发光器件封装和照明系统技术方案

本发明专利技术提供发光器件封装和照明系统。发光器件封装包括发光器件芯片、至少一个导线以及包封材料。发光器件芯片包括：第一导电型半导体层、在所述第一导电型半导体层上的第二导电型半导体层、和在所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体层之间的有源层；导线在发光器件芯片上。包封材料在导线之外的发光器件芯片上并且包括磷光体。导线垂直于发光器件芯片的上表面，至少直至包封材料的高度。

【技术实现步骤摘要】

实施方案涉及发光器件封装和照明系统。
技术介绍
在发光器件中，通过将周期表上III族和V族元素组合，可形成具有将电能转化为 光能的性能的P-N结二极管。发光器件可通过控制化合物半导体的组成比例来实现各种颜 色。在发光器件中，当施加正向电压时，η-层的电子与P-层的空穴复合，发射出对应 于导带和价带之间能隙的能量。该能量通常以热或者光的形式发射。在发光器件中，能量 以光的形式发射。例如氮化物半导体由于其高热稳定性和宽能带隙而在光学器件和高功率电子器 件领域中受到许多关注。特别地，使用氮化物半导体的蓝色发光器件、绿色发光器件和UV 发光器件已经商业化并且广泛使用。 为形成白色发光器件封装，作为光的三原色的红色、绿色和蓝色的发光器件可组 合，或者可将黄色磷光体例如钇铝石榴石(YAG)和铽铝石榴石(TAG)作为磷光体添加到蓝 色发光器件，或者可将(红色/绿色/蓝色)三色磷光体作为磷光体添加到UV发光器件。当白色发光器件封装包括具有磷光体的包封材料时，磷光体在模制之后随着时间 流逝下降至发光器件封装的底部，由此磷光体在发光器件芯片周围可不均勻分布，并且色 温可能宽分布。此外，因为磷光体的分布区域大于发光器件的区域，所以磷光体在发光器件周围 可不均勻分布，并且色温可能宽分布。
技术实现思路
实施方案提供具有均勻磷光体分布的发光器件封装和照明系统。在一个实施方案中，一种发光器件封装包括发光器件芯片，包括第一导电型半 导体层、在所述第一导电型半导体层上的第二导电型半导体层、和在所述第一导电型半导 体层和所述第二导电型半导体层之间的有源层；在所述发光器件芯片上的至少一个导线； 以及在所述导线之外的所述发光器件芯片上的包封材料，所述包封材料包括磷光体，其中 所述导线垂直于所述发光器件芯片的上表面，至少直至所述包封材料的高度。在另一实施方案中，发光器件封装包括在所述发光器件芯片上的多个导线；和 在所述导线之间的所述发光器件芯片上的包封材料，所述包封材料包括磷光体，其中所述 导线包括至少一个虚拟导线(dummy wire)。在另一实施方案中，一种发光器件封装包括发光器件芯片，其包括第一导电型半 导体层、在所述第一导电型半导体层上的第二导电型半导体层、和在所述第一导电型半导 体层和所述第二导电型半导体层之间的有源层；在所述发光器件芯片上的至少一个导线； 以及在所述导线之外的所述发光器件芯片上的包封材料，所述包封材料包括磷光体，其中所述导线与所述发光器件芯片的最外部接触。 在另一实施方案中，照明系统包括发光模块，所述发光模块包括衬底和在所述衬 底上的发光器件封装。在附图和以下描述中对一个或更多个实施方案的细节进行阐述。其他特征由说明 书和附图以及权利要求而明显。附图说明图1是根据第一实施方案的发光器件封装的横截面图。图2是说明根据第一实施方案的发光器件封装的局部平面图。图3 5是说明根据第二至第四实施方案的发光器件封装的局部平面图。图6 8是说明根据第一实施方案的发光器件封装的制造方法的横截面图。图9是根据一个实施方案的照明单元的立体图。图10是根据一个实施方案的背光单元的分解立体图。具体实施例方式以下，将参考附图描述根据实施方案的发光器件封装和照明系统。在实施方案的描述中，应理解当层(或膜)称为在另一层或衬底“上”时，其可直 接在另一层或者衬底上，或者也可存在中间层。此外，应理解当层被称为在另一层“下”时， 其可以直接在另一层下，也可存在一个或更多个中间层。另外，也应理解当层被称为在两层 “之间”时，其可以是在所述两层之间仅有的层，或也可存在一个或更多个中间层。[实施方案]图1是根据第一实施方案的发光器件封装500的横截面图。发光器件封装500可包括发光器件芯片200，设置于发光器件芯片200上的一个 或者更多个导线300，以及包括磷光体(未显示)的并设置于导线300之间的发光器件芯片 200上的包封材料400。发光器件芯片200可设置在子基座110上。在该实施方案中，包封材料400的上表面可为平坦的并因此可发射表面光，由此 有利于光学设计。或者，包封材料400可具有凹凸上表面(未显示)，由此改善光提取效率。包封材料400的高度等于或者低于导线300的高度，其中导线300可设置在发光 器件芯片200的最外部的周围并且定向为垂直于发光器件芯片200的上表面。导线300相 比于包封材料400高度的相对高度、导线300的垂直定向、发光器件芯片200的最外部周围 的导线300的定位、以及包封材料400的内在表面张力有助于在发光器件芯片200表面上 包含包封材料并促进包封材料400的均勻性。这进而改善发光效率。因此，根据该实施方案，包括磷光体的包封材料设置于导线300之间的发光器件 芯片200上，因此磷光体在发光器件芯片周围均勻设置，并且实现窄的色温分布。图2是说明根据第一实施方案发光器件封装的发光器件芯片的上端的局部平面 图。根据第一实施方案，导线300可包括第一导线310和第二导线320，其可与实际的 垫(pad)连接。图2中说明的芯片是水平发光器件芯片，但是本公开不限于此。图3 5是说明根据第二至第四实施方案的发光器件封装的的局部平面图。根据第二至第四实施方案，导线可包括一个或更多个虚拟导线340。例如，导线可 包括设置于实际的垫(未显示)上的真实导线330、以及包括第一至第三虚拟导线341、 342和343的虚拟导线340。第二实施方案可应用于垂直发光器件芯片，但是本公开不限于 此。图3是说明根据第二实施方案的发光器件封装500b的局部平面图。导线设置于 发光器件芯片的上部角落处，但是本公开不限于此。图4是说明根据第三实施方案的发光 器件封装500c的局部平面图。真实导线330以及包括第一至第三虚拟导线351、352和353 的虚拟导线350可设置在发光器件芯片的角落之外。图5是说明根据第四 实施方案的发光 器件封装500d的局部平面图。提供虚拟导线360，但是本公开不限于此。在各图3 图5 中，每一个导线均定位为使得与其它导线中的对应一个导线相对。根据该实施方案，包括磷光体的包封材料设置于导线300之间的发光器件芯片 200上，因此磷光体在发光器件芯片周围均勻设置，并且实现窄的色温分布。以下，将参考图6 8描述根据一个实施方案的发光器件封装的制造方法。首先，参考图6，准备子基座110。子基座110可具有类似于发光器件芯片材料的热膨胀系数和高热导率。例如，在 该实施方案中，子基座110可由硅(Si)形成，但是本公开不限于此。子基座110可包括反射杯(未显示)，并且在子基座110中可设置齐纳二极管型防 静电放电(ESD)器件。在子基座110上可形成第一引线框120和第二引线框130，但是本公开对于其类型 和数目没有限制。第一引线框120和和第二引线框130中的至少之一可为虚拟引线框。引 线框可与子基座110电绝缘。然后，将发光器件芯片200附着于子基座110上。发光器件芯片200可由诸如GaN、GaAs、GaAsP或者GaP的材料形成。例如，绿色 蓝色LED可由GaN(InGaN)形成，黄色 红色LED可由InGaAlP或者AlGaAs形成，但是本公 开不限于此。发光器件芯片200可包括第一导电型半导体层(未显示)本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光器件封装，包括：发光器件芯片，所述发光器件芯片包括第一导电型半导体层、在所述第一导电型半导体层上的第二导电型半导体层以及在所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体层之间的有源层；附着于所述发光器件芯片的上表面并从所述发光器件芯片的上表面垂直突出的至少一个导线；和在所述发光器件芯片上的包封材料，其中所述包封材料包括磷光体，并且其中所述包封材料的上表面的高度等于或者低于所述至少一个导线的高度。

【技术特征摘要】
KR 2009-10-22 10-2009-01006551.一种发光器件封装，包括发光器件芯片，所述发光器件芯片包括第一导电型半导体层、在所述第一导电型半导 体层上的第二导电型半导体层以及在所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体 层之间的有源层；附着于所述发光器件芯片的上表面并从所述发光器件芯片的上表面垂直突出的至少 一个导线；和在所述发光器件芯片上的包封材料，其中所述包封材料包括磷光体，并且其中所述包 封材料的上表面的高度等于或者低于所述至少一个导线的高度。2.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中所述包封材料的上表面是基本平坦的。3.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中所述包封材料具有凹凸上表面。4.根据权利要求1所述的发光器件封装，还包括附着于所述发光器件芯片的上表面并且从所述发光器件芯片的上表面垂直突出的多 个导线，并且其中一个或者更多个所述导线是虚拟导线。5.根据权利要求4所述的发光器件封装，其中所述多个导线设置在所述发光器件芯片 周围。6.根据权利要求5所述的发光器件封装，其中所述多个导线接触所述发光器件芯片的 周边部分。7.一种发光器件封装，包括发光器件芯片，所述发光器件芯片包括第一导电型半导体层、在所述第一导电型半导 体层上的第二导电型半导体层以及在所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体 层之间的有源层；在所述发光器件芯片上的多个导线；和在包含于所述多个导线之间的所述发光器件芯片上的包封材料，其中所述包封材料包 括磷光体，并且其中所述多个导线中的至少之一是虚拟导线。8.根据权利要求7所述的发光器件封装，其中所述多个导线设置在所述发光器件芯片 周围，并且其中所述多个导线中的每一个定位为与其它导线中的对应一个导线相对。9.根据权利要求7所述的发光器件封装，其中所述多个导线包括两个真实导线以及一 个或者更多个虚拟导线。10.根据权利要求7所述的发光器件封装，其中所述多...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄贞夏，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]