光学薄片的加热方法及一种可调谐的ＦＰ滤波器技术

本发明专利技术公开了一种光学薄片的加热方法，其特征在于，利用半导体激光或者ＬＥＤ对具有热光学效应光学薄片进行加热。本发明专利技术还公开了一种可调谐的ＦＰ滤波器，包括：输入准直器、硅ＦＰ滤波器、其特征在于，还包括一聚焦透镜、一半导体激光器，半导体激光器输出的激光通过聚焦透镜准直到硅ＦＰ滤波器表面上；该发明专利技术具有半导体激光对硅片直接照射、热传导速度快，硅ＦＰ滤波器受热均匀稳定、调谐速度快，无活动部件、性能稳定可靠，寿命长等优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光通信领域，特别是涉及一种光学薄片的加热方法及一种可调谐的FP 滤波器。
技术介绍
一些光学元件，如硅光学薄片，若通过从边缘夹持区域加热，其加热速度慢，且受 热不均勻，导致薄片上不同位置折射率不一样。传统的对硅加热的装置是将加热电阻芯片 或者TEC片贴到硅片上，通过改变加热电阻或者TEC的电压来改变硅的温度(如附图1-4所 示)。加热电阻和TEC可以用胶粘到硅片上，给加热电阻或者TEC通电时其热量传导到硅片 上使硅片自身温度升高。通过改变加热电阻或者TEC的电压来改变硅的温度。传统的加热方式存在两个问题1)热传导速度慢加热电阻和TEC是通过胶来粘到硅片上的，并不是直接接触。而硅 片具有一定的厚度，加热时热量有一个传导的过程。这种传热方式传导速度相对较慢。而 光通信领域中很多器件对响应速度有很高的要求，比如可调谐滤波器要求整个波段的扫描 时间10s、光通道监测模块要求整个波段的扫描时间在Is以下。这要求其中的可调谐元件 具有很快的响应速度，否则很难实现其器件要求的扫描时间；2)受热不均勻受到加热电阻片和TEC尺寸的限制，不能与硅片完整贴合。导致在加 热时硅片上受热不均勻，接近加热电阻或TEC的地方受热快，而远离加热电阻或TEC的地方 受热慢，硅片上面存在温度梯度，受热不均勻。在光通过时，由于光斑具有一定的大小，对于 光斑上的不同位置硅的折射率不一样，即其透过率不一样。所以，透过FP滤波器的光波长 与理论值存在误差，而且检测出来的光功率也不准确。在半导体激光输出波段正好是光学薄片的吸收波段时，可利用该半导体激光作为 加热元件，照射该光学薄片来给其加热。半导体激光加热具有加热速度快、加热均勻、可严 格控制加热量、加热稳定性好等优点。而且半导体激光器工作时间可达二十万小时，寿命很长。当光学薄片可吸收某一波长的光而对其他波段光透明时，而采用该波长的半导 体激光或LED光作为加热机制对光学薄片进行加热。用半导体激光或LED光照射光学薄片， 光学薄片吸收其光能而转化为热量，实现其自身温度的变化。将该种加热方式用于光通信领域，可以对具有热光效应的光学薄片比如硅片进行 加热。而光学薄片的一个应用是可视为一个可调谐FP滤波器，通过加热改变其自身温度进 而改变其自身折射率，从而实现其透过波长随自身温度变化。
技术实现思路
针对传统加热方式的缺点，本专利技术的目的在于提供一种光学薄片进行加热的方式 及采用该方法设计的一种可调谐的FP滤波。为达到上述目的，本专利技术所提出的技术方案为，一种光学薄片加热的方法，其特征在于，所述的光学薄片具有热光学效应，且利用半导体激光器或者LED对光学薄片进行加 热。进一步，所述的光学薄片为硅光学薄片。进一步，采用上述对光学薄片进行加热的方法可设计一种可调谐FP滤波器，包 括输入准直器、硅FP滤波器，其特征在于，还包括一聚焦透镜、一半导体激光器，所述的硅 FP滤波器两个通光面高度平行、镀高反射膜，其透射光对波长具有周期性的正弦曲线；所 述的半导体激光器输出的激光通过聚焦透镜准直到硅FP滤波器表面上。进一步，所述的半导体激光器输出808nm的激光。进一步，作为本专利技术所述的可调谐FP滤波器的优选方式，可以在硅片上加一个温 度传感芯片比如热敏电阻，将硅FP滤波器的温度实时传递给硅FP滤波器的控制机构，达到 实施监控硅FP滤波器的温度而掌握其透射峰的位置的目的。本专利技术的FP滤波器的调谐原理是FP滤波器腔长即硅片的厚度取值使得其自由 光谱范围FSRMOnm，比如FSR=45nm，即FP滤波器透射IL随波长的变化曲线中相邻两个透 射峰的频率间隔是45nm。这种情况下，光通信C波段的光(以按照ITU的50GHz间隔为例) 在通过该FP滤波器时，只有当其某一通道光的波长与该FP滤波器的透射波长对准时才能 完全通过，而且整个C波段的光只有一个通道可以通过。由此可将该通道的光提取出来，不 仅可以探知透过波长，而且还可以检测其功率大小。而通过改变硅片的温度，可以使该FP 滤波器的透射峰产生移动。当把透射峰移到下一个ITU通道上时，又可以探知入射光中是 否含有这一通道的信号和其功率大小。从而，通过连续改变硅片的温度可以探知该入射的 C波段所有ITU通道的光功率大小，即实现了对入射的C波段光的扫描。通过上述技术方案，半导体激光发出的激光通过聚焦透镜准直到硅FP滤波器上， 硅可吸收808nm的光并转换成热量，使其自身温度升高。通过改变半导体激光器的输出能 量可以改变硅片的温度。而硅片温度变化时，其折射率会随之改变。在硅作为FP标准具 时，其折射率改变即引起其标准具腔长改变；而腔长的变化会引起标准具透过峰的移动，从 而实现了 FP滤波器的可调谐。这一可调谐FP滤波器具有如下优点半导体激光对硅片直接照射、热传导速度 快，硅FP滤波器受热均勻稳定、调谐速度快，无活动部件、性能稳定可靠，寿命长。附图说明图1为传统加热电阻片贴在硅片上方给硅片加热的示意图； 图2为传统加热电阻片贴在硅片通光面上给硅片加热的示意图； 图3为传统TEC给硅片加热的示意图4为改进型TEC给硅片加热的具体结构示意图； 图5为本专利技术的一种可调谐FP滤波器的结构示意图； 图6为本专利技术的可调谐FP滤波器改进后的结构示意图。具体实施例方式下面结合附图和具体实施方式本专利技术作进一步的说明。本专利技术的一个实施例是采用此光学薄片进行加热的方法设计一种可调谐的FP滤波器；如图5所示，该可调谐FP滤波器包括输入准直器1，用于将初始输入光准直并且耦 合输出；硅FP滤波器2，该硅FP滤波器两个通光面高度平行、镀高反射膜，其透射光是具有 周期性的正弦曲线；聚焦透镜4，用于将半导体激光器输出的光准直到硅FP滤波器2表面 上；半导体激光器3，半导体激光器输出808nm的激光，通过聚焦透镜准直到硅FP滤波器2 上，硅可吸收808nm的光并转换成热量，使其自身温度升高。具体实施时，如附图5所述，输入准直器1输出光11入射硅FP滤波器2，由硅 FP滤波器2输出光12。半导体激光器3输出的808nm的光由聚焦透镜4准直到硅FP滤波 器2表面上。硅材料吸收808nm的激光并转换成热量使其自身温度升高。通过改变半导体 激光器3的输出能量可以改变硅片的温度。而硅片温度变化时，其折射率会随之改变。对 于硅FP滤波器2来说，其折射率改变即引起其标准具腔长改变；而腔长的变化会引起标准 具透过峰的移动，从而实现了 FP滤波器2的可调谐。如图6所示，将热敏电阻10用热传导良好的胶粘到硅FP滤波器2的一个表面上， 可以是上表面、侧面或者通光面。热敏电阻10的两个电极101接到硅FP滤波器2控制机 构上，将硅FP滤波器2的温度实时反馈给控制机构，控制机构可根据温度来判断硅FP滤波 器2的透射峰位置；并且可以根据该实时位置控制半导体激光器3来将透射峰移到下一个 目标位置。本专利技术采用半导体激光来照射光学薄片进行加热，由于激光是均勻照射到硅表 面，可以实现均勻加热且是瞬间加热、加热速度快。可调谐半导体激光器已经是很成熟的技 术，所以我们可以严格控制其输出激光的功率，即控制了光学薄片上的温度。本专利技术以硅可 调谐滤波器为实施例阐述了本专利技术的思想，而光学元件亦可采用其他掺杂离子对特定波长 吸收、对其他区域透明的光学本文档来自技高网...

【技术保护点】
光学薄片的加热方法，其特征在于，所述的光学薄片具有热光效应，且利用半导体激光或者ＬＥＤ对光学薄片进行加热。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吴砺，莫霜，徐云兵，潘忠灵，
申请(专利权)人：福州高意通讯有限公司，
类型：发明
国别省市：35