发光器件及其制造方法、发光器件封装和照明系统技术方案

本发明专利技术涉及发光器件及其制造方法、发光器件封装和照明系统。发光器件包括：发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、以及第一和第二导电半导体层之间的有源层；第一导电半导体层上的第一电极；第二导电半导体层上的透明电极层；以及透明电极层上的第二电极，其中第二电极被紧固到透明电极。

【技术实现步骤摘要】

本实施例涉及发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装、以及照明系统。
技术介绍
最近，关于采用发光二极管(LED)作为发光器件的器件，已经进行了各种研究和 探索。LED通过使用化合物半导体的特性将电能转化为光。LED具有第一导电半导体层、 有源层、以及第二导电半导体层的堆叠结构，并且当电力被施加到其时通过有源层发光。第一电极层形成在第一导电半导体层上并且第二电极层形成在第二导电半导体层上。同时，诸如ITO层的透明电极层形成在第二导电半导体层上以实现电流扩散效果 并且第二电极层形成在透明电极层上。然而，由于透明电极层和第二电极层之间的粘附力弱，所以第二电极层可能与透 明电极层分离。
技术实现思路
实施例提供具有新颖的结构的发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装、以 及照明系统。实施例提供具有与第二电极层牢固地耦合的透明电极层的发光器件、制造发光器 件的方法、发光器件封装、以及照明系统。根据实施例的发光器件包括发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、第二 导电半导体层、以及在第一和第二导电半导体层之间的有源层；第一导电半导体层上的第 一电极；第二导电半导体层上的透明电极层；以及透明电极层上的第二电极，其中第二电 极被紧固到透明电极。根据实施例的发光器件封装包括主体；主体上的第一和第二封装电极；发光器 件，该发光器件电气地连接至主体上的第一和第二封装电极；以及模制组件，该模制组件包 围主体上的发光器件，其中该发光器件包括发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、 第二导电半导体层、以及在第一和第二导电半导体层之间的有源层；第一导电半导体层上 的第一电极；第二导电半导体层上的透明电极层；以及透明电极层上的第二电极，其中该 第二电极被紧固到透明电极。根据实施例的照明系统包括发光模块，该发光模块包括衬底和安装在衬底上作为 光源的至少一个发光器件，其中该发光器件包括发光结构，该发光结构包括第一导电半导 体层、第二导电半导体层、以及在第一和第二导电半导体层之间的有源层；第一导电半导体层上的第一电极；第二导电半导体层上的透明电极层；以及透明电极层上的第二电极，其 中该第二电极被紧固到透明电极。根据实施例的制造发光器件的方法包括下述步骤形成包括第一导电半导体层、 有源层以及第二导电半导体层的发光结构；在第二导电半导体层上形成透明电极层；以及 形成被紧固到透明电极层的电极。附图说明图1至图5是示出用于制造根据第一实施例的发光器件的过程的截面图；图6至图11是示出用于制造根据第二实施例的发光器件的过程的截面图；图12是根据实施例的包括发光器件的发光器件封装的截面图；图13是根据实施例的包括发光器件或者发光器件封装的背光单元的分解透视 图；以及图14是根据本实施例的包括发光器件或者发光器件封装的照明单元的透视图。 具体实施例方式在实施例的描述中，应该理解的是，当层(或膜)、区域、图案或结构被称为在另一 个衬底、另一个层(或膜)、另一个区域、另一个垫或另一个图案“上”或“下”时，它可以“直 接”或“间接”在另一个衬底上、层(或膜)、区域、垫或图案上，或者也可以存在一个或多个 中间层。为了方便或清楚起见，附图中所示的每个层的厚度和尺寸可以被夸大、省略或示 意性绘制。另外，元件的尺寸没有完全反映真实尺寸。在下文中，将会参考附图描述根据实施例的发光器件、制造发光器件的方法、发光 器件封装、以及照明系统。图1至图5是示出用于制造根据第一实施例的发光器件的过程的截面图。参考图5，根据第一实施例的发光器件包括具有顺序地形成在生长衬底10上的第 一导电半导体层20、有源层20以及第二导电半导体层40的发光结构。第一电极70形成 在第一导电半导体层20上并且透明电极层50和第二电极60形成在第二导电半导体层40 上。第一生长衬底10 可以包括 Al203、Si、SiC、GaAs、ai0、Mg0、GaN、fei203 或者玻璃中 的至少一种。发光结构可以包括GaN基半导体层。通过使用feiN、InGaN, AlGaN、或者InAlGaN 能够形成发光结构。例如，第一导电半导体层20包括η型半导体层。第一导电半导体层20可 以包括诸如InAlGaN、GaN, AlGaN、InGaN, AlInN, AlN或者hN的具有复合化学式 InxAlyGa1^yN(0≤χ≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体材料。另外，第一导电半导体 层20可以掺杂有诸如Si、Ge或者Sn的η型杂质。在有源层30处通过第二导电半导体层40注入的空穴(或电子)耦合通过第一导 电半导体层20注入的电子(空穴)，从而有源层30根据有源层30的材料基于能带的带隙差发光。有源层30可以具有单量子阱结构、多量子阱(MQW)结构、量子线结构或者量子点 结构，但是实施例不限于此。有源层30可以包括具有复合化学式化/明 ^-力⑴彡χ彡1、0彡y彡1、 0 ^ x+y ^ 1)的半导体材料。如果有源层30具有MQW结构，那么有源层30具有包括多个 阱层和多个阻挡层的堆叠结构。例如，有源层30可以具有InGaN阱层/GaN阻挡层的堆叠 结构。掺杂有η型或者ρ型掺杂物的包覆层(未示出)能够形成在有源层30上和/或 下。包覆层可以包括AlGaN层或者IniUGaN层。例如，第二导电半导体层40包括ρ型半导体层。第二导电半导体层40可 以包括诸如InAlGaN、GaN, AlGaN, InGaN, AlInN, AlN或者hN的具有复合化学式 InxAlyGa1^yN(0彡χ彡1、0彡y彡1、0彡x+y彡1)的半导体材料。另外，第二导电半导体 层40可以掺杂有诸如Mg、Zn、Ca、Sr、或者Ba的ρ型杂质。相反地，第一导电半导体层20可以包括ρ型半导体层并且第二导电半导体层40 可以包括η型半导体层。另外，包括η型或者P型半导体层的第三导电半导体层(未示出) 能够形成在第二导电半导体层40上。因此，发光结构可以具有ΝΡ、ΡΝ、ΝΡΝ或者PNP结结构 中的一种。另外，导电掺杂物能够被均勻地或者不均勻地掺杂在第一和第二导电半导体层 20和40中。即，发光结构可以具有各种结构并且实施例不限于此。换言之，能够对包括第一导电半导体层20、有源层30以及第二导电半导体层40的 发光结构进行各种修改而没有限制。透明电极层50包括形成在第二导电半导体层40上的第一透明电极层51和形成 在第一透明电极层51上的第二透明电极层52。另外，第二电极60包括形成在第一透明电 极层51上的约束层61和形成在约束层61上的支撑层62。另外，第一电极70形成在第一 导电半导体层20上。根据第一实施例，第一电极70形成在第一导电半导体层20上并且第 二电极60形成在第二导电半导体层40上。根据第一实施例的发光器件，第二电极60被紧固到透明电极。术语“紧固”包括但 不限于第二电极和透明电极之间的任何机械组合从而增强其间的耦合力。例如，约束层61 的部分被布置在第一和第二透明电极层51和52之间，并且第二透明电极层52的部分被布 置在约束层61和支撑层62之间。约束层61的底表面与第一透明电极层51的顶表面相接触，并且约束层61的外侧 和顶表面与第二透明电极层52相接触。约束层61部分地接触支撑层62从而约束层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光器件，包括：发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、以及在所述第一和第二导电半导体层之间的有源层；所述第一导电半导体层上的第一电极；所述第二导电半导体层上的透明电极层；以及所述透明电极层上的第二电极，其中所述第二电极被紧固到所述透明电极。

【技术特征摘要】
KR 2009-10-21 10-2009-01000711.一种发光器件，包括发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、以及在所述第一 和第二导电半导体层之间的有源层；所述第一导电半导体层上的第一电极；所述第二导电半导体层上的透明电极层；以及所述透明电极层上的第二电极，其中所述第二电极被紧固到所述透明电极。2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述透明电极层部分地包围所述第二电极。3.根据权利要求1所述发光器件，其中所述透明电极层包括所述第二导电半导体层上 的第一透明电极层和所述第一透明电极层上的第二透明电极层，并且所述第二电极包括所 述第一透明电极层上的约束层以及所述约束层和所述第二透明电极层上的支撑层。4.根据权利要求3所述的发光器件，其中所述第二透明电极层与所述约束层的横向侧 和顶表面以及所述支撑层的底表面相接触。5.根据权利要求3所述的发光器件，其中所述第二透明电极层与所述约束层的横向侧 和底表面以及所述支撑层的顶表面相接触。6.根据权利要求3所述的发光器件，其中部分所述第二透明电极层被布置在所述约束 层和所述支撑层之间。7.根据权利要求3所述的发光器件，其中部分所述约束层被布置在所述第一和第二透 明电极层之间。8.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述透明电极层包括从由ITO、ZnO、GZO、RuOx 以及IrOx组成的组中选择的至少一种，其中χ是整数。9.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第二电极包括从由Cr、Ti、Ni、Ag或者Al 组成的组中选择的至少一种。10.根据权利要求1所述的发光器件，进一步包括在所述发光结构下的生长衬底。11.根据权利要求3所述的发光器件，其中所述第一透明电极层与所述第二导电半导 体层相接触，并且所述第二透明电极层与所述第一透明电极层耦合，部分所述第二透明电 极层...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴径旭，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]