防尘薄膜组件的制造方法、光刻用防尘薄膜组件框架及光刻用防尘薄膜组件技术

本发明专利技术提供一种防尘薄膜组件框架及包含该防尘薄膜组件框架的光刻用防尘薄膜组件的制造方法，即使将防尘薄膜组件贴附于曝光原版，也可将起因于防尘薄膜组件框架的变形所造成的曝光原版的变形尽量减小。本发明专利技术的方法为包含在施加负载于设置在平坦面上的防尘薄膜组件框架的状态下进行加热处理的步骤的防尘薄膜组件框架的制造方法，可有效率地获得平坦度在１５μｍ以下的防尘薄膜组件框架。另外，本发明专利技术的特征为：预先在既定温度进行加热处理，以使光刻步骤时的温度变化所造成的框架变形实质上不发生。较理想的情况为：温度变化所造成的框架变形为平坦度３μｍ以下、该加热处理温度为１４０至２５０℃、而该框架由杨氏模量为１至８０ＧＰａ的材料所构成。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种光刻用防尘薄膜组件及防尘薄膜组件框架，其为在制造LSI (大 型集成电路)、超LSI (超大型集成电路)等半导体装置或液晶显示板时被使用作为光刻用 掩模的防尘构件。本专利技术还涉及一种用于该防尘薄膜组件的防尘薄膜组件框架的制造方 法。
技术介绍
在制造LSI、超LSI等半导体装置或液晶显示板时，用光照射在半导体基板或液晶 用原板以制作图案，此时所采用的曝光原版上若附着尘粒，由于此尘粒会吸收光或使光偏 转，而造成转印的图案会变形或边缘粗糙化、基部脏污、或尺寸、品质、外观等毁损等问题。 另外，在本专利技术中所称“曝光原版”是指光刻用掩模(mask)(或仅称“掩模”)及倍缩掩模的 总称。以下，以掩模为例说明。这些操作通常是在无尘室进行，但即使在无尘室中也难使曝光原版经常保持洁 净，所以采用在曝光原版的表面贴附目的在于防尘而能使曝光用的光顺利通过的防尘薄膜 组件的方法。防尘薄膜组件的基本构成是包含防尘薄膜组件框架及张设于此框架的防尘薄膜。 防尘薄膜是由能让曝光用的光(g线、i线、KrF准分子激光、ArF准分子激光等)顺利透射的 硝化纤维素、醋酸纤维素、含氟聚合物等所构成。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种防尘薄膜组件的制造方法，该防尘薄膜组件具有防尘薄膜组件框架，其特征在于，该防尘薄膜组件框架包括：第１框架端面，用于粘贴张设防尘薄膜；及第２框架端面，于其上设置粘附层；该防尘薄膜组件框架被一对与第１及第２框架端面相对的平坦面夹住，在施加负载的状态下，以既定温度进行加热处理。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：塚田淳一，白崎享，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]