薄膜晶体管及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种薄膜晶体管的制造方法，包括：于基板上形成栅极；于基板上形成栅绝缘层以覆盖栅极；于栅绝缘层上形成彼此电性绝缘的源极与漏极；于栅极上方的栅绝缘层上形成氧化物半导体层以覆盖栅绝缘层、源极与漏极；于氧化物半导体层上形成材料层；薄化材料层；令材料层氧化以于氧化物半导体层上形成一紫外光遮蔽材料层；以及图案化紫外光遮蔽材料层以及氧化物半导体层以形成氧化物通道层与紫外光遮蔽图案，其中氧化物信道层覆盖源极的部分区域与漏极的部分区域，而紫外光遮蔽图案位于氧化物信道层上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种晶体管及其制造方法，且特别是有关于一种薄膜晶体管及其 制造方法。
技术介绍
近来环保意识抬头，具有低消耗功率、空间利用效率佳、无辐射、高画质等优越特 性的平面显示面板(flat display panels)已成为市场主流。常见的平面显示器包括液晶 显示器(liquid crystal displays)、等离子显示器(plasmadisplays)、有机电激发光显示 器(electroluminescent displays)等。以目前最为普及的液晶显示器为例，其主要是由 薄膜晶体管数组基板、彩色滤光基板以及夹于二者之间的液晶层所构成。在已知的薄膜晶 体管数组基板上，多采用非晶硅(a-Si)薄膜晶体管或低温多晶硅薄膜晶体管作为各个子 像素的切换组件。近年来，已有研究指出氧化物半导体(oxide semiconductor)薄膜晶体 管相较于非晶硅薄膜晶体管，具有较高的载子移动率(mobility)，而氧化物半导体薄膜晶 体管相较于低温多晶硅薄膜晶体管，则具有较佳的临界电压(threshold voltage, Vth)均 勻性。因此，氧化物半导体薄膜晶体管有本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
一种薄膜晶体管的制造方法，包括于一基板上形成一栅极；于该基板上形成一栅绝缘层以覆盖该栅极；于该栅绝缘层上形成彼此电性绝缘的一源极与一漏极；于该栅极上方的该栅绝缘层上形成一氧化物半导体层以覆盖该栅绝缘层、该源极与该漏极；于该氧化物半导体层上形成一材料层；薄化该材料层；令该材料层氧化以于该氧化物半导体层上形成一紫外光遮蔽材料层；以及图案化该紫外光遮蔽材料层以及该氧化物半导体层以形成一氧化物通道层与一紫外光遮蔽图案，其中该氧化物信道层覆盖该源极的部分区域与该漏极的部分区域，而该紫外光遮蔽图案位于该氧化物信道层上。2.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，该氧化物半导体层的材 质包括氧化铟镓锌、氧化铟锌、氧化铟镓、氧化锡，氧化镉·氧化锗或氧化镍钴。3.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，该材料层的材质包括钛、 硅、铝或锌。4.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，该紫外光遮蔽材料层的 材质包括氧化钛、富硅氧化硅、氧化硅、氧化铝或氧化锌。5.如权利要求4所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，该氧化钛包括一氧化钛、 二氧化钛、五氧化三钛、一氧化二钛。6.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，该材料层的厚度介于25 埃至500埃之间，薄化后的该材料层的厚度约为介于10埃至150埃之间，而该紫外光遮蔽 材料层的厚度介于20埃至300埃之间。7.如权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：石宗祥，吕学兴，丁宏哲，周政伟，陈佳榆，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71