功率器件封装及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种功率器件封装，该功率器件封装具有较好的散热性，并且包括：阳极化金属衬底，该阳极化金属衬底包括在其一个表面上形成有空腔的金属板、形成在金属板的表面上以及空腔的内壁上的阳极化层以及形成在金属板上的电路层；功率器件，安装在金属板的空腔中，以便连接至电路层；以及树脂密封材料，填充在金属板的空腔中。本发明专利技术还提供了一种制造功率器件封装的方法。

【技术实现步骤摘要】
相关申请交叉参考本申请要求于2009年8月6日提交的题为“Power devicepackage and fabricating method of the same(功率器件封装及其制造方法)”的第10-2009-0072440号韩国专利申请的权益，其全部内容结合于此作为参考。
本专利技术涉及一种功率器件封装及其制造方法。
技术介绍
功率器件，例如，选自可控硅整流器、功率晶体管、绝缘栅极双极晶体管、MOSS晶体管、功率整流器、功率调节器、换流器、转换器及其组合的大功率半导体芯片，设计成在30～100V的电压下、或100V以上的电压下工作。因此，其上安装有这种大功率半导体芯片的功率器件封装需要具有很强的耗散大功率半导体芯片所产生的热的能力。图1是示出了传统功率器件封装的横截面图。如图1所示，传统功率器件封装包括：用于将热传送到散热件(heat sink)25的铜板20、形成在铜板20上并具有绝缘层和电路层的DCB(直接铜熔结)电路衬底10、以及利用焊料23接合在DCB电路衬底10上的小功率器件13和大功率器件15。小功率器件13和大功率器件15典型地使用导线(未示出)连接至电路层，且本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种功率器件封装，包括：阳极化金属衬底，该阳极化金属衬底包括在一个表面上形成有空腔的金属板、形成在所述金属板的表面和所述空腔的内壁上的阳极化层、及形成在所述阳极化层上的电路层；功率器件，安装在所述金属板的空腔中，以便连接至所述电路层；以及树脂密封材料，填充在所述金属板的空腔中。

【技术特征摘要】
KR 2009-8-6 10-2009-00724401.一种功率器件封装，包括：阳极化金属衬底，该阳极化金属衬底包括在一个表面上形成有空腔的金属板、形成在所述金属板的表面和所述空腔的内壁上的阳极化层、及形成在所述阳极化层上的电路层；功率器件，安装在所述金属板的空腔中，以便连接至所述电路层；以及树脂密封材料，填充在所述金属板的空腔中。2.根据权利要求1所述的功率器件封装，其中，所述电路层包括形成在所述空腔的内壁上的内电路层；以及形成在所述金属板的表面上并连接至所述内电路层的外电路层。3.根据权利要求2所述的功率器件封装，其中，所述外电路层上形成有连接件。4.根据权利要求2所述的功率器件封装，其中，所述金属板的一个表面上形成有盖件，以便盖住所述外电路层，并且所述盖件具有通孔，所述通孔使所述外电路层暴露并具有连接至所述外电路层的互连部分。5.根据权利要求1所述的功率器件封装，其中，所述阳极化金属衬底的与具有所述功率器件的表面相对的表面上附设有散热件。6.根据权利要求1所述的功率器件封装，其中，所述金属板包括铝或铝合金，并且所述阳极化层包括阳极氧化铝。7.根据权利要求1所述的功率器件封装，其中，所述功率器...

【专利技术属性】
技术研发人员：金泰贤，崔硕文，金泰勋，张范植，朴志贤，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]