正交调制器和内置正交调制器的半导体集成电路制造技术

本发明专利技术提供一种正交调制器和内置正交调制器的半导体集成电路，该正交调制器具有第一至第四晶体管（Ｍ１～Ｍ４）、第一节点（Ｎ１）、第二节点（Ｎ２）以及第一输出节点（Ｎｏｕｔ）。向（Ｍ１～Ｍ４）的输入电极分别供给非反转同相模拟信号（ＢＢＩ）、反转同相模拟信号（ＢＢＩＢ）、非反转正交模拟信号（ＢＢＱ）以及反转正交模拟信号（ＢＢＱＢ）。（Ｍ１～Ｍ４）的控制电极分别响应非反转同相ＲＦ信号（ＬＯＩ）、反转同相ＲＦ信号（ＬＯＩＢ）、非反转正交ＲＦ信号（ＬＯＱ）以及反转正交ＲＦ信号（ＬＯＱＢ）。（Ｍ１）、（Ｍ２）的输出电极与（Ｎ１）连接，（Ｍ３）、（Ｍ４）的输出电极与（Ｎ２）连接。第一高通滤波器（ＨＰＦ１）连接在（Ｎ１）与（Ｎｏｕｔ）之间，第二高通滤波器（ＨＰＦ２）连接在（Ｎ２）与（Ｎｏｕｔ）之间。该正交调制器噪声特征低、线性良好、功耗低。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种正交调制器，包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第一节点、第二节点以及第一输出节点，该正交调制器的特征在于：上述第一晶体管、上述第二晶体管、上述第三晶体管以及上述第四晶体管的各晶体管具有输入电极、输出电极以及控制电极，能够响应被提供给上述控制电极的控制电压来控制上述输入电极与上述输出电极之间的电导率，能够向上述第一晶体管的上述输入电极、上述第二晶体管的上述输入电极、上述第三晶体管的上述输入电极以及上述第四晶体管的上述输入电极分别供给非反转同相模拟信号、反转同相模拟信号、非反转正交模拟信号以及反转正交模拟信号，上述第一晶体管的上述控制电极、上述第二晶体管的上述控制电极、上述第三晶体管的上述控制电极以及上述第四晶体管的上述控制电极能够分别响应非反转同相ＲＦ信号、反转同相ＲＦ信号、非反转正交ＲＦ信号以及反转正交ＲＦ信号，上述第一晶体管的上述输出电极和上述第二晶体管的上述输出电极与上述第一节点连接，上述第三晶体管的上述输出电极和上述第四晶体管的上述输出电极与上述第二节点连接，还包括连接在上述第一节点与上述第一输出节点之间的第一高通滤波器和连接在上述第二节点与上述第一输出节点之间的第二高通滤波器。...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：中村宝弘，山胁大造，乘松崇泰，木原崇雄，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：JP