蚀刻薄膜电阻电路板制作方法技术

本发明专利技术公开了一种蚀刻薄膜电阻电路板制作方法，包括提供一堆栈有一金属层及一电阻材料的基板；于该金属层上形成一第一预定图样的第一光阻；实行第一道蚀刻，以图样化该金属层，使电阻材料对应一第一宽度露出；移除第一光阻；形成一第二预定图样的第二光阻；实行第二道蚀刻，以图样化金属层及电阻材料，使因第一道蚀刻所露出的第一宽度电阻材料移除至第二宽度；移除第二光阻；以形成具有电阻的电路板。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，尤其涉及一种可以形成正确的电 阻尺寸的制作方法。
技术介绍
请参阅图3，为文献“薄膜嵌入式电阻(Thin Film EmbeddedResistors) ”，作者为 王建涛与席迪可劳斯(Jiangtao Wang and Sid Clouser)，为美国古尔德电子公司(Gould Electronics Inc,US)所记载的一种蚀刻薄膜电阻制作流程示意图。如图3A至图3G所示， 先形成一有一电阻材料B及一金属层C的基板A，再于该金属层C上形成一预定形状的第一 光阻D，此第一光阻D宽度W为电阻的预定宽度，再以蚀刻去除该第一光阻D涵盖范围以外 的金属层C及电阻材料B，去除第一光阻D。于金属层C上形成一具有一开窗El的第二光 阻E，该开窗El长度L为电阻的预定长度，以蚀刻去除开窗El以下所对应范围的金属层C， 以露出对应于开窗El位置的电阻材料B，去除第二光阻E，便形成具有电阻F的电路板G。制作过程中，当蚀刻第一光阻D所涵盖范围以外的金属层C及电阻材料B时，由于 需蚀刻相堆栈的金属层及电阻材料，蚀刻厚度较厚，常造成下层的电阻材料蚀刻不尽，在电 阻材料边界与基板的接触地方便产生残足问题，后续需多加一道蚀刻制作过程，方能将该 残足尽力去除。此外，请参阅图3E，由第二光阻俯视，底下金属层的宽度是介于开窗的中央，因此 蚀刻金属层时，除了将对应于开窗位置的金属层蚀刻掉，蚀刻液还会渗透至金属层C与第 二光阻E及电阻材料B之间的间隙，造成被蚀刻后的金属层C其开窗位置的各角落被蚀刻 成圆弧状。以上两种问题，会造成不易控制成型出正确的电阻尺寸的缺点。因此如何在进行蚀刻薄膜电阻制作流程中，避免残足问题以及避免金属层角落形 成圆弧状，而得到正确的电阻尺寸，实已成为目前业界亟待克服的课题。
技术实现思路
有鉴于现有技术的种种缺失，本专利技术主要目的在于提供一种蚀刻薄膜电阻电路板 制作方法，以解决现有技术中在进行蚀刻薄膜电阻制作流程中，所遇到的电阻残足问题。为达上述目的，本专利技术提供一种，包括下列步骤(1)提供一堆栈有一金属层及一电阻材料的基板；(2)于该金属层上形成一第一预定图样的第一光阻；(3)实行第一道蚀刻，以图样化该金属层，使电阻材料对应一第一宽度露出；(4)移除第一光阻；(5)形成一第二预定图样的第二光阻；(6)实行第二道蚀刻，以图样化金属层及电阻材料，使因第一道蚀刻所露出的第一 宽度电阻材料移除至第二宽度；(7)移除第二光阻；以形成具有电阻的电路板。本专利技术所述的制作方法相较于现有的制作过程，由于第一道蚀刻厚度未包含电阻 层厚度，较现有技术一开始将金属层及电阻材料一同蚀刻的厚度还要薄，使得利用本专利技术 的制作方法完成的薄膜电阻电路板上未被金属层覆盖的电阻层边缘不会发生蚀刻不尽而 产生电阻材料残足的问题。此外，在本专利技术的较佳实施例下，实行第一道蚀刻时，虽然蚀刻液也会渗透至金属 层与第一光阻及电阻材料之间的间隙，造成被蚀刻后的金属层各角落被蚀刻成圆弧状，但 由于后续的第二光阻是遮蔽在第一宽度电阻材料的中间部分，因此第二道蚀刻时，蚀刻液 会沿着第二光阻的平整边界，移除金属层及电阻材料，使第一宽度电阻材料在此阶段被移 除至第二宽度，即移除了各圆弧状角落，而得到具有完整边界的电阻。附图说明图1为本专利技术蚀刻薄膜电阻电路板制作过程的具体实施例说明流程图。图2A至图2G为显示图1中各说明流程的状态图。图3A至图3G为现有的一种蚀刻薄膜电阻制作流程示意图。具体实施例方式以下配合说明书附图对本专利技术的实施方式做更详细的说明，以使本领域技术人员 在研读本说明书后能据以实施。请参阅图1，为本专利技术蚀刻薄膜电阻电路板制作过程100的具体实施例说明流程 图。图2A至图2G，为显示图1中各说明流程的状态图。如步骤110及图2A所示，首先提 供一基板1 ；该基板1可为双面皆可施作的双面板，或以该双面板为核心并在外部堆栈有介 电层、线路、导电层等结构的多层板；本专利技术实施例是在基板1的至少一面堆栈一电阻材料 2以及一金属层3。其中该电阻材料2可为镍铬(NiCr)、镍铬铝硅(NiCrAlSi)、镍磷(NiP) 或铬硅氧(CrSiO)等合金电阻；该金属层可为铜、镍或金等金属。接续如步骤120及图2B 所示，于该金属层3上以微影技术(包含光阻剂涂布、预烤、曝光、显影、硬烤，由于微影技术 为现有技术，容不详细说明)形成一第一预定图样的第一光阻4，此第一预定图样定义了最 后所形成的电阻的长度。接续如步骤130及图2C所示，实行第一道蚀刻，以图样化该金属 层3，使电阻材料2对应一第一宽度Wl露出，其中第一宽度Wl大于最后所形成的电阻的宽 度。本专利技术不对蚀刻方式加以限定，可以为湿蚀刻或干蚀刻。接续如步骤140及图2D所 示，移除第一光阻；可利用曝光、显影或化学剥离的方式移除第一光阻。接续如步骤150及 图2E所示，于部分的金属层3与部份的电阻材料2上施以微影制作过程，形成一第二预定 图样的第二光阻5，此第二预定图样定义了最后所形成的电阻的宽度，第二光阻5遮蔽在第 一宽度电阻材料的中心部分。接续如步骤160及图2F所示，实行第二道蚀刻，以图样化金 属层3及电阻材料2，使因第一道蚀刻所露出的第一宽度电阻材料移除至第二宽度W2，其中 第二宽度W2即为电阻的最后宽度。接续如步骤170及图2G所示，可利用曝光、显影或化学 剥离的方式移除第二光阻，便形成具有电阻6的电路板7。本实施例的制作方法，由于第一道蚀刻厚度仅包含金属层厚度，并未同时蚀刻电 阻材料，蚀刻厚度较薄，不易发生蚀刻不尽而产生电阻材料残足的问题。此外，本实施例在第一道蚀刻时，虽然蚀刻液也会渗透至金属层与第一光阻及电阻材料之间的间隙，造成被蚀刻后的金属层各角落被蚀刻成圆弧状，但由于后续的第二光 阻是遮蔽在第一宽度电阻材料的中间部位，因此第二道蚀刻时，蚀刻液会沿着第二光阻的 平整边界，移除金属层及电阻材料，使第一宽度电阻材料在此阶段被移除至第二宽度，即移 除了各圆弧状角落，而得到具有完整边界的电阻，故本实施例的制作方法可以控制成型出 正确的电阻尺寸，即指未被金属层覆盖的电阻层尺寸。 以上所述仅为用以解释本专利技术的较佳实施例，并非企图据以对本专利技术做任何形式 上的限制，因此，凡有在相同的创作精神下所作有关本专利技术的任何修饰或变更，皆仍应包括 在本专利技术意图保护的范畴。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种蚀刻薄膜电阻电路板制作方法，其特征在于，包括下列步骤：　　（１）提供一堆栈有一金属层及一电阻材料的基板；　　（２）于该金属层上形成一第一预定图样的第一光阻；　　（３）实行第一道蚀刻，以图样化所述金属层，使该电阻材料对应一第一宽度露出；（４）移除该第一光阻；（５）形成一第二预定图样的第二光阻；　　（６）实行第二道蚀刻，以图样化金属层及电阻材料，使因第一道蚀刻所露出的第一宽度电阻材料移除至第二宽度；以及　　（７）移除第二光阻，形成具有电阻的电路板。

【技术特征摘要】
1.一种蚀刻薄膜电阻电路板制作方法，其特征在于，包括下列步骤(1)提供一堆栈有一金属层及一电阻材料的基板；(2)于该金属层上形成一第一预定图样的第一光阻；(3)实行第一道蚀刻，以图样化所述金属层，使该电阻材料对应一第一宽度露出；(4)移除该第一光阻；(5)形成一第二预定图样的第二光阻；(6)实行第二道蚀刻，以图样化金属层及电阻材料，使因第一道蚀刻所露出的第一宽度 电阻材料移除至第二宽度；以及(7)移除第二光阻，形成具有电阻的电路板。2.如权利要求1所述的蚀刻薄膜电阻电路板制作方法，其特征在于，所述基板为双面板。3.如权利要求2所述的蚀刻薄膜电阻电路板制作方法，其特征在于，所述制作方法是 形成于所述基板的至少一表...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨伟雄，石汉青，范字远，谢子明，
申请(专利权)人：健鼎无锡电子有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]