碳源可控单壁碳纳米管阵列的制备装置制造方法及图纸

碳源可控单壁碳纳米管阵列的制备装置，该装置包括：气体管路控制部分，高温管式实验主体，尾气吸收处理装置。气体管路控制部分包括气体流量计、开关阀、液体容器、导气管；高温管式实验主体主要包括法兰、高温管式炉、石英管、基片。气体管路控制部分的导气管最终指向石英管。石英管两端塞紧法兰，法兰上留有导气管连通孔。石英管外壁设有高温管式炉，石英管内部中间处放有基片，石英管另一端通过导气管连接尾气处理装置。本装置具有的优点是改进传统的化学气相沉积方法(CVD)，实现碳源可控，减少更换碳源装置的繁琐，以及改装碳源装置后续繁琐的检查气密性工作，节约时间，提高效率和准确性。

Device for preparing carbon source controllable single wall carbon nanotube array

The invention relates to a device for preparing a carbon source controllable single wall carbon nanotube array, which comprises a gas pipeline control part, a high temperature tube type experiment main body, a tail gas absorption treatment device. The gas pipeline control part comprises a gas flow meter, a switch valve, a liquid container and an air guide pipe. The air duct of the gas pipeline control part finally points to the quartz tube. The two ends of the quartz tube plugged on the left flange, flange guide pipe connecting hole. The outer wall of the quartz tube is provided with a high temperature tube type furnace, and a base plate is arranged at the middle part of the quartz tube. The device has the advantages of improved conventional chemical vapor deposition method (CVD), carbon source control, reduce the replacement of carbon source device is complicated, work, check the seals and the modified carbon source device subsequent tedious save time, improve efficiency and accuracy.

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及到碳纳米管的
，尤其涉及一种碳源可控单壁碳纳米管阵列的制备装置。
技术介绍
碳纳米管的可控制生长，及其宏观尺度结构的制备，对于碳纳米管的应用具有重要的意义，为了实现准确的生长控制，对碳纳米管生长机理的深入了解是不可缺少的前提条件。碳纳米管潜在的应用非常广泛，涵盖纳米电子学器件、场发射器件、传感器和复合材料等。要实现碳纳米管的这些潜在应用，首先要实现高纯度碳纳米管的大量制备。在碳纳米管常用的几种制备方法中，激光蒸发法由于设备复杂、价格昂贵而且产量不高，不适合规模化生成；电弧法制备得到的碳纳米管纯度高，而且得到的产量也高，但是在碳纳米管的纳米电子学等的应用需要其能在可控的图形化的基底上定向生长，而化学气相沉积(CVD)法恰好满足这一技术要求。与其它两种制备方法相比，此法更为简单经济，因为它不需要特殊设备，而且可以在较低温度和常压下进行。化学气相沉积法是常用的制备碳纳米管的方法。化学气相沉积法制备碳纳米管首先是将反应剂在管式炉中加热至高温(600~1000℃)，然后通入含碳气体(如CO、CH4、C2H2、乙醇等)，含碳物质被吸附到反应剂表面发生裂解，然后裂解的碳扩散进入到本文档来自技高网...

【技术保护点】
碳源可控单壁碳纳米管阵列的制备装置，包括：气体管路控制部分，高温管式炉，尾气吸收处理装置；其特征在于，其中气体管路控制部分包括第一气体流量计、第二气体流量计、第三气体流量计、第一开关阀、第二开关阀、第三开关阀、第四开关阀、液体容器、导气管；高温管式炉包括法兰、高温管式炉、石英管、基片；其一导气管安置第一气体流量计且设有第二开关阀，导气管通向液体容器内部，液体容器为装有部分液体，两孔连接一长一短导气管的密封装置，设有第一开关阀的导气管支路与液体容器另一较短导气管连通，且指向石英管；另有导气管安置第二气体流量计且设有第三开关阀，还有导气管安置第三气体流量计且设有第四开关阀，导气管最终均通向石英管；...

【技术特征摘要】
1.碳源可控单壁碳纳米管阵列的制备装置，包括：气体管路控制部分，高温管式炉，尾气吸收处理装置；其特征在于，其中气体管路控制部分包括第一气体流量计、第二气体流量计、第三气体流量计、第一开关阀、第二开关阀、第三开关阀、第四开关阀、液体容器、导气管；高温管式炉包括法兰、高温管式炉、石英管、基片；其一导气管安置第一气体流量计且设有第二开关阀，导气管通向液体容器内部，液体容器为装有部分液体，两孔连接一长一短导气管的密封装置，设有第一开关阀的导气管支路与液体容器另一较短导气管连通，且指向石英管；另有导气管安置第二气体流...

【专利技术属性】
技术研发人员：钱勇，王春艳，许剑平，
申请(专利权)人：东华理工大学，
类型：新型
国别省市：江西;36