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本发明涉及一种薄膜晶体管的制造方法，包括：于基板上形成栅极；于基板上形成栅绝缘层以覆盖栅极；于栅绝缘层上形成彼此电性绝缘的源极与漏极；于栅极上方的栅绝缘层上形成氧化物半导体层以覆盖栅绝缘层、源极与漏极；于氧化物半导体层上形成材料层；薄化材料...
该专利属于友达光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过友达光电股份有限公司授权不得商用。

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