LPCVD垂直炉管的石英外管制造技术

技术编号:5013994 阅读:320 留言:1更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术公开了一种LPCVD垂直炉管的石英外管,顶端为穹顶封闭,所述穹顶边缘切线与直管外表面的夹角不小于150°。所述穹顶与直管的过渡弧面半径为45mm。所述穹顶的球面半径为220mm。本实用新型专利技术对石英外管的穹顶形状进行了改进,增大了石英外管穹顶与直管过渡弧面的曲率半径,减小了石英外管顶部曲线的变换幅度,使石英外管的顶部曲线更加圆滑,因而能够减少石英外管管壁工艺薄膜的应力,以减少颗粒掉落的机会。(*该技术在2019年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种集成电路制造设备,具体涉及一种LPCVD垂直炉管的石英外管。
技术介绍
集成电路(IC)的标准工艺加工厂(foundry)中,低压化学气相淀积设备(LPCVD),是整个工艺流程的重要步序,当前主流设备为垂直炉管。以TEL制a_8SE八寸晶圆垂直设备为例,各foundry厂的LPCVD炉管工艺,有Si3N4、 多晶硅、SiO2等薄膜的低压化学气相沉积生长,成膜厚度从几十A到几万A不等(IA=Ixicr9 米),反应温度范围530°C到800°C不等,反应压力一般为0. 2torr到1. Otorr0其反应过程 在垂直炉管的腔体内完成。垂直炉管作为一个容器,由高纯度的石英制作而成。如附图说明图1所示,垂直炉管包括石 英内管、石英外管,石英内管为直管,石英外管的顶端带有穹顶,石英外管呈钟形倒扣在石 英内管的外部,八寸的产品晶圆则水平摆放在石英内管的内部。在产品晶圆上生长特定的薄膜时,石英外管的内壁,也会同时生长相应厚度的薄 膜。一般的产品晶圆在一台设备中一次只生长一次薄膜即只做一次工艺,然后该设备再处 理下一个批次的产品。当累计工艺次数增加,即累计生长的薄膜厚度增加时,石英本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LPCVD垂直炉管的石英外管,顶端为穹顶封闭,其特征在于:所述穹顶边缘切线与直管外表面的夹角不小于150°。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:周利明
申请(专利权)人:上海华虹NEC电子有限公司
类型:实用新型
国别省市:31[中国|上海]

网友询问留言 已有1条评论
  • 来自[未知地区] 2015年03月27日 07:19
    管式加热炉是石油炼制、石油化工、煤化工、焦油加工、原油输送等工业中使用的工艺加热炉,被加热物质在管内流动介质为气体或液体,并且都是易燃易爆的物质,操作条件苛刻,同时长周期运转不间断操作,加热方式直接受火。管式加热炉的排烟温度可降低到100℃左右,实现烟气中含酸水蒸气的部分冷凝,且在回收烟气低温显热的同时,能回收部分含酸水蒸气的汽化潜热,进一步提高加热炉热效率,节约能源。
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