高亮度发光二极管组件制造技术

本实用新型专利技术涉及一种高亮度发光二极管组件，它包括有一金属基板、至少一发光二极管，以及至少一封装层；其金属基板的板面上设有至少一凹坑供容置发光二极管，于预定的凹坑底部形成有至少一反射凸部，另于金属基板的板面上方设有电路架构供各发光二极管与外部电源电性连接，各封装层是相对填覆在各发光二极管外。在金属基板的凹坑壁面及反射凸部的反射作用下，明显改善发光二极管的光线照射效果，增加发光二极管组件的亮度，以及在金属基板的导热作用下，可加速发光二极管的废热排放。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种发光二极管组件，尤指一种能够有效提升亮度，并有助于解决散热问题的高亮度发光二极管组件。
技术介绍
台湾专利第M330570号「高发光率的光源封装结构」新型专利文献是说明一种于电路基板的表面处制作一光线折射层，且于发光光源周侧布设复数折射凸部，利用光线折射层将发光光源的无效光线折射为有效光线，且折射凸部可以充份折射发光光源水平方向的无效光线，以期能够充分运用发光光源发出的各角度光线，且降低发光光源需求量的光源封装结构。 如图1所示，该电路基板11上是设置一具有电极焊垫的印刷电路层12 ;该光线折射层13采用金属溅镀技术在该电路基板11表面制作的金属薄层，此光线折射层13相应该电路基板11的电极焊垫布设范围，即在所有发光光源15的外围凸设有挡部131，该挡部131相应电极焊垫方向制作有导光斜面132 ;该折射凸部14是与该光线折射层13相同材质并采用金属溅镀在该电路基板11表面。 该发光光源15 (发光二极管LED)是位于该光线折射层13上相应与该电路基板11的电极焊垫胶合定位，并由焊线电性连接至该电路基板11的印刷电路层12上的电极焊垫，而任二个发光光源15之间皆具有一折射凸部14 ;该树脂覆层16是填覆在该发光光源15及焊线外，且被限制在该光线折射层13凸设的挡部131内。 上述第M330570号「高发光率的光源封装结构」所述的光源封装结构当中的发光光源15、折射凸部14、光线折射层13以及树脂覆层16等构造皆是以外加方式设在电路基板11 (载板)表面的印刷电路层12上方，使得整体光源封装结构的加工制程趋于复杂、繁琐，且该等设于印刷电路层12表面的发光光源15、折射凸部14、光线折射层13甚至树脂覆层16与电路基板11 (载板)的结合强度较不稳固，进而影响整体源封装结构的可靠度。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种能够有效提升亮度，并有助于解决散热问题的高亮度发光二极管组件。 为实现上述目的，本技术采用以下技术方案 —种高亮度发光二极管组件，包括有一金属基板、至少一发光二极管，以及至少一封装层；其中，金属基板的板面设有至少一凹坑供容置发光二极管，于预定的凹坑底部形成有至少一反射凸部，另于金属基板的板面上方设有电路架构供各发光二极管与外部电源电性连接，各封装层是相对填覆在各发光二极管外。在金属基板的凹坑壁面及反射凸部的反射作用下，改善发光二极管的光线照射效果，增加发光二极管组件的亮度，以及在金属基板的导热作用下，可加速发光二极管的废热排放。 所述各凹坑的表面为电镀银。 该各反射凸部覆盖有白色有机材料。 该电路架构为一由铜箔所构成的线路层，并通过--绝缘层与该金属基板表面隔 该铜箔上设有一防焊层。 该至少一发光二极管黏着固定在该金属基板的凹坑底部。 该至少一封装层是由树脂所构成。 该至少一封装层是由树脂结合荧光粉所构成。 该至少一反射凸部为一凸粒。 该至少一反射凸部为一凸条。 该反射凸部是与金属基板一体加工成型，不但量产性高，且该发光二极管是相对置于该凹坑中，再由该封装层加以填覆，整体发光二极管组件的结构相对更趋稳固、可靠。附图说明图1为一现有的光源封装结构示意图。 图2为本技术的高亮度发光二极管组件外观结构图。 图3为本技术的高亮度发光二极管组件结构平面图。 图4为本技术的高亮度发光二极管组件结构剖视图。 图5为本技术实施例2的金属基板外观立体图。具体实施方式 实施例1 如图2至图4所示，本技术的发光二极管组件是包括有一金属基板21、一电路架构22、至少一发光二极管23，以及至少一封装层24 ;其中 该金属基板21为主要用以承载发光二极管23的载板，其可以由铜或铝基板所构成，其板面设有至少一凹坑211供容纳至少一发光二极管23，各凹坑211底部是相对与该金属基板21的板面形成一高度落差，并且在预定的凹坑211底部一体加工成型有至少一反射凸部212，该至少一反射凸部212是为一凸粒的型态呈现；可进一步在该至少一凹坑211的表面电镀银，或是在该至少一反射凸部212覆盖有白色有机材料。 该电路架构22是设在该金属基板21的板面供与外部电源电性连接，其可以是一由铜箔所构成的线路层，并通过一绝缘层221与该金属基板21表面隔离以避免短路，以及可在铜箔上设有一防焊层(图略)。 该至少一发光二极管23是设于该金属基板21的凹坑211底部相对于凹坑211的壁面与反射凸部212之间，其可以透过导热胶黏着固定在该金属基板21的凹坑211底部，并与电路架构22电性连接，由该电路架构22构成各发光二极管23与外部电源电性连接。 各封装层24是相对填覆在各发光二极管23夕卜，其可以由树脂或树脂结合荧光粉所构成，主要用以对发光二极管23构成屏蔽、防护作用，并可对发光二极管23提供预定的光学机制。 使用时，本技术的发光二极管组件在反射凸部212与凹坑211壁面的作用下，得以有效改善发光二极管23的光线照射效果，以增加整体发光二极管组件的亮度；可利用金属基板21加速发光二极管23的废热排放，故相对较有助于解决发光二极管组件的散热问题。 本技术的发光二极管组件是可直接利用金属基板21的凹坑211壁面改善发光二极管23的光线照射效果，而且该同样用以改善发光二极管23光线照射效果的反射凸部212是在凹坑211的加工过程中，直接与该凹坑211 —体加工成型，不但量产性高，且相对较节省加工成本；该发光二极管23是相对置于该凹坑211中，再由封装层24加以填覆，使整体发光二极管组件的结构相对更趋稳固、可靠。 实施例2 本实施例与实施例1不同之处在于，如图5所示，该至少一反射凸部212是为一凸条的型态呈现。 综上所述，本技术提供一较佳可行的高亮度发光二极管组件，现依法提呈技术专利的申请；本技术的
技术实现思路
及技术特点已如上说明，然而熟悉本项技术的人士仍可能基于本技术的描述而作各种不背离本案技术精神的替换及修饰。因此，本技术的保护范围应不限于实施例所说明的，而应包括各种不背离本技术的替换及修饰，并为以上的申请专利范围所涵盖。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高亮度发光二极管组件，其特征在于，包括有：一金属基板，其板面设有至少一凹坑，各凹坑底部是相对与该金属基板的板面形成一高度落差，并且在预定的凹坑底部一体加工成型有至少一反射凸部；一电路架构，建构在该金属基板的板面；至少一发光二极管，设于该金属基板的凹坑底部相对于凹坑壁面与反射凸部之间，并与该电路架构电性连接；至少一封装层，相对填覆在各发光二极管外。

【技术特征摘要】
一种高亮度发光二极管组件，其特征在于，包括有一金属基板，其板面设有至少一凹坑，各凹坑底部是相对与该金属基板的板面形成一高度落差，并且在预定的凹坑底部一体加工成型有至少一反射凸部；一电路架构，建构在该金属基板的板面；至少一发光二极管，设于该金属基板的凹坑底部相对于凹坑壁面与反射凸部之间，并与该电路架构电性连接；至少一封装层，相对填覆在各发光二极管外。2. 根据权利要求1所述的高亮度发光二极管组件，其特征在于，各凹坑的表面为电镀银。3. 根据权利要求1所述的高亮度发光二极管组件，其特征在于，该各反射凸部覆盖有白色有机材料。4. 根据权利要求1所述的高亮度发光二极管组件，其特征在于，该电路架构为一由铜箔所...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈元杰，蔡浚名，
申请(专利权)人：普照光电科技股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：71[中国|台湾]