【技术实现步骤摘要】
一种减少槽式去PSG设备产生水渍的方法
本专利技术涉及太阳能电池硅片加工领域，尤其是涉及一种减少槽式去PSG设备产生水渍 的方法。
技术介绍
公知的，太阳能电池的制作流程一般为清洗制绒——扩散制结——边缘刻蚀——去磷 硅玻璃——PECVD镀膜——丝网印刷——烧结——测试；在这些工序中，扩散制结工序对太 阳能电池的效率起有比较重要的作用，因此扩散制结属于一道重要的工序；扩散过程中发 生的反应如下4P0Cl3+5& — P205+6C12，即由POCl3分解产生的P2O5淀积在硅片表面，再使 其与Si反应生成SW2和磷原子2P205+5Si — 5Si&+4P，这样就在硅片表面形成一层含有 磷元素的SiO2，通称为磷硅玻璃，简称PSG ；由于通过扩散在硅片表面形成的PSG严重阻碍 后续的工艺，影响电池片的效率，因此必须对扩散后形成的PSG进行去除；目前，常规的去PSG设备采用槽式去PSG隧道烘干设备，一般的流程为HF酸浸泡—— 纯水冲洗——热水预脱水——烘干；在这个过程中，由于热水预脱水不可能完全的将水脱 干，而未完全脱干的水在烘干后的硅片表面不能够被...
【技术保护点】
一种减少槽式去ＰＳＧ设备产生水渍的方法，其特征是：所述的方法采用如下步骤：Ａ、将表面有ＰＳＧ的硅片放到硅片承载盒；Ｂ、将装有硅片的承载盒放入Ｄ－１清洗液中清洗去除硅片表面的ＰＳＧ；Ｃ、将硅片放入１８ＭΩ的纯水中冲洗去除硅片表面粘附的Ｄ－１清洗液；Ｄ、将硅片放入无水乙醇中脱水３－５分钟；Ｅ、将脱水后的硅片放入烘箱烘干；Ｆ、去ＰＳＧ工艺完成，对烘干后的硅片进行后道工序的生产。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：韩帅君，李向前，张明坤，张永伟，景彦娇，张玉磊，
申请(专利权)人：上海超日洛阳太阳能有限公司，
类型：发明
国别省市：41[]
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