【技术实现步骤摘要】
本技术涉及晶体生长炉，属于晶体生长装置领域。
技术介绍
目前，现有的晶体生长装置一般采用单室结构，例如美国专利(us6200917)采用石英玻璃作为真空生长室，感应线圈位于石英玻璃外， 由密封圈、下法兰、石英管及顶盖构成真空生长室；例如中国专利 (CN200310113521.X)采用放置了感应线圈的金属腔体作为单一的真 空生长室。每次晶体生长前的装料及生长结束后取出晶体都要打开真 空生长室，引起真空生长室接触大气，极易受到大气的污染和氮吸附， 很难实现晶体生长以及对杂质精确控制的晶体生长。
技术实现思路
本技术的目的是克服在先技术的缺点，提出一种晶体生长炉。本技术的关键在于考虑到生长晶体时，晶体生长室和送样室 形成双室结构可有效避免晶体生长体系在装料及取样时暴露在大气 中，最大程度地减少生长室对污染物的吸附，有效降低生长晶体中非故意掺杂浓度。本技术包括晶体生长室(1)、送样室(2)、真空插板阀(3)、生长坩埚(4)、保温材料(5)、真空系统(5)、进气系统(6)、传递装置(7);晶体生长室(1)和送样室(2)之间相互为上下排列方式或左右 排列方式排列；所述的排列方式优选上下排列；真空插板阀(3)位于晶体生长室(1)与送样室(2)之间并连 接晶体生长室(1)与送样室(2)，真空插板阀(3)可开启或关闭；传递装置(7)连接于送样室上；生长坩埚(4)通过传递装置(7) 由送样室(2)经真空插板阀(3)送入晶体生长室(1);所述晶体生长室(1)和送样室(2)分别连接有真空系统(5)和进气系统(6);所述的进气系统(6)优选多路进气系统；所述晶体生长室(1)和/或送样...
【技术保护点】
晶体生长炉，包括晶体生长室（１）、送样室（２）、真空插板阀（３）、生长坩埚（４）、真空系统（５）、进气系统（６）、传递装置（７），其特征在于： 晶体生长室（１）和送样室（２）之间相互为上下排列方式或左右排列方式排列； 真空插板阀（３）位于晶体生长室（１）与送样室（２）之间并连接晶体生长室（１）与送样室（２），真空插板阀（３）可开启或关闭； 传递装置（７）连接于送样室上；生长坩埚（４）通过传递装置（７）由送样室（２）经真空插板阀（３）送入晶体生长室（１）；所述晶体生长室（１）和送样室（２）分别连接有真空系统（５）和进气系统（６）。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈之战，施尔畏，严成锋，肖兵，
申请(专利权)人：中国科学院上海硅酸盐研究所，
类型：实用新型
国别省市：31[中国|上海]
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