，以及更 典型的约30%溶液提供。碱性蚀刻剂可含有胺类，例如乙二胺、乙醇胺和/或例如异丙醇的 水溶性低级醇，以调节溶液的蚀刻性能。体态硅蚀刻的进行温度典型的为40°C至120°C，更 典型为60°C至90°C。蚀刻时间为1至24小时，更典型的为5至15小时。酸性蚀刻剂包括氢氟酸(HF)水溶液，其包括浓的(49% -50% )HF、其水稀释液以 及包含HF与氟化铵水性混合物的缓冲氧化物蚀刻剂。HF蚀刻剂主要用来蚀刻二氧化硅。 混合的酸蚀刻剂典型的包含70%硝酸(HNO3) ,49% HF和一种稀释酸(如85%磷酸(H3PO4) 或100%醋酸)的混合物，并且主要用于体态硅蚀刻。上述混合物常见的组分体积比例如 为HN03/HF/H3P04 = 7: 1:7 或 ...
【技术保护点】
一种用作保护层的组合物，该组合物包含溶解或分散于溶剂体系中的第一聚合物和相容化合物；该第一聚合物包含：＊＊＊以及（Ⅰ）＊＊＊（Ⅱ）其中：每个Ｒ↑［１］各自独立的选自氢和Ｃ↓［１］－Ｃ↓［８］烷基；以及每个Ｒ↑［２］各自独立的选自氢、Ｃ↓［１］－Ｃ↓［８］烷基和Ｃ↓［１］－Ｃ↓［８］烷氧基；该相容化合物选自：包含环氧基团的单体、寡聚物和聚合物；聚（苯乙烯－共－烯丙醇）；以及其混合物；该组合物基本上不含光酸产生剂。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：G徐，KA耶斯，TD弗莱，
申请(专利权)人：布鲁尔科技公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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