【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种适用于平版印刷术的具有增透特性的硬掩膜组合物。本专利技术更具 体地涉及在短波长区域内(如157、193*M8nm)具有强吸收作用的含芳环的聚合物、和含 有任意一种所述聚合物的硬掩膜组合物。
技术介绍
在大多数印刷工艺中,为了达到更好的分辨率,使用增透涂层(antireflective coating,ARC)来将抗蚀材料层和基底之间的反射率降到最小。然而,由于各结构层之间的 基本组成相似,因此ARC材料赋予图像层很差的蚀刻选择性。相应地,图像化之后,在ARE 的蚀刻过程中图像层的许多部分不可避免地被消耗掉,在随后的蚀刻步骤中因而需要另外 的图像化。在一些平版印刷工艺中所用的抗蚀材料的耐蚀刻性并不足以有效地将所需的图 案转印到抗蚀材料的下层。例如,在许多情况下,当需要极薄的抗蚀材料、待蚀刻的基底很 厚、需要相当大的基底蚀刻深度、对于特殊基底需要使用特殊的蚀刻剂或它们的组合时,硬 掩膜用作具有图案的抗蚀层和将要形成图案的基底之间的中间层来处理抗蚀下层膜。硬掩 膜用来接收来自具有图案的抗蚀层的图案并且将图案转印到基底。用于处理抗蚀下层膜的 硬掩膜层必须能够经受转印图案所需要的蚀刻过程。例如,将抗蚀图案用作处理基底的掩膜,如氧化硅膜。然而,小型化使得抗蚀层厚 度降低,抗蚀层对基底的掩护能力变差。因而,基本上不可能无损地处理氧化物膜。根据克 服这些问题的方法,抗蚀图案被转印到用于处理氧化物膜的下层膜,然后以具有图案的下 层膜作掩膜对氧化物膜进行干蚀刻。用于处理氧化物膜的下层膜指的是在增透膜下边形成 的用作增透膜下层的膜层。因为在这个过程中抗蚀层的 ...
【技术保护点】
一种含芳环的聚合物,其特征在于,该聚合物如式3所示:***其中,G选自***和***各个R1选自-CH↓[2]-、***和***,各个R↓[2]选自氢、羟基、C↓[1]-C↓[10]的烷基、C↓[6]-C↓[10]的芳基、烯丙基和卤素,1≤n<750,并且2≤m+n<750。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员:邢敬熙,金钟涉,鱼东善,吴昌一,尹敬皓,金旼秀,李镇国,
申请(专利权)人:第一毛织株式会社,
类型:发明
国别省市:KR[韩国]
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