一种减少槽式去ＰＳＧ设备产生水渍的方法技术

一种涉及太阳能电池硅片加工领域的减少槽式去ＰＳＧ设备产生水渍的方法；所述的方法在不增加设备投资的情况下，通过工艺上的改进，利用具有快速挥发性的无水乙醇代替热水进行脱水，保证了硅片表面在经过脱水、烘干以及后道ＰＥＣＶＤ工序后，水渍比例由原来的０．９％降低到０％，保证了生产线的正常连续生产，同时有效的提高了生产效率。

【技术实现步骤摘要】
一种减少槽式去PSG设备产生水渍的方法
本专利技术涉及太阳能电池硅片加工领域，尤其是涉及一种减少槽式去PSG设备产生水渍 的方法。
技术介绍
公知的，太阳能电池的制作流程一般为清洗制绒——扩散制结——边缘刻蚀——去磷 硅玻璃——PECVD镀膜——丝网印刷——烧结——测试；在这些工序中，扩散制结工序对太 阳能电池的效率起有比较重要的作用，因此扩散制结属于一道重要的工序；扩散过程中发 生的反应如下4P0Cl3+5& — P205+6C12，即由POCl3分解产生的P2O5淀积在硅片表面，再使 其与Si反应生成SW2和磷原子2P205+5Si — 5Si&+4P，这样就在硅片表面形成一层含有 磷元素的SiO2，通称为磷硅玻璃，简称PSG ；由于通过扩散在硅片表面形成的PSG严重阻碍 后续的工艺，影响电池片的效率，因此必须对扩散后形成的PSG进行去除；目前，常规的去PSG设备采用槽式去PSG隧道烘干设备，一般的流程为HF酸浸泡—— 纯水冲洗——热水预脱水——烘干；在这个过程中，由于热水预脱水不可能完全的将水脱 干，而未完全脱干的水在烘干后的硅片表面不能够被发现，但这些水份会造成硅片在后道 工序PECVD镀膜时形成的蓝色Si3N4膜表面产生白色痕迹，这种白色的痕迹一般称为水渍， 对电池片的外观影响极大，因此需要对此类硅片进行返工；由于在返工时，需要将这些返工 硅片表面形成的Si3N4膜去掉，因此严重影响了生产线的正常生产，同时返工硅片的存在也 导致了成本的大量增加；针对槽式去PSG设备采用热水慢提拉产生水渍的问题，现有的解决办法是放弃隧道烘 干，而采用甩干机进行甩干；甩干机是利用硅片高速旋转时产生的离心力将表面残留的水 去掉，与此同时，再采用密闭腔体内喷水、喷氮的方法来保证硅片的洁净度；这种方法虽然 能较好的解决水渍问题，但是由于现在市场上槽式去PSG设备一般都采用烘干，如改用甩 干机的话就需要额外单独购买相应的甩干设备，这就相当于进行了二次投资，增加了设备 成本。
技术实现思路
为了克服
技术介绍
中的不足，本专利技术提供了一种减少槽式去PSG设备产生水渍的方 法，所述的方法在不增加设备投资的情况下，仅通过对现有工艺的改进，利用具有快速挥发 性的无水乙醇代替热水进行脱水，从而有效的解决了去PSG产生水渍的问题。为实现上述专利技术目的，本专利技术采用如下技术方案一种减少槽式去PSG设备产生水渍的方法，所述的方法采用如下步骤a.将表面有PSG的硅片放到硅片承载盒；b.将装有硅片的承载盒放入D-I清洗液中清洗去除硅片表面的PSG；c.将硅片放入18ΜΩ的纯水中冲洗去除硅片表面粘附的D-I清洗液；d.将硅片放入无水乙醇中脱水3-5分钟；e.将脱水后的硅片放入烘箱烘干；f.对烘干后的硅片进行后道工序的生产。所述的减少槽式去PSG设备产生水渍的方法，所述的D-I清洗液由氢氟酸纯水按 照1:10的体积比制成所述的减少槽式去PSG设备产生水渍的方法，将装有硅片的承载盒放入D-I清洗液中 清洗去除表面的PSG，时间为3-7分钟；所述的减少槽式去PSG设备产生水渍的方法，将硅片放入18ΜΩ的纯水中冲洗去除硅 片表面粘附的D-I清洗液，时间为5-15分钟；所述的减少槽式去PSG设备产生水渍的方法，将脱水后的硅片放入烘箱烘干，时间为 5-10分钟，烘箱温度为70-100度。由于采用如上所述的技术方案，本专利技术具有如下有益效果本专利技术所述的一种减少槽式去PSG设备产生水渍的方法，所述的方法在不增加设备投 资的情况下，仅通过对现有工艺的改进，利用具有快速挥发性的无水乙醇代替热水进行脱 水，保证了硅片表面在经过脱水、烘干以及后道PECVD工序后，水渍比例由原来的0. 9%降低 到0 %，保证了生产线的正常连续生产；同时，由于无水乙醇的易挥发性，可以有效的将烘干 的工艺时间由原先的600s缩短到300s，因此也将去PSG设备的产能由1200pcs/h提高到 1450pcs/h，达到了有效提高生产效率的目的。具体实施方式通过下面的实施例可以更详细的解释本专利技术，公开本专利技术的目的旨在保护本专利技术范围 内的一切变化和改进，本专利技术并不局限于下面的实施例； 实施实例1 一种减少槽式去PSG设备产生水渍的方法，步骤如下a.将扩散后的表面有PSG的硅片放到相应的硅片承载盒；b.将装有硅片的承载盒放入D-I清洗液中清洗5分钟，以去除表面的PSG；c.将去除PSG的硅片放入18ΜΩ的纯水中冲洗15分钟，以去除硅片表面粘附的D-I 清洗液；d.将去除表面D-I清洗液的硅片放入无水乙醇中脱水4分钟；e.将脱水后的硅片放入烘箱烘干8分钟，烘箱温度为90度；f.去PSG工艺完成，对烘干后的硅片进行后道工序的生产。实施实例2 一种减少槽式去PSG设备产生水渍的方法，步骤如下a.将表面有PSG的硅片放到相应的硅片承载盒；b.将装有硅片的承载盒放入D-I清洗液中清洗7分钟，以去除表面的PSG；c.将去除PSG后的硅片放入18ΜΩ的纯水中冲洗20分钟，以去除硅片表面粘附的D-I 清洗液；d.将去除表面D-I清洗液的硅片放入无水乙醇中脱水4分钟；e.将脱水后的硅片放入烘箱烘干10分钟，烘箱温度为75度；f.去PSG工艺完成，对烘干后的硅片进行后道工序的生产。实施实例3 一种减少槽式去PSG设备产生水渍的方法，步骤如下 a.将表面有PSG的硅片放到相应的硅片承载盒；b.将装有硅片的承载盒放入D-I清洗液中清洗3分钟，以去除表面的PSG；c.将去除PSG后的硅片放入18ΜΩ的纯水中冲洗10分钟，以去除硅片表面粘附的D-I 清洗液；d.将去除表面D-I清洗液的硅片放入无水乙醇中脱水3分钟；e.将脱水后的硅片放入烘箱烘干5分钟，烘箱温度为95度；f.去PSG工艺完成，对烘干后的硅片进行后道工序的生产。权利要求1.一种减少槽式去PSG设备产生水渍的方法，其特征是所述的方法采用如下步骤A、将表面有PSG的硅片放到硅片承载盒；B、将装有硅片的承载盒放入D-I清洗液中清洗去除硅片表面的PSG；C、将硅片放入18ΜΩ的纯水中冲洗去除硅片表面粘附的D-I清洗液；D、将硅片放入无水乙醇中脱水3-5分钟；E、将脱水后的硅片放入烘箱烘干；F、去PSG工艺完成，对烘干后的硅片进行后道工序的生产。2.根据权利要求1所述的一种减少槽式去PSG设备产生水渍的方法，其特征是所述 的D-I清洗液由氢氟酸纯水按照1 :10的体积比制成。3.根据权利要求1所述的一种减少槽式去PSG设备产生水渍的方法，其特征是将装 有硅片的承载盒放入D-I清洗液中清洗去除表面的PSG，时间为3-7分钟。4.根据权利要求1所述的一种减少槽式去PSG设备产生水渍的方法，其特征是将硅 片放入18ΜΩ的纯水中冲洗去除硅片表面粘附的D-I清洗液，时间为5-15分钟。5.根据权利要求1所述的一种减少槽式去PSG设备产生水渍的方法，其特征是将脱 水后的硅片放入烘箱烘干，时间为5-10分钟，烘箱温度为70-100度。全文摘要一种涉及太阳能电池硅片加工领域的减少槽式去PSG设备产生水渍的方法；所述的方法在不增加设备投资的情况下，通过工艺上的改进，利用具有快速挥发性的无水乙醇代替热水进行脱水，保证了硅片表面在经过脱水、烘干以及后道PECVD工序后，水渍比例本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种减少槽式去ＰＳＧ设备产生水渍的方法，其特征是：所述的方法采用如下步骤：Ａ、将表面有ＰＳＧ的硅片放到硅片承载盒；Ｂ、将装有硅片的承载盒放入Ｄ－１清洗液中清洗去除硅片表面的ＰＳＧ；Ｃ、将硅片放入１８ＭΩ的纯水中冲洗去除硅片表面粘附的Ｄ－１清洗液；Ｄ、将硅片放入无水乙醇中脱水３－５分钟；Ｅ、将脱水后的硅片放入烘箱烘干；Ｆ、去ＰＳＧ工艺完成，对烘干后的硅片进行后道工序的生产。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：韩帅君，李向前，张明坤，张永伟，景彦娇，张玉磊，
申请(专利权)人：上海超日洛阳太阳能有限公司，
类型：发明
国别省市：41[]