本发明专利技术公开一种像素结构，包括一基板、一扫描线、一栅极、一栅绝缘层、一图案化半导体层、一源极、一漏极、一数据线、一保护层、一像素电极与一第一连接导线。其中，扫描线与栅极皆配置于基板上。此外，栅绝缘层覆盖基板、扫描线与栅极。另外，图案化半导体层配置于栅极上方的栅绝缘层上。源极与漏极分别配置于图案化半导体层上。特别地，保护层具有多个暴露出数据线的第二接触窗开口。像素电极配置于保护层上，并透过第一接触窗开口而与漏极电性连接。第一连接导线配置于数据线上方的保护层上，并透过第二接触窗开口而与数据线电性连接。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关于一种，且特别是有关于一种液晶显 示面板的。
技术介绍
现今社会多媒体技术相当发达，多半受惠于半导体元件与显示装置的进 步。就显示器而言，具有高画质、空间利用效率佳、低消耗功率、无辐射等优 越特性的液晶显示面板已逐渐成为市场的主流。具体来说，液晶显示面板是由一薄膜晶体管阵列基板、 一彩色滤光基板与 一夹于两基板之间的液晶层所构成。 一般传统薄膜晶体管阵列基板的制造方法 需通过五道光掩模制程才能完成，其中第一道光掩模制程主要是将栅极与扫描线(scan line)定义出来，第二道光掩模制程主要是将沟道层(channel)定义 出来，第三道光掩模制程主要是将源极(source)、漏极(drain)与数据线(data line)定义出来，第四道光掩模制程主要是将保护层(passivation)定义出来， 而第五道光掩模制程主要是将像素电极(pixel electrode)定义出来。值得注意的是，在形成扫描线与数据线时容易有断线的问题，这会直接导 致薄膜晶体管阵列基板的制造良率下降，并大幅提高生产成本。此外，液晶显示面板的显示品质也会直接受到影响，实有改进的必要。
技术实现思路
本专利技术提供一种像素结构的制造方法，其具有高良率的优点。 本专利技术提供一种像素结构，其具有良好的可靠度。本专利技术提供一种像素结构的制造方法，其可制造出不易断线的像素结构。 本专利技术提出一种像素结构，其具有不易断线的优点。 本专利技术提供一种像素结构的制造方法，包括下列步骤首先，提供一基板。接着，于基板上形成一扫描线与一栅极，且扫描线与栅极电性连接。然后，于 基板上形成一栅绝缘层，以覆盖基板、扫描线与栅极。之后，于栅极上方的栅 绝缘层上形成一图案化半导体层。此外，于栅绝缘层上方形成一数据线，并于 部分的图案化半导体层上分别形成一源极与一漏极，其中数据线与源极电性连 接。另外，形成一保护层，以覆盖部分栅绝缘层、源极、漏极、数据线与部分 图案化半导体层。此外，保护层具有一暴露出漏极的第一接触窗开口与多个暴 露出数据线的第二接触窗开口。之后，于保护层上形成一像素电极与一第一连 接导线。此像素电极透过第一接触窗开口而与漏极电性连接。另一方面，第一 连接导线位于数据线上方的保护层上并通过第二接触窗开口而与数据线电性 连接。在本专利技术的一实施例中，还于栅绝缘层与保护层中形成多个第三接触窗开 口，以暴露出扫描线。在本专利技术的一实施例中，上述形成像素电极与第一连接导线时， 一并形成 一第二连接导线，且第二连接导线透过第三接触窗开口而与扫描线电性连接。在本专利技术的一实施例中，上述的像素电极与第一连接导线的材料例如为铟 锡氧化物、铟锌氧化物或铝锌氧化物。在本专利技术的一实施例中，上述的第二连接导线的材料例如为铟锡氧化物、 铟锌氧化物或铝锌氧化物。本专利技术提供一种像素结构，其包括一基板、 一扫描线、 一栅极、 一栅绝缘 层、 一图案化半导体层、 一源极、 一漏极、 一数据线、 一保护层、 一像素电极 与一第一连接导线。其中，扫描线与栅极皆配置于基板上，且扫描线与栅极电 性连接。此外，栅绝缘层覆盖上述的基板、扫描线与栅极。另外，图案化半导 体层至少配置于栅极上方的栅绝缘层上。上述的源极与漏极分别配置于图案化 半导体层上，且源极与数据线电性连接。另一方面，数据线配置于栅绝缘层上 方，而保护层覆盖部分栅绝缘层、部分图案化半导体层、源极、漏极与数据线。 此外，保护层具有一暴露出漏极的第一接触窗开口与多个暴露出数据线的第二 接触窗开口。上述的像素电极配置于保护层上，并透过第一接触窗开口而与漏 极电性连接。另外，第一连接导线配置于数据线上方的保护层上，并透过第二 接触窗开口而与数据线电性连接。在本专利技术的一实施例中，上述的栅绝缘层与保护层中具有多个第三接触窗 开口，以暴露出扫描线。在本专利技术的一实施例中，上述的像素结构还包括一第二连接导线，其配置 于扫描线上方的保护层上，并透过第三接触窗开口而与扫描线电性连接，且第 一连接导线与第二连接导线彼此电性绝缘。在本专利技术的一实施例中，上述的像素电极与第一连接导线的材料例如为铟 锡氧化物、铟锌氧化物或铝锌氧化物。在本专利技术的一实施例中，上述的第二连接导线的材料例如为铟锡氧化物、 铟锌氧化物或铝锌氧化物。本专利技术另提供一种像素结构的制造方法，其包括下列步骤首先，提供一 基板。接着，于基板上形成一扫描线与一栅极，且扫描线与栅极电性连接。然 后，于基板上形成一栅绝缘层，以覆盖基板、扫描线与栅极。之后，于栅极上 方的栅绝缘层上形成一图案化半导体层。此外，于栅绝缘层上方形成一数据线， 并于部分的图案化半导体层上分别形成一源极与一漏极。其中，数据线与源极 电性连接。另外，形成一保护层，以覆盖部分栅绝缘层、源极、漏极、数据线 与部分图案化半导体层。上述保护层具有一暴露出漏极的第一接触窗开口，且 保护层与栅绝缘层中具有多个暴露出扫描线的第三接触窗开口。之后，于保护 层上形成一像素电极与一第二连接导线。像素电极透过第一接触窗开口而与漏 极电性连接。此外，第二连接导线位于扫描线上方的保护层上，并通过第三接 触窗开口而与扫描线电性连接。在本专利技术的一实施例中，上述的像素电极与第二连接导线的材料例如为铟 锡氧化物、铟锌氧化物或铝锌氧化物。本专利技术另提供一种像素结构，其包括一基板、 一扫描线、 一栅极、 一栅绝 缘层、 一图案化半导体层、 一源极、 一漏极、 一数据线、 一保护层、 一像素电 极与一第二连接导线。其中，扫描线与栅极皆配置于基板上，且扫描线与栅极 电性连接。此外，栅绝缘层覆盖基板、扫描线与栅极，而图案化半导体层至少 配置于栅极上方的栅绝缘层上。上述的源极与漏极分别配置于图案化半导体层 上，且源极与数据线电性连接。另外，数据线配置于栅绝缘层上方。保护层覆 盖部分栅绝缘层、部分图案化半导体层、源极、漏极与数据线。其中，保护层具有一暴露出漏极的第一接触窗开口，且保护层与栅绝缘层中具有多个暴露出 扫描线的第三接触窗开口。此外，像素电极配置于保护层上，并透过第一接触 窗开口而与漏极电性连接。上述的第二连接导线配置于扫描线上方的保护层 上，并透过第三接触窗开口而与扫描线电性连接。在本专利技术的一实施例中，上述的像素电极与第二连接导线的材料例如为铟 锡氧化物、铟锌氧化物或铝锌氧化物。由于本专利技术像素结构的制造方法在数据线上方的保护层上，形成第一连接 导线并透过保护层中的第二接触窗开口而与数据线电性连接。因此，本专利技术的 像素结构可以有效借由数据线与第一连接导线来传递信号，进而能有效降低数 据线因断线而无法正常传递信号的机率。此外，本专利技术的像素结构可以同时形 成第一连接导线与第二连接导线，以进一步提升像素结构的可靠度。附图说明为让本专利技术的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本发 明的具体实施方式作详细说明，其中图1A 图1E是本专利技术像素结构的制造流程俯视图。图2A 图2E是本专利技术像素结构的制造流程沿着图1A 图1E的AA'、BB' 以及XX'的剖面示意图。图3是本专利技术另一像素结构的俯视图。图4是图3所示的像素结构的沿着AA'、 BB'以及XX'的剖面示意图。主要元件符号说明100、 200:像素结构110:基板112:扫描线112g:栅极112C:共用配线114:栅绝本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种像素结构的制造方法，包括： 提供一基板； 于该基板上形成一扫描线与一栅极，且该扫描线与该栅极电性连接； 于该基板上形成一栅绝缘层，以覆盖该基板、该扫描线与该栅极； 于该栅极上方的栅绝缘层上形成一图案化半导体层；于该栅绝缘层上方形成一数据线，并于部分的该图案化半导体层上分别形成一源极与一漏极，其中该数据线与该源极电性连接； 形成一保护层，以覆盖部分该栅绝缘层、该源极、该漏极、该数据线与部分该图案化半导体层，其中该保护层具有一暴露出该漏极的第一接触窗开口与多个暴露出该数据线的第二接触窗开口；以及 于该保护层上形成一像素电极与一第一连接导线，其中该像素电极透过该第一接触窗开口而与该漏极电性连接，而该第一连接导线位于该数据线上方的保护层上并透过该些第二接触窗开口而与该数据线电性连接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：洪建兴，吴英明，黄坤源，陈晋昇，黄乙峰，
申请(专利权)人：中华映管股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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