超接面ＭＯＳ纵向Ｐ型区的制作方法技术

本发明专利技术公开了一种超接面ＭＯＳ纵向Ｐ型区的制作方法，包括以下步骤：步骤一、在硅衬底上生长Ｎ型外延；步骤二、在外延区上刻蚀形成深沟槽；步骤三、生长Ｐ型外延硅用以填充部分深沟槽，在沟槽内部形成Ｐ型单晶硅，构成超接面ＭＯＳ的纵向Ｐ型区域；步骤四、在外延表面生长氧化物，从而完全填充深沟槽；步骤五、去除表面氧化物，露出外延表面；步骤六、在外延上生长栅二氧化硅，在栅二氧化硅上生长栅极多晶硅，体注入形成体区，源注入形成源区。本发明专利技术利用外延成长和氧化物混合填充深沟槽工艺方法可以有效改善填充工艺，可以有效弥补沟槽填充不足的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体器件制作方法，具体涉及一种MOS管的制成方法。
技术介绍
超接面MOS (Super Junction M0S)是一种新型的高压MOSFET (金属氧化物半导体 场效应晶体管)结构，其优点在于该器件在耐高压工作的同时可以提供比传统高压MOSFET 小一个数量级的导通电阻。超接面MOS的特征结构是在于在N型外延区引入了很多从外延顶部延伸到沉底区 的P型区域，导致MOS管在高压工作状态下除了产生纵向的从漏极到源极的电场外，还有由 于横向的PN区出现的横向电场。在不同方向上电场的共同作用下导致电场在横向和纵向 上的均勻分布，从而实现在低电阻率外延片上制成高耐压MOS管。超接面MOS的N型外延上的P型区的形成有多种方法，通常的方法是在外延生长 过程中采用多次扩散的方法来实现，包括如下工艺步骤步骤1，外延生长后，通过光刻胶定义出P区，然后进行P型注入退火；步骤2，再一次外延生长，通过光刻胶定义出P区，然后进行P型注入退火；步骤3，多次重复上述步骤达到所需外延厚度，同时完成纵向P区的形成。步骤4，栅二氧化硅生长，栅极多晶硅(多晶栅)生长，体注入形成体区，源注入形 成源区等形成超接面M0S。超接面MOS作为一种新型高压器件，凭借其特殊结构带来的低导通电阻，低功耗 和低开关时间的优势，在高压应用领域有很大的竞争优势。但是，如上所述的传统的多次外 延、光刻、注入的加工方式使工艺复杂化，限制了产品的加工成本和生产期。为此有人提出改进工艺方案，即先利用外延生长足够厚的N型区，然后用干刻工 艺一次刻蚀形成深沟槽，最后再用外延生长P型薄膜填充深沟槽，从而形成NP相间的P型 区。但是该工艺过程对于P型外延生长工艺形成挑战，因为目前仅靠外延生长的方法，很难 填充深沟槽，而是在填充后留有一定较大的的缝隙，可能导致器件漏电。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种超接面MOS纵向P型区的制作方法，其可 以有效弥补沟槽填充不足的问题，防止器件漏电。为了解决以上技术问题，本专利技术提供了一种超接面MOS纵向P型区的制作方法，包 括以下步骤步骤一、在硅衬底上生长N型外延；步骤二、在外延区上刻蚀形成深沟槽；步骤 三、生长P型外延硅用以填充部分深沟槽，在沟槽内部形成P型单晶硅，构成超接面MOS的 纵向P型区域；步骤四、在外延表面生长氧化物，从而完全填充深沟槽。步骤五、去除表面氧 化物，露出外延表面；步骤六、在外延上生长栅二氧化硅，在栅二氧化硅上生长栅极多晶硅， 体注入形成体区，源注入形成源区。本专利技术的有益效果在于利用外延成长和氧化物混合填充深沟槽工艺方法可以有效改善填充工艺，同时降低生产成本，提高生产效率。本专利技术利用氧化物填孔性能好的特 性，用氧化物填充外延之后的剩余沟槽部分，可以有效弥补沟槽填充不足的问题。附图说明下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细说明。图1是本专利技术实施例所述步骤一中外延层生长的示意图；图2是本专利技术实施例所述步骤二中深沟槽刻蚀的示意图；图3是本专利技术实施例所述步骤三中外延填充深沟槽的示意图；图4是本专利技术实施例所述步骤四中氧化物填充深沟槽的示意图；图5是本专利技术实施例所述步骤五中氧化物回刻的示意图；图6是本专利技术实施例所述步骤六中生成器件结构的示意图； 图7是本专利技术实施例所述方法流程示意图。具体实施例方式超接面MOS结构中P型区的形成一般是通过多次离子注入和外延生长，此外还有 一种方法是先一次性刻蚀形成深槽，然后填充外延从而形成P型区，这种方法的优点是减 少工艺复杂程度和加工时间。但由于沟槽较深，造成外延填充能力不足。本专利技术要解决深 沟槽外延填充能力不足问题，本专利技术利用外延成长和氧化物混合填充深沟槽工艺来解决上 述的技术问题。在保证足够的外延厚度的情况下，先在沟槽中沉积一部分外延，然后用氧化 物填充剩余的部分。如图1-图7所示，本专利技术通过外延加氧化物工艺的方式来形成超接面MOS的纵向 P区，采用的主要工艺步骤如下如图1所示，步骤1.在硅衬底上直接一次性生长N型外延，外延厚度按照器件应 用要求来定；如图2所示，步骤2.在N型外延生长后，通过干刻工艺在外延区上刻蚀形成深沟 槽；如图3所示，步骤3.利用外延方法生长P型外延硅用以填充部分深沟槽，在沟槽 内部形成P型单晶硅，构成超接面MOS的纵向P型区域；如图4所示，步骤4.在外延表面生长氧化物，从而完全填充深沟槽。如图5所示，步骤5.用回刻工艺去除表面氧化物，露出外延表面，保证硅片表面的 平整；如图6所示，步骤6.在外延上生长栅二氧化硅，在栅二氧化硅上生长栅极多晶硅 (多晶栅)，体注入形成体区，源注入形成源区，最终在硅表面和体内都形成N型P型相间的 超接面MOS外延结构。更详细的来说本专利技术实施例提供了一种通过外延加氧化物工艺来形成超接面 MOS内纵向P区的方法。该方法在于首先，利用深沟槽刻蚀形超接面MOS的P型区，其包括在硅衬底上直接一次性生 长N型外延，外延厚度按照器件应用要求来定；在N型外延生长后，通过干刻工艺在外延区 上刻蚀形成深沟槽；然后利用外延填充部分深沟槽，其包括利用外延方法生长P型外延硅用以填充 部分深沟槽，在沟槽内部形成P型单晶硅；然后，利用氧化物填充剩余部分深沟槽，其包括在外延表面生长氧化物，从而完 全填充深沟槽。用回刻工艺去除表面氧化物，露出外延表面，保证硅片表面的平整；本专利技术 的要点在于在保证足够的外延厚度的情况下，先在沟槽中沉积一部分外延，然后用氧化物 填充剩余的深沟槽部分，最终形成超接面MOS的P型区。最后，在外延上生长栅二氧化硅，在栅二氧化硅上生长栅极多晶硅(多晶栅)，体 注入形成体区，源注入形成源区，最终在硅表面和体内都形成N型P型相间的超接面MOS外 延结构。本专利技术并不限于上文讨论的实施方式。以上对具体实施方式的描述旨在于为了描 述和说明本专利技术涉及的技术方案。基于本专利技术启示的显而易见的变换或替代也应当被认为 落入本专利技术的保护范围。以上的具体实施方式用来揭示本专利技术的最佳实施方法，以使得本 领域的普通技术人员能够应用本专利技术的多种实施方式以及多种替代方式来达到本专利技术的 目的。权利要求1.一种超接面MOS纵向P型区的制作方法，其特征在于，包括以下步骤步骤一、在硅衬底上生长N型外延；步骤二、在外延区上刻蚀形成深沟槽；步骤三、生长P型外延硅用以填充部分深沟槽，在沟槽内部形成P型单晶硅，构成超接 面MOS的纵向P型区域；步骤四、在外延表面生长氧化物，从而完全填充深沟槽；步骤五、去除表面氧化物，露出外延表面；步骤六、在外延上生长栅二氧化硅，在栅二氧化硅上生长栅极多晶硅，体注入形成体 区，源注入形成源区。2.如权利要求1所述的超接面MOS纵向P型区的制作方法，其特征在于，所述步骤一中 采用外延方法生长N型外延硅。3.如权利要求1所述的超接面MOS纵向P型区的制作方法，其特征在于，所述步骤二中 使用干刻工艺刻蚀形成深沟槽。4.如权利要求1所述的超接面MOS纵向P型区的制作方法，其特征在于，所述步骤三中 利用外延方法生长P型外延硅用以填充部分深沟槽。5.如权利要求1所述的超接面MOS纵向P型区的制作方法，其特征在于，所述步骤五中 使用回刻工艺去除表面氧化物。全文摘要本专利技术公开了一种超接面MOS纵向P型区的制作方法，包括以下步骤步本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种超接面ＭＯＳ纵向Ｐ型区的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、在硅衬底上生长Ｎ型外延；步骤二、在外延区上刻蚀形成深沟槽；步骤三、生长Ｐ型外延硅用以填充部分深沟槽，在沟槽内部形成Ｐ型单晶硅，构成超接面ＭＯＳ的纵向Ｐ型区域；步骤四、在外延表面生长氧化物，从而完全填充深沟槽；步骤五、去除表面氧化物，露出外延表面；步骤六、在外延上生长栅二氧化硅，在栅二氧化硅上生长栅极多晶硅，体注入形成体区，源注入形成源区。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王飞，刘远良，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31