温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种超接面ＭＯＳ纵向Ｐ型区的制作方法，包括以下步骤：步骤一、在硅衬底上生长Ｎ型外延；步骤二、在外延区上刻蚀形成深沟槽；步骤三、生长Ｐ型外延硅用以填充部分深沟槽，在沟槽内部形成Ｐ型单晶硅，构成超接面ＭＯＳ的纵向Ｐ型区域；步骤四、在...
该专利属于上海华虹ＮＥＣ电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹ＮＥＣ电子有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。