【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种化学汽相淀积设备，具体涉及一种垂直化学汽相淀积装置。
技术介绍
如图l所示，通常在化学汽相淀积系统Chenmical Vapor D印osition System)中，衬底(基板Substrate或芯片Wafer)都是水平放置在承载基座上，通过加热器加热衬底至一特定温度后，贰种或多种配料气体经混合后由喷嘴在衬底上空朝下喷流、下沉至高温度之衬底淀积形成欲成长的化学分子，之后，层层排列形成晶体状之物质。 上述的工作过程中，大部份的淀积作用会在加热的衬底上淀积形成所需的晶体物质，但是还有极少部份会在未足温度的腔室顶端结积，并且在腔室顶端结积的部分因缺乏足够的成长条件(如温度不足等)而成为成长不良的分子颗粒。如果该部分物质掉落在衬底或已形成的晶面上，会影响之后的晶体堆积，进而导致严重破坏制程良品率。所以一般在每一次制程后，必须进行反应腔室清洁行程以清除积结在衬底以外位置上的颗粒(通常是以氟化气体电离的氟离子与颗粒作用)。所以，在CVD制程中因为每一轮晶体成长的制程中，必须包含腔室清洁这个步骤，导致不能制程连续，影响生产效率。 同时，在CVD制程过程中为垒积...
【技术保护点】
一种垂直化学汽相淀积装置，包括一反应腔和与所述反应腔连通的真空泵浦，所述反应腔内设有承载基座和至少一个气体喷嘴，所述承载基座一侧用于固定连接衬底，另一侧设置有加热元件，其特征在于：所述衬底垂直固定于所述承载基座上，所述的气体喷嘴导出的气体为水平喷射。
【技术特征摘要】
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