【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种集成电路制造设备,具体涉及一种LPCVD垂直炉管的石英外管。
技术介绍
集成电路(IC)的标准工艺加工厂(foundry)中,低压化学气相淀积设备(LPCVD),是整个工艺流程的重要步序,当前主流设备为垂直炉管。以TEL制a_8SE八寸晶圆垂直设备为例,各foundry厂的LPCVD炉管工艺,有Si3N4、 多晶硅、SiO2等薄膜的低压化学气相沉积生长,成膜厚度从几十A到几万A不等(IA=Ixicr9 米),反应温度范围530°C到800°C不等,反应压力一般为0. 2torr到1. Otorr0其反应过程 在垂直炉管的腔体内完成。垂直炉管作为一个容器,由高纯度的石英制作而成。如附图说明图1所示,垂直炉管包括石 英内管、石英外管,石英内管为直管,石英外管的顶端带有穹顶,石英外管呈钟形倒扣在石 英内管的外部,八寸的产品晶圆则水平摆放在石英内管的内部。在产品晶圆上生长特定的薄膜时,石英外管的内壁,也会同时生长相应厚度的薄 膜。一般的产品晶圆在一台设备中一次只生长一次薄膜即只做一次工艺,然后该设备再处 理下一个批次的产品。当累计工艺次数增加,即累计生长的 ...
【技术保护点】
一种LPCVD垂直炉管的石英外管,顶端为穹顶封闭,其特征在于:所述穹顶边缘切线与直管外表面的夹角不小于150°。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:周利明,
申请(专利权)人:上海华虹NEC电子有限公司,
类型:实用新型
国别省市:31[中国|上海]