【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的领域涉及提高线锯梁的热性能和结构性能，该线锯梁是单晶或多晶锭与 锭保持架之间的中间胶结材料，该锭保持架用于锭或可切成晶片的其它材料的线锯切割 中。
技术介绍
半导体级晶片一般由单晶锭——例如单晶硅锭——制备而成。将锭切成单独的晶 片，然后对该晶片进行大量的加工操作(例如研磨、蚀刻和抛光)，从而去除由切片操作引 起的损坏，并产生相对光滑的具有均勻厚度和成品前表面的成品晶片。可使用内圆(“ID”)锯或线型锯(“线锯”)从锭切硅晶片。与一次只能产生单 个晶片的ID锯相比，线锯一般效率更高，因为线锯可一次将整个锭切片。图1示出了用于将单晶硅锭切成单独的晶片的示例性的线锯切片设备，该设备整 体上由参考标号21指示。在美国公开NO. 2003/0170948中示出和描述了另一示例性的线 锯切片设备，该公开的内容结合在本文中作为参考。市场上可获得的线锯切片设备包括例 如瑞士 HCT ShapingSystems of Cheseaux制造的Model 300E12-H。在不脱离本专利技术的范 围的情况下，可以利用其它型号和类型的线锯切片设备。该设备总体上包括一框架...
【技术保护点】
一种用于从单晶锭或多晶锭切半导体晶片的设备，该设备包括：用于将所述锭切成晶片的线网；和框架，该框架包含用于在切片过程中支承所述锭的头部，该头部包括锭保持架和线锯梁，该线锯梁由包括热固性聚合物树脂和碳纳米管的聚合物复合材料构成。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：P古普塔，
申请(专利权)人：MEMC电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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