一种湿蚀刻设备制造技术

技术编号:5031648 阅读:196 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术提供了一种湿蚀刻设备。所述湿蚀刻设备包括:一蚀刻槽,具有一用以供一基板进入所述蚀刻槽内的开口,所述开口位于所述蚀刻槽的一侧壁;一闸门,设于所述开口处,所述闸门具有一用于遮蔽及暴露出所述开口的门板,且所述门板设置成与水平面之间具有一不为零的夹角;一提供液体的液滴装置,所述液滴装置设置成使液体顺着所述门板,由高处向低处流动;以及一用以防止液体流入所述蚀刻槽内的导流片,所述导流片设置于所述开口的下缘。本实用新型专利技术利用湿蚀刻设备可除去蚀刻液在基板入口通道处形成的结晶物,解决基板被刮伤或结晶物掉落在基板上的问题。(*该技术在2019年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术属于湿蚀刻设备,尤其涉及一种具有可除去结晶物功能的湿蚀刻设备。
技术介绍
习知利用喷洒蚀刻液以进行湿蚀刻制程的蚀刻机台,喷洒的蚀刻液容易在玻璃基 板的入口通道处形成结晶,所形成的结晶物易因机台振动而掉落在玻璃基板上,造成玻璃 基板上的芯片组件或半导体组件的刮伤,进而导致组件中缺角欠损及断线。此种情况更常 发生在增加制程温度时,增加制程温度可以加快蚀刻速率,使产能提升,然而高温会使得蚀 刻液中的水分以较快的速度蒸发,而形成更多结晶,所形成的结晶物若掉落在玻璃基板上, 对于产品的良率是一大威胁。 请参阅图l,是现有的湿蚀刻设备1的结构示意图。在湿蚀刻设备1中,蚀刻制程 是在蚀刻槽11内进行。需注意的是,图1中仅显示蚀刻槽11的一部分,未将蚀刻槽11所 有的侧壁示出。如图1所示,以蚀刻槽11的侧壁110为界划分内外,内部为进行蚀刻的环 境,外部为一般的正常环境。蚀刻槽11的侧壁110开设一开口 112,基板10经由该开口 112 由外部环境进入蚀刻槽11内进行蚀刻。 在湿蚀刻设备1中,在蚀刻槽11的侧壁110的所述开口 112处,设有闸门150。闸 门150上有一门板151及与该门板151连结的一扳动轴153,当扳动轴153活动时,可使门 板151在一第一位置及一第二位置间移动。门板151的大小略大于蚀刻槽11的所述开口 112,当门板151在第一位置时,足可遮蔽该开口 112,以免蚀刻槽11内的蚀刻液喷溅或扩散 至外部;当门板151在第二位置时,该开口 112即暴露出或留有空隙以使基板10通过多个 输送滚轮120的传动进入到蚀刻槽11内。 在湿蚀刻设备1中,蚀刻槽11内设有多个蚀刻模块160,其包含一分流器162及一 喷嘴164,蚀刻液经由分流器162分流并从喷嘴164喷出以形成如图1所示的圆锥形喷流 165,蚀刻液喷洒在基板10并对基板10上涂布的材料进行选择性的蚀刻。 然而,在现有的湿蚀刻设备1中进行蚀刻制程时所使用的蚀刻液,容易在基板10 的入口通道处形成结晶,附着在闸门150的门板151上,结晶物在闸门150活动时,容易因 振动而掉落在基板10上,影响产品良率,门板151上的结晶物若持续累积形成钟乳石状物, 则可能因与基板10接触而造成基板10刮伤。 此外,为清除结晶物,湿蚀刻设备必须停机,如此将縮小湿蚀刻设备的稼动率,而 对基板的产出及人力的耗费等生产成本皆有不利的影响。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题在于提供一种具有可除去结晶物功能、减少清除结晶物时所需的人力耗费,提高机台的稼动率以增加基板的产出的湿蚀刻设备。为解决上述技术问题,本技术提供一种湿蚀刻设备,所述湿蚀刻设备包括 —蚀刻槽,具有一用以供一基板进入所述蚀刻槽内的开口 ,所述开口位于所述蚀 刻槽的一侧壁; —闸门,设于所述开口处,所述闸门具有一用于遮蔽及暴露出所述开口的门板,且 所述门板设置成与水平面之间具有一不为零的夹角; —提供液体的液滴装置,所述液滴装置设置成使液体顺着所述门板,由高处向低 处流动;以及 —用以防止液体流入所述蚀刻槽内的导流片,所述导流片设置于所述开口的下缘。 所述湿蚀刻设备还包括 多个用于输送所述基板的输送滚轮,排列于所述蚀刻槽的侧壁两侧。 所述闸门包括一用以使所述门板在一第一位置及一第二位置间移动的扳动轴,所述扳动轴与所述门板连接。 所述导流片为长条状且横截面为三角形;所述导流片具有一黏着部,固定于所述 开口的下缘;所述导流片具有一用以导引液体的流向,以防止液体流入所述蚀刻槽内的导 流部。—种湿蚀刻设备,所述湿蚀刻设备包括 —蚀刻槽,具有一用以供一基板进入所述蚀刻槽内的开口 ,所述开口位于所述蚀 刻槽的一侧壁; —闸门,设于所述开口处,所述闸门具有一用于遮蔽及暴露出所述开口的门板,且 所述门板设置成与水平面之间具有一不为零的夹角; —导流片,其包括一黏着部及一导流部,所述导流片利用所述黏着部固定于所述 开口的下缘;以及 —提供液体的液滴装置,所述液滴装置设置成使液体顺着门板及导流片的导流部 由上往下流动,液体通过导流部的导引,以避免流入所述蚀刻槽内。 所述湿蚀刻设备还包括 多个用于输送所述基板的输送滚轮,排列于所述蚀刻槽的侧壁两侧。 所述闸门包括一用以使所述门板在一第一位置及一第二位置间移动的扳动轴,所述扳动轴与所述门板连接。 —种湿蚀刻设备,所述湿蚀刻设备包括 —蚀刻槽,具有一用以供一基板进入所述蚀刻槽内的开口 ,所述开口位于所述蚀 刻槽的一侧壁; —闸门,设于所述开口处,所述闸门具有一用于遮蔽及暴露出所述开口的门板,且 所述门板设置成与水平面之间具有一不为零的夹角; —导流片,其包括一黏着部及一导流部,所述导流片利用所述黏着部固定于所述 开口的下缘;以及 —提供纯水的液滴装置,所述液滴装置设置成使纯水顺着所述门板及导流片的导 流部由上往下流动,纯水通过导流部的导引,以避免流入蚀刻槽内。 所述湿蚀刻设备还包括 多个用于输送所述基板的输送滚轮,排列于所述蚀刻槽的侧壁两侧。 所述闸门包括一用以使所述门板在一第一位置及一第二位置间移动的扳动轴,所 述扳动轴与所述门板连接。 本技术所提供的湿蚀刻设备,可除去闸门的门板上附着的结晶物,有效解决 结晶物容易掉落在基板造成基板上的芯片组件或半导体组件的缺角欠损及断线的问题。应 用本湿蚀刻设备不仅可改善产品良率,另一方面可免除停机进行清除结晶物的工作,减少 人力耗费,机台的稼动率也因此提高,基板的产出增加。附图说明图1是现有技术提供的湿蚀刻设备的结构示意图。 图2是本技术提供的湿蚀刻设备的结构示意图。 图3A是本技术提供的湿蚀刻设备的闸门的立体图。 图3B是本技术提供的湿蚀刻设备中设置于蚀刻槽开口的下缘的导流片的立 体图。 图3C是图3B中A部的放大详图。具体实施方式为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施 例,对本技术进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释 本技术,并不用于限定本技术。 请参阅图2,是本技术实施例提供的湿蚀刻设备2的结构示意图。在湿蚀刻设 备2中,蚀刻制作过程是在蚀刻槽21内进行。需注意的是,图2中仅显示蚀刻槽21的一部 分,未将蚀刻槽21所有的侧壁示出。蚀刻槽21内设有多个蚀刻模块260,其包括一分流器 262及一喷嘴264,蚀刻液经由分流器262分流并从喷嘴264喷出以形成如图2所示的圆锥 形喷流265。如图2所示,以蚀刻槽21的侧壁210为界划分内外,内部为进行蚀刻的环境, 外部为一般的正常环境。蚀刻槽21的侧壁210开设一开口 212,基板20经由该开口 212由 外部环境进入蚀刻槽21内进行蚀刻,由蚀刻液形成的圆锥形喷流265喷洒在基板20上并 对基板20上涂布的材料进行选择性的蚀刻。 在湿蚀刻设备2中,在蚀刻槽21的侧壁210的所述开口 212处,设有闸门250。闸 门250上有一门板251及与该门板251连结的一扳动轴253,当扳动轴253活动时,可使门 板251在一第一位置及一第二位置间移动。门板251的大小略大于蚀刻槽21的开口 212, 当门板251在第一位置时,可遮蔽该开口 212,以免蚀刻槽21内的蚀刻液喷本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种湿蚀刻设备,其特征在于,所述湿蚀刻设备包括:一蚀刻槽,具有一用以供一基板进入所述蚀刻槽内的开口,所述开口位于所述蚀刻槽的一侧壁;一闸门,设于所述开口处,所述闸门具有一用于遮蔽及暴露出所述开口的门板,且所述门板设置成与水平面之间具有一不为零的夹角;一提供液体的液滴装置,所述液滴装置设置成使液体顺着所述门板,由高处向低处流动;以及一用以防止液体流入所述蚀刻槽内的导流片,所述导流片设置于所述开口的下缘。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:欧阳志升陈建同姚洋羽廖钦盛
申请(专利权)人:深圳华映显示科技有限公司中华映管股份有限公司
类型:实用新型
国别省市:94[中国|深圳]

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